Введение. Назначение РЭМ
Введение. Принцип работы
Устройство РЭМ
Основные узлы РЭМ
Электронная оптика
Термоэлектронная эмиссия
Автоэлектронная эмиссия
Эффект Шоттки
Сравнение характеристик различных типов источников электронов
Сравнение параметров
Источник электронов – термоэлектронный катод
Источник электронов – автоэлектронный катод
Электромагнитные линзы
Вакуумная система
Дифференцированная откачка
Взаимодействие электронного зонда с образцом. Информативность получаемых сигналов.
Взаимодействие электронного зонда с образцом
Область взаимодействия электронного зонда с образцом
Взаимодействие электронного зонда с образцом
Вторичные электроны и обратно-рассеянные электроны
Зависимость вторичной электронной эмиссии от энергии первичного пучка
Энергия и глубина выхода ВЭ
Зависимость δ от угла падения электронного зонда
Детектор истинно-вторичных электронов
Детектор истинно-вторичных электронов
Детектор обратно-рассеянных электронов
Зависимость выхода ОРЭ от атомного номера
Режим материального контраста и режим топографии
Соотношение сигнал шум
Ограничение скорости сканирования
Факторы, определяющие контраст изображения
Рабочий отрезок и глубина фокуса
Рабочий отрезок и глубина фокуса
Выбор скорости сканирования
Борьба с зарядкой образца
Режим низкого вакуума
Физические методы исследований, основанные на растровой электронной микроскопии
Сигналы в РЭМ
Каналирование электронов (классическая модель)
Каналирование электронов (Блоховская модель)
Оже электронная спектроскопия
Оже электронная спектроскопия Энергоанализаторы
Рентгеновский микроанализ Принцип
Рентгеновский микроанализ Принцип
Рентгеновский микроанализ Устройство рентгеновского микроанализатора
Рентгеновский микроанализ WDS
Рентгеновский микроанализ EDS
Спасибо за внимание!
Рентгеновский микроанализ Картирование модификатора дорожного покрытия
Рентгенофотоэлектронная спектроскопия
Катодолюминесценция Принцип
Катодолюминесценция
Катодолюминесценция КЛ алмазов с NV центрами
Катодолюминесценция КЛ алмазов с NV центрами
Катодолюминесценция КЛ с гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs
Астигматизм
Стигматор – компенсатор астигматизма
Сферические аберрации
Хроматические аберрации
Дифракционные аберрации
8.04M
Category: electronicselectronics

Введение. Назначение РЭМ

1. Введение. Назначение РЭМ

Получение увеличенного изображения объектов
Оптический микроскоп
Растровый электронный
микроскоп
Изображение пыльцы
Увеличение: до 1 000 – 1 500 раз
до 100 000 – 200 000 раз
1

2. Введение. Принцип работы

РЭМ –
«телевизионный»
микроскоп!
2

3. Устройство РЭМ

3

4. Основные узлы РЭМ

4

5. Электронная оптика

5

6. Термоэлектронная эмиссия

Термоэлектронная эмиссия (эффект Ричардсона, эффект Эдисона) —
явление испускания электронов нагретыми телами.
W
jc AT exp
kT
c
k 1,38 10 23 Дж К 1
2
c
A 120 A K 2 см 2
φW – работа выхода материала катода (2- 6 эВ)
При Т=273 °K kT = 0,025 эВ
6

7. Автоэлектронная эмиссия

Автоэлектронная (полевая) эмиссия – явление выхода электронов
из металла или полупроводника под действием сильного электрического
поля. Название, отражающее природу явления – туннельная эмиссия.
3
k2 Weff 2
k1E
jc
exp
Weff
E
2
E
3
k/1 Eсм k 2 2
10j В
exp
c
W
E
7
2
φWeff – эффективная работа выхода
материала катода
Tc – температура катода
E – напряженность поля вблизи катода
7

8. Эффект Шоттки

Эмиссии электронов из металла препятствует потенциальный барьер,
образованный из электрических сил изображения.
Снижение этого барьера по мере увеличения прилагаемого внешнего
электрического поля называется эффектом Шоттки.
Weff W e
eE
4 0
E – напряженность поля вблизи катода
При E = 105 В/см, Δφ = 0,12 В,
При E = 107 В/см, Δφ = 1,2 В
jc ATc2 exp W
kTc
φW – работа выхода материала катода (2- 6 эВ)
При Т=273 °K kT = 0,025 эВ
8

