Электронография. Расчет электронограммы текстурированного образца

1.

Электронография
Расчет электронограммы
текстурированного образца

2.

Схема электронограммы
поликристалла
d = L /r
U=75кВ, L=500мм
эл 12.225/ U
= 0,0446 Å
изучение структуры
поверхностных слоев
20 – 1000 Å
W
a =3,160 Å,
структура
вольфрама –
обьемноцентрированная
решетка

3.

a =3,160 Å
d, Å r, мм
2,23
10
1,58
14
1,29
1,117
17
20
0,999
22
0,912
24
0,845
0,79
26
28
0,745
30
0,707
32
0,674
0,645
33
35
0,62
36
a
H K L
d
a
d
2
2
2
H K L
2
2
2
L
d
r
r =L /d
r = 22,32 [мм·Å] /d

4.

Для объёмно-центрированной ячейки не
должны наблюдаться линии, с нечетной суммой
индексов,
а для гранецентрированной ячейки не будет
линий с индексами разной четности

5.

Схема аксиальной текстуры
Если кристаллики, составляющие поликристаллический
образец, ориентированы так, что какая-либо
кристаллографическая плоскость у всех кристалликов
параллельна подложке, а вокруг оси, перпендикулярной
этой поверхности, кристаллики повернуты произвольно,
то возникает так называемая аксиальная текстура.

6.

Схема электронограммы идеально
текстурированной пленки
φi
На оси электронограммы будут
лежать точки, индексы которых
определяют ось аксиальной структуры

7.

Расчет электронограммы
текстурированного образца
cos i
H i m K i n Li p
m n p
2
2
2
H K L
2
i
2
i
2
i
• m, n, p – индексы оси текстуры; ось текстуры [001]
• H, K, L – индексы отражающей
кристаллографической плоскости.
Li p
cos i
10 мм
H i2 K i2 L2i
HKL [110], [110], [110], [110] cos