Similar presentations:
Исследование статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОЭ. Лабораторная работа №11
1.
Лабораторная работа №11Исследование статических ВАХ БТ
транзисторов в схеме включения с ОЭ
2. Цель работы
Изучить параметров статических ВАХ БТтранзисторов в схеме включения с ОЭ
3.
Универсалный лабораторный стенд4.
Схема для снятия статических характеристикБТ
PА2
R
+
Е1
–
10кОм
VT
PА1
PV2
PV1
+
–
Е2
5.
Схема соединений для снятия статическиххарактеристик транзистора в схеме с общим
эмиттером.
6.
Результаты измерений:Снятие выходныхстатических характеристик транзистора
7. Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении MultiSim 10.1
U3+
5.000
V
DC 10MOhm
U4
Q1
BD140
+
1.776u
A
DC 1e-009Ohm
I1
0mA
+
-5.000
-
V
U1
DC 10MOhm
+
10.000
-
V
U2
DC 10MOhm
V1
10 V
8. Результаты измерений
9. Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений
10. Паспортные данные БТ КТ 501К
планар – технология выполнении эпитакциалного p-n-pPKmax = 350 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 5 МГц
UКЭ = 45 В, Rmax = 10 кОм
UЭБ0 = 20 В
IKmax =300 (500) mA
IКЭ ≤ 1 mkA, R = 45
h21Э = 80 ÷ 240 (1 B, 30 mA)
CK ≤ 50 пФ (10 В)
rКЭтўй ≤ 1,3 Ом
КШ ≤ 4 дБ (1кГц)
11. Паспортные данные БТ МП 37
планар – технология выполнении эпитакциалного n-p-n PKmax= 150 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 1 МГц
UКБ0теш = 30 В
IKmax = 20 mA
IКИmax = 150 mA
IКБ0 ≤ 30 mkA (5 В)
h21Э = 21 ÷ 50 (5 B, 1 mA)
rБ ≤ 220 Ом
12. Результаты измерений
13. Семейство входных и выходных статических характеристик BT на диаграмме УФ-соединений УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва
статических характеристик BT надиаграмме УФ-соединений
УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва
чиқиш статик характеристикалар оиласи
14. Расчет основных параметров
U ЭБт h11I Эт h12U КБтI Кт h21I Эт h22U КБт
u КБ const
iЭ const
h11Б
h12Б
u ЭБ
i Э
u ЭБ
u КБ
h21Б
h22Б
i К
iЭ
i К
u КБ
15. Рабочая станция NI ELVIS
16. Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS
17. Модуль и схема исследования биполярного транзистора Биполяр транзисторни тадқиқ этиш модули ва схемаси
биполярного транзистораБиполяр транзисторни
тадқиқ этиш модули ва схемаси
18. Содержание отчета
Наименование работыЦель работы
Схема измерения
Паспортные инструкции изучаемого электронного
устройства
Результаты измерений
Вольт-амперные характеристики
Расчет основных параметров
Заключение