9. Сравнение характеристик различных типов источников электронов

Яркость электронной
пушки
I c
jc
S 2
E p kT
9

10. Сравнение параметров

Яркос
ть,
А/ср*с
м2
Размер
виртуального
источника
Темпе
ратура
,
К
Разброс
энергии
электронов,
эВ
Ток
пучка, нА
Вакуум,
торр
Время
работы,
час
105
25 мкм
2700
2–3
до 1000
10−5
100
5×106
10 мкм
1700
2–3
до 1000
10−6
500
Термоавтоэмиссионный
(катод Шотки)
108
20 нм
1700
0,9
до 200
10−8
>1500
Холодный
автоэмиссионн
ый
109
5 нм
300
0,22
до 2
10−10
>1500
Тип катода
Вольфрам
LaB6
10

11. Источник электронов – термоэлектронный катод

Схема электронной пушки
Перегоревший вольфрамовый катод
(время жизни ~ 100 часов)
Катод LaB6 (время жизни ~ 500 часов)
11

12. Источник электронов – автоэлектронный катод

Схема электронной пушки
Автоэмиссионный катод W (310)
(время жизни > 1500 часов)
12

13. Электромагнитные линзы

13

14. Вакуумная система

14

15. Дифференцированная откачка

«Сверхвысокий» вакуум
- постоянная откачка!
«Высокий» вакуум
«Средний/низкий» вакуум
15

16. Взаимодействие электронного зонда с образцом. Информативность получаемых сигналов.

16

17. Взаимодействие электронного зонда с образцом

Электронный
зонд
dp – эффективный
диаметр
электронного зонда
Латеральное
разрешение
Разрешение
по глубине
Образец
E p kT
Пространственное разрешение РЭМ определяется размером области,
из которой регистрируется информативный сигнал!
17

18. Область взаимодействия электронного зонда с образцом

Рассеяние сфокусированного электронного пучка различной энергии
в кремнии. Синие траектории – первичные электроны, красные –
рассеянные электроны.
E p обратно
k
T
(Моделирование методом Монте-Карло, программа CASINO).
18

19. Взаимодействие электронного зонда с образцом

E p kT
Пространственное разрешение РЭМ определяется размером области,
из которой регистрируется информативный сигнал!
19

20. Вторичные электроны и обратно-рассеянные электроны

I SE
I0
I SE I 0
коэффициент ВЭ
50eV
f E, dEd
0
I
ОРЭ
E BSE k коэффициент
T
Ip
0
E0
I BSE I 0 f E , dEd
Eth
ISE – ток ВЭ, IBSE – ток ОРЭ, E0 – ток зонда,
E0 – энергия электронов зонда,
Eth – пороговая энергия детектора ОРЭ,
f(E,Ω) – функция распределения
вышедших электронов
20

21. Зависимость вторичной электронной эмиссии от энергии первичного пучка

δ > 1 – нет локальной зарядки
образца!
21

22. Энергия и глубина выхода ВЭ

Диапазон энергий ВЭ:
Наиболее вероятная
энергия ВЭ:
Средняя энергия ВЭ:
Диапазон значений δ:
0 – 50 эВ
1,5 – 3,5 эВ
5 – 12 эВ
0,2 – 5 (10)
Вероятность выхода ВЭ с глубины t
p t p 0 exp t
tSE
tSE – глубина выхода ВЭ
металлы 0,5 – 1,5 нм, уголь - 10 нм,
диэлектрики – до 20 нм
Зависимость δ от атомного номера Z
E p kT
22

23. Зависимость δ от угла падения электронного зонда

φ
ВЭ
ts/cos φ
ts
Область
выхода ВЭ
Область, из
которой выход
ВЭ невозможен
(0)
( )
cos
E p kT
Зависимость интегрального коэффициента ВЭ
δ от угла падения электронного зонда
для Alи Au при различных энергиях зонда 23

24. Детектор истинно-вторичных электронов

Детектор Эверхарта-Торнли
Сетка, на которую подан
положительный потенциал
эффективно собирает медленные
вторичные электроны
24

25. Детектор истинно-вторичных электронов

Сцинтиллятор – фотоэлектронный умножитель
СЕТКА
ФЭУ
СВЕТОВОД
СЦИНТИЛЛЯТОР
e-
фотокатод ФЭУ
+50 - 400 В
+ 10 кВ
СЛОЙ Al
K1 ≈ 102 - 103
K2 ≈ 105 - 106
Возможна регистрация единичных электронов!
25

