Деление веществ по проводимости на проводники, полупроводники и диэлектрики дается на основе зонной теории твердого тела: 1.
При Т=0 К валентная зона заполнена (а). С увеличением температуры происходит генерация (рекомбинация) носителей заряда
76.00K
Category: physicsphysics

Электропроводность полупроводников

1.

§16 Электропроводность
полупроводников
Глава 3
Электричество и магнетизм

2. Деление веществ по проводимости на проводники, полупроводники и диэлектрики дается на основе зонной теории твердого тела: 1.

Проводники при любой температуре имеют не целиком
заполненные зоны или зона валентная и проводимости
перекрываются.
2. Полупроводники имеют целиком заполненную
валентную зону, отделенную от зоны проводимости
запрещенной зоной несколько электрон-вольт (~ до 3 эВ).
3. Диэлектрики имеют запрещенную зону >3 эВ.

3. При Т=0 К валентная зона заполнена (а). С увеличением температуры происходит генерация (рекомбинация) носителей заряда

(электронов и дырок) (б). Носители
заряда в полупроводниках – электроны зоны
проводимости и дырки валентной зоны.

4.

Плотность тока складывается из плотности тока
электронов и дырок, зависящая от концентрации
носителей заряда и их подвижности.
jn j p en n E ep p E
en n ep p E E
Удельная
электрическая
проводимость
складывается из электронной и дырочной
en n ep p

5.

Проводимость собственного (нелегированного)
полупроводника
может
быть
выражена
формулой:
0e
Eg
2 kT
Eg – ширина запрещенной зоны полупроводника.
0 – постоянная величина.
English     Русский Rules