Влияние режимов модуляции плазмы на фазовый состав пленок SiOx при плазмохимическом осаждении

1.

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ
УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Физический факультет
Кафедра физики полупроводников
Влияние режимов модуляции плазмы на фазовый
состав пленок SiOx при плазмохимическом осаждении
Зав. кафедрой
доц., к.ф.-.м.н.
Обучающийся
Меньшикова Т.Г.
Домантович Д.О
Руководитель
к.ф.-м.н.
Машкина Е.С.
Научный консультант
к.ф.-м.н.
Барков К. А.
ВГУ, Воронеж 2026

2. Актуальность исследований

• Нанокластеры/нанокристаллы Si <8 нм обладают фотолюминесценцией
• Положение максимумов ФЛ зависит от размеров нанокластеров
Рис. 1. Зависимость положения ФЛ
от размеров nc-Si
Ledoux G. et al. Applied Physics Letters. – 2002. – Т. 80. – №. 25. – С. 4834-4836.
2

3. Объекты исследования

ФТИ им. А.Ф. Иоффе разработал технологию получения аморфных пленок SiOx с нанокластерами кремния (ncl-Si).
• Плёнки получены плазмохимическим осаждением из газовой фазы (PECVD).
• Рабочая смесь газов (80%Ar + 20%SiH4) + O2
• Содержание ncl-Si в плёнке варьируется с помощью модуляции плазмы dc-магнетрона.