Me-полупроводник

1.

Контакт Me-п/п
Термодинамическая работа выхода для донорного п/п:
Ф n (E c F) kT ln
Nc
Nd
Термодинамическая работа выхода для акцепторного п/п:
Ф p E g (F E v ) E g kT ln
Nv
Na
Me с п/п n-типа образует омический контакт при Фп > Фм
Me с п/п n-типа образует выпрямляющий контакт при Фп < Фм
Me с п/п p-типа образует омический контакт при Фм > Фп
Me с п/п p-типа образует выпрямляющий контакт при Фм < Фп
Контактная разность потенциалов:
q к Фп/п ФМe

2.

Контакт Me-п/п
Ширина обедненного слоя в отсутствии смещения:
L
2εε 0 к
qN д ( N а )
Ширина обедненного слоя при приложении прямого смещения:
L
2εε 0 ( к U пр )
qN д (N а )
Ширина обедненного слоя при приложении обратного смещения:
L
2εε 0 ( к U обр )
qN д (N а )
Уравнение, описывающее ВАХ выпрямляющего контакта:
I Is (e
qU
kT
1)
Барьерная емкость:
C
0S
L