Короткоканальные эффекты, обусловленные ОПЗ стокового рп-перехода
Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала
Механизм образования горячих носителей
LDD структура стока
Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси и величины электрического поля
Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля
Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ
Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры
Мелкая щелевая изоляция
Составной затвор
Исток/сток
Подзатворный диэлектрик
Неоднородно легированный канал
ЛЕКЦИЯ 4 Формирование боковой диэлектрической изоляции в КМОП БИС
Изоляция элементов КМОП структуры
Пороговое напряжение МОП-транзистора
ЛОКОС - процесс
Образование «Птичьего клюва»
«Птичий клюв»
Влияние толщины буферного окисла на длину «птичьего клюва» и плотность дефектов
Влияние толщины нитрида на длину «птичьего клюва» и время маскирования
Побочные эффекты при локальном окислении
Маршрут изготовления VIP –структуры
Этапы формирования щелевой изоляции
Виды щелевой изоляции
Эффект защелкивания в КМОП структуре
Глубокая щелевая изоляция в КМОП-структуре
Щелевая изоляция – твердая маска при формировании карманов
Щелевая изоляция – твердая маска при формировании областей сток/исток
Зависимость ширины щели от минимального размера
Паразитный МОП транзистор
Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
Боковые инверсные каналы
Пути токов утечек в КМОП инверторах
Подлегирование боковых стенок с помощью имплантации бора
Подлегирование боковых стенок диффузией из поверхностного источника
Процесс формирования щелевой изоляции
Микрофотография вытравленных щелей
Подтравливание окисла кремния
Влияние метода окисления на округление угла меза структуры
Микрофотография МОП структуры после осаждения поликремния
Технологические режимы формирования щелевой изоляции
Формирование щели
Создание охранной облаксти
Формирование изолирующей области
16.57M
Category: electronicselectronics

Короткоканальные эффекты, обусловленные ОПЗ стокового рп-перехода. (Лекция 4)

1. Короткоканальные эффекты, обусловленные ОПЗ стокового рп-перехода

1.
2.
3.
4.
Горячие носители
DIBL – эффект
Глубинное смыкание ОПЗ стока и истока
Уменьшение подвижности носителей
Для их устранения необходимо создавать:
1. LDD –структуру
2. Гало – области
3. «кармашки»
4. Скрытые охранные области

2. Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала

3. Механизм образования горячих носителей

[1]

4. LDD структура стока

Спейсер
Затвор
Подзатворный окисел
[2]
Сток

5. Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси и величины электрического поля

6. Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля

7. Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ

[1]

8. Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры

Составной затвор:
- разные величины работы выхода
для затворов n- или p- типов
- низкое поверхностное сопротивление
- отсутствие проникновения бора
- жесткий контроль размеров
Подзатворный диэлектрик
- очень тонкий для подавления
короткоканальных эффектов
и увеличения тока стока
- ограничения: плотность деффектов,
туннельный ток, надежность
TiSi2
[1]
Мелкая щелевая изоляция
- ограниченные литографией
размеры
- независимость ширины от глубины
- малая электрическая емкость
- отсутствие необходимости
в сплошном окислении
Исток/сток
- мелкая область исток/стока
для подавления
короткоканальных эффектов
- оптимизация концентрационных
профилей для повышения надежности
и улучшения характеристик
- низкое поверхностное сопротивление
Неоднородно
легированный канал
- подавление короткоканальных
эффектов
- гало-области для подавления
спада Vt при уменьшении Lg
- уменьшение емкости p-n переходов

9. Мелкая щелевая изоляция

- ограниченные литографией
размеры
- независимость ширины от глубины
- малая электрическая емкость
- отсутствие необходимости
в сплошном окислении
- паразитные связи

10. Составной затвор

- разные величины работы выхода
для затворов n- или p- типов
- низкое поверхностное сопротивление
- отсутствие проникновения бора
- жесткий контроль размеров

11. Исток/сток

- мелкая область исток/стока
для подавления короткоканальных
эффектов
- оптимизация концентрационных
профилей для повышения надежности
и улучшения характеристик
- низкое поверхностное сопротивление

12. Подзатворный диэлектрик

- очень тонкий для подавления
короткоканальных эффектов
и увеличения тока стока
- ограничения: плотность дефектов,
туннельный ток, надежность

13. Неоднородно легированный канал

- подавление короткоканальных
эффектов
- гало-области для подавления
спада Uп при уменьшении Lк
- уменьшение емкости p-n переходов

14. ЛЕКЦИЯ 4 Формирование боковой диэлектрической изоляции в КМОП БИС

15. Изоляция элементов КМОП структуры

Паразитные биполярные транзисторы: 1, 2 – npn, 3 - pnp
[2]

16. Пороговое напряжение МОП-транзистора


Выравнивание зон
English     Русский Rules