Similar presentations:
Теория упругости сплошных сред. Упругие поля (поля напряжений) вокруг дислокаций. Энергия дислокаций
1. Физика реального кристалла
7. Теория упругости сплошных сред.Упругие поля (поля напряжений)
вокруг дислокаций. Энергия
дислокаций.
Профессор Б.И.Островский
[email protected]
2.
Типы дислокаций:Краевые дислокации - Edge Dislocation:
A portion of an extra plane of atoms
Винтовые дислокации - Screw Dislocation:
Helical atomic displacement around a
line extending through the crystal
Смешанные дислокации - Mixed Dislocation:
Some edge, some screw nature
3.
Краевая дислокацияСлабые, упругие
искажения идеальной
решетки - «хороший
материал» -
линейная теория
упругости
Ядро дислокации (??)
-сильные искажения решетки,
нелинейные деформации
4.
Свойства вектора БюргерсаFinish-start/ right hand
5.
Свойства дислокацийДислокационная линия не может закончиться внутри кристалла,
а только
- на его поверхности
- на внутренней границе раздела ( на границах зерен)
- в дислокационном узле
- с образованием дислокационной петли
6.
7.
Примеры дислокационных петель иузлов в кристаллах
Дислокационная петля
в fcc кристале
Сетка Франка
8.
Дислокационные петли в алмазоподобной структуре9.
Плотность дислокацийОпределение плотности дислокаций
см-2
= L/ V
= L/ V = Nl/ V = Nl/ lS = N/ S
Выражается в единицах,
Типичные значения в отожженных металлах
В полупроводниках
После пластической деформации
и выше
-1 = S/ N
-1/2
-1/2 = < r >- среднее расстояние
между дислокациями
10. Элементы теории упругости сплошных сред
11.
Закон Гука,модуль Юнга
Y E
Брусок из однородного
изотропного материала
12.
Коэффициент ПуассонаВ кристаллах:
ij = Cijkl kl
13.
Брусок под действиемгидростатического
давления
14.
15.
Объемный модуль упругости16.
Однородный сдвиг (1)клей
17.
Однородный сдвиг (2)Fi = 0
Mi = 0
18.
Однородный сдвиг (3)сдвиге
19.
Однородный сдвиг (4)-1 < < 1/2
20. Элементы теории упругости кристаллов
21.
22.
ij = dFi /dAj23.
24.
Тензор напряжения (1)25. Тензор напряжения (2)
!!Приведение к диагональному виду
26.
Симметрия тензора напряженияij
ij
27. Тензор деформации (1)
деформации28.
Тензор деформации (2)u - смещение
частицы
x’ = x + u2 - u1
x’ = x + u
e = lim ( x’ - x)/ x =
x 0
= lim u/ x = du/dx - деформация
x 0
29.
Тензор «деформации» (3)r
r
’
вектор смещения
u
r
r’ = r + u
e = du/dr ; eij = dui/dxj
dui = eij dxj ;
eij - тензор дисторсии
30.
Тензор дисторсии (1)31.
вектор смещенияr’ = r + u
В общем случае:
e = du/dr ; eij = dui/dxj
dui = eij dxj ;
eij - тензор деформации (??)
Легко понять смысл компонент тензора eij
x = ( x1; 0; 0)
ui = eij xj
:
32.
Тензор дисторсии (2)2
33.
Определение тензора деформации- Тензор деформации
- Чистые повороты
34.
Тензор деформации (6)35.
Акивис,Гольдберг,
1969
r’ = r + u
( r’)2 = ( r)2 + 2 r u + u2
( r’)2 - ( r)2 = 2 r u
2 r u =2eij xi xj
Таким образом,
в чистую
деформацию
вносит вклад
только тензор
Вклад равен 0
2 r u =2 ij xi xj
36.
Акивис,Гольдберг,
1969
u = x r
r’
r
37.
Акивис,Гольдберг,
1969
38.
39.
Тензор деформации (5)40.
Тензор деформации (6)41.
Тензор упругостиij
ij
ij
ij = Cijkl kl
42.
Роль симметрииКубические кристаллы
Ромбическая
Тригональная
В кубических кристаллах достаточно трех упругих констант
43. Изотропное твердое тело
GСвязь с константами упругости
кубического кристалла
Связь с модулем Юнга и
коэффициентом Пуассона
E = 2G (1+ )
= /2( +G )
44. Коэффициенты упругости
CCijkl
1.6х10-12
C
C = U/a3
Оценка величины коэффициентов упругости
C11
C12
C44
Кубические кристаллы
Дин/см2 = эрг/см3 = 10 -1 дж/м3
45.
Изотропные телаДин/см2
Дин/см2 = эрг/см3 = 10 -1 дж/м3 = 10 -1 Н/м2
46.
