Лекция 9 Особенности формирования областей исток-сток МОПТ
Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ
Эффект образования горячих носителей
Причины и следствия образования горячих носителей
Механизм образования ловушек для горячих носителей
Влияние горячих носителей на ВАХ МОПТ
LDD структура стока
Влияние LDD структуры на распределение электрического поля
Влияние дозы имплантации примеси для LDD на время жизни и ток в подложку МОПТ
Маршрут формирования МОПТ с LDD структурой
Изменение глубины LDD структуры от технологического уровня
Зависимость тока насыщения МОПТ от длины канала и уровня легирования LDD структуры
Влияние перекрытия LDD структуры электродом затвора на ток насыщения МОПТ
Факторы, влияющие на величину сопротивления LDD стока МОПТ
Эффект обеднения LDD - структуры
Конструктивные варианты LDD структуры
Зависимость степени деградации крутизны МОПТ от времени испытания для различных LDD
Маршрут изготовления градиентно-профильной LDD структуры
Маршрут формирования LDD КМОП ИС с двумя карманами
Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей
Гало-области МОПТ
Влияние режимов формирования гало-области на изменение порогового напряжения МОПТ
Влияние гало-области на напряжение смыкания ОПЗ исток-сток
Влияние режима формирования гало-области на подпороговый ток МОПТ
Зависимость тока выключения от тока насыщения для двух типов МОПТ
3.47M
Category: electronicselectronics

Формирование областей исток-сток МОПТ. (Лекция 9)

1. Лекция 9 Особенности формирования областей исток-сток МОПТ

2. Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ

[1]

3. Эффект образования горячих носителей

[2]

4. Причины и следствия образования горячих носителей

• Lк
Nп
Xопз
E
УИ
ГН
Ин
Uп
ВЖ

5. Механизм образования ловушек для горячих носителей

[1]

6. Влияние горячих носителей на ВАХ МОПТ

до
после
Стресс
[1]

7. LDD структура стока

Спейсер
Затвор
Подзатворный окисел
[2]
Сток

8. Влияние LDD структуры на распределение электрического поля

[2]
Расстояние от поверхности, мкм

9. Влияние дозы имплантации примеси для LDD на время жизни и ток в подложку МОПТ

Ток в подложку, А/см2
Время жизни, годы
Влияние дозы имплантации примеси для LDD на время
жизни и ток в подложку МОПТ
Область
cуществования
LDD
LDD
формирется
ОПЗ
Доза
сужается
[2]

10. Маршрут формирования МОПТ с LDD структурой

[2]

11. Изменение глубины LDD структуры от технологического уровня

[3]

12. Зависимость тока насыщения МОПТ от длины канала и уровня легирования LDD структуры

[3]

13. Влияние перекрытия LDD структуры электродом затвора на ток насыщения МОПТ

LDD
[3]

14. Факторы, влияющие на величину сопротивления LDD стока МОПТ

[2]

15. Эффект обеднения LDD - структуры

Отрицательный
заряд
Обеднение
области п-типа
[2]

16. Конструктивные варианты LDD структуры

Поверхностный
LDD
Скрытый LDD
Градиентно-скрытый
LDD
[2]

17. Зависимость степени деградации крутизны МОПТ от времени испытания для различных LDD

Деградация крутизны
Зависимость степени деградации крутизны МОПТ от
времени испытания для различных LDD
Поверхностный
LDD
Скрытый LDD
Градиентноскрытый LDD
[2]
Время испытаний, час

18. Маршрут изготовления градиентно-профильной LDD структуры

Иония имплантация мышьяка ( малая доза )
Ионная имплантация фосфора
Формирование спейсеров
Ионная имплантация мышьяка ( большая
доза и энергия )
[2]

19. Маршрут формирования LDD КМОП ИС с двумя карманами

[2]

20. Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей

21. Гало-области МОПТ

МОПТ с гало-областью
Маршрут формирования МОПТ
с локальной гало-областью
[2]

22. Влияние режимов формирования гало-области на изменение порогового напряжения МОПТ

[1]

23. Влияние гало-области на напряжение смыкания ОПЗ исток-сток

[1]

24. Влияние режима формирования гало-области на подпороговый ток МОПТ

[1]

25. Зависимость тока выключения от тока насыщения для двух типов МОПТ

1 – с гало-областью\
2 – без гало-области
[1]
English     Русский Rules