Энергия деформируемого кристалла47.
Когда единичный элемент объема деформируется на малую величину d ij ,напряжения совершают над ним работу:
d Wel = ij d ij = Cijkl kld ij
ij = Cijkl kl
Плотность
энергии!
[эрг/см3]
- Закон Гука
После интегрирования имеем для плотности энергии:
Wel = (1/2)Cijkl ij kl = (1/2) ij ij
Полная упругая энергия деформации получается интегрированием
по всему объему кристалла:
Wel полн = (1/2) Cijkl ij kl d3r
V
В случае однородной деформации: kl = const (r )
Wel полн = (1/2)C 2 V
- одноконстантное приближение
При неоднородной деформации: kl = kl (r ) ;
Wel полн = (1/2) C 2(r)d3r
48.
Энергия деформируемого кристалла49.
В общем случае если деформация производится обратимо и припостоянной температуре, и если вся работа идет на упругую
деформацию, то свободная энергия системы имеет вид:
F = (1/2) Cijkl ij kld3r
V
Плотность энергии деформации в общем случае записывается в
виде:
Wel = Wel ( kl) = (1/2)Cijkl ij kl + (1/6)Cijklтn ij kl mn+
2W
el /
ij kl
+ (1/24)Cijklmnpq ij kl mn pq
Гармоническое приближение
Ангармонические поправки
50. Упругие поля и напряжения вокруг дислокаций
51.
Дислокации в непрерывной упругой средеПостроение
Вольтерра
52.
Образование краевой дислокации в кристалле53.
Построение Вольтерра для винтовыхи краевых дислокаций
54.
Поле смещений вокруг винтовой дислокацииarctg (y/x)
Цилиндрические
координаты:
r, , z
x 2 + y 2 = r2;
tg = y/x
uz =
uz(x,y)
55.
Вычисление компонент тензорадеформации (1)
uz = uz(x,y)
ux = 0
uy = 0
56.
Вычисление компонент тензорадеформации (2)
Смещения:
arctg (y/x)
(1/2)duz/dy =(b/4 )d[ arctg(y/x)]/dy =
dy/(y2 +a2)
= (1/a) arctg(y/a)
57.
Вычисление компонент тензорадеформации (3)
xx = yy = zz = xy = yx = 0
xz = zx
Цилиндрические
координаты:
r, , z;
x2 + y2 = r2; tg = y/x
58.
Вычисление компонент тензора напряженийG
59.
Компоненты тензора напряжений вцилиндрических координатах
z
z
Цилиндрические
координаты:
r, , z
x 2 + y 2 = r 2;
tg = y/x
60.
Компоненты тензоров напряжений и деформаций вцилиндрических координатах
используя соотношения:
и, аналогичным образом, для сдвиговых деформаций,
получаем:
61.
Упругие поля искажений вокруг дислокацийявляются дальнодействующими!
Отличные от нуля компоненты ij и kl убывают с
расстоянием от дислокации как r -1,
r -1
62.
Сравнение законов спадания напряжений с расстоянием r,для точечных дефектов, дислокаций и
дислокационных стенок
63.
в нем имеются внутренние напряжения, источникомкоторых являются дислокации.
64.
Упругая энергия дислокацииПолная энергия дислокации состоит из двух частей:
Wel = (1/2) Cijkl ij kl
= (1/2) ij ij
Плотность упругой энергии, запасенной в дислокации:
8
2
полн
2
=
Полная энергия, запасенная в полом цилиндре радиуса R и длины L :
L
2
R
2/8 2) dz d rdr/r2 = L
=
(Gb
полн
0
0
L
r0
Или на единицу длины дислокации:
полн /L
=
dV
65.
Оценки упругой энергии дислокацииПри обычных значениях плотности дислокаций
=107 см-2, среднее
расстояние между ними составляет R -1/2 3.10-4 см, что дает
для
и
10
полн /L
=
При G 1012 дин.см-2 и b = 2.10 -8 см имеем:
Ebond Gb3
-4 эрг/см
4.10
/L
=
полн
Что в пересчете на одну связь дает:
Ebond
= 4.10 -4 эрг/см x 2.10 -8 см
= 8.10-12 эрг
5 эв
66.
67.
Наименьшей энергией обладают дислокации с наи-!!
68.
Диссоциация дислокаций69.
Ядро дислокацииядро – неупругие искажения
упругие деформации
70.
Оценки, выполненные на основе различных микроскопических подходови результатов компьютерного моделирования взаимодействий в ядре
дислокаций, показывают, что энергия ядра дислокации не превышает
10-15% полной энергии, т.е. большая часть энергии дислокации
связана с упругими деформациями, распространяющимися далеко
в объеме кристалла.