26. Детектор обратно-рассеянных электронов

E p kT
26

27. Зависимость выхода ОРЭ от атомного номера

Зависимость интегрального
коэффициента ОРЭ η от
атомного номера Z для
различных энергий электронного
зонда
Зависимость интегрального
коэффициента ОРЭ η от атомного
номера Z для различных энергий
электронного зонда
27

28. Режим материального контраста и режим топографии

Материальный
E p k T контраст
Z-контраст
Топографический контраст
Рельеф
28

29. Соотношение сигнал шум

S N
n
n
n
n – число первичных электронов
n n( j, d , t )
t ~ 200 мкс -> 0,2 секунды на строку в
1000 точек
Число первичных электронов
зависит от параметров:
j – плотность тока,
d – диаметр зонда,
t – время накопления сигнала
t ~ 2 мс -> 2 секунды на строку в
1000 точек
29

30. Ограничение скорости сканирования

Максимальная скорость
плохое соотношение сигнал-шум
быстродействие электроники
Минимальная скорость
термодрейф образца
зарядка образца (плохопровоящих и не
проводящих обрацов)
разрушение образца (локальный нагрев)
30

31. Факторы, определяющие контраст изображения

В режиме ВЭ
1)
2)
3)
4)
Микрорельеф поверхности
Значение коэффициента ВЭ
Наличие электрических полей на поверхности (заряд, потенциал)
Наличие магнитных полей на поверхности
Предельная разрешающая способность 0,8 – 1 нм (с оговорками) –
определяется эффективным диаметром электронного зонда
В режиме ОРЭ
1)
2)
3)
4)
5)
Эффективный атомный номер микрообъема образца
Микрорельеф поверхности
Локальная плотность
Кристаллическая структура
Электрические и магнитные поля
Предельная разрешающая способность порядка десятков нм
(с оговорками)
31

32. Рабочий отрезок и глубина фокуса

Чем ближе к объектной линзе
-тем выше разрешение
(с оговорками)
Чем дальше от объектной линзы и
чем меньше увеличение
- тем больше глубина фокуса
32

33. Рабочий отрезок и глубина фокуса

WD = 3 мм
WD = 12 мм
Чем дальше от объектной линзы и
чем меньше увеличение
- тем больше глубина фокуса
33

34. Выбор скорости сканирования

Конкурирующие факторы:
• выше скорость – хуже сигнал/шум,
• ниже скорость – лучше сигнал/шум,
больше смещение образца (термодрейф, зарядка)
34

35. Борьба с зарядкой образца

• Контакт на верхнюю сторону образца
• Низкие ускоряющие напряжения
• Режим низкого вакуума
• Напыление тонкого слоя
металла/углерода (5-10 нм)
35

36. Режим низкого вакуума

Напуск в камеру паров воды до давления 10-150 Па
Молекулы воды снимают заряд с поверхности.
Разрешение и контраст изображения падают.
Волокна древесины
(высокий и низкий вакуум)
Для исследования непроводящих образцов (диэлектриков, биообъектов) 36

37. Физические методы исследований, основанные на растровой электронной микроскопии

Московский физико-технический институт
Физические методы
исследований, основанные
на растровой электронной
микроскопии
Заблоцкий Алексей Васильевич

38. Сигналы в РЭМ

Сигналы
Истинно вторичные
Электроны
Обратно рассеянные
Оже-электроны
Фотоны
Информативность
Морфология поверхности
Рельеф (качественно)
Элементный контраст
Кристаллографическая информация
Химические состав (химические
связи)
Характеристическое
Элементный состав
рентгеновское
излучение
Катодолюминесценци Структура энергетических уровней
я
Мелкие примеси

39. Каналирование электронов (классическая модель)

При угле падения, изображенном на рис. а,
происходит сильное взаимодействие
электронов у поверхности.
При угле падения, изображенном на рис. б,
электроны проникают в кристалл, проходя
между рядами атомов вдоль каналов

40. Каналирование электронов (Блоховская модель)

2d sin n
Формула перевода энергии электрона в
Дебройлевскую длину волны
h
0,39
Å
2mE
E
где энергия электронов выражена в кэВ

41. Оже электронная спектроскопия

•Поверхностная чувствительность метода
•Чувствительность к химическому состоянию
элементов
•Возможность сканирования образца
сфокусированным электронным пучком,
позволяющая получать карту распределения
элементов по поверхности образца
•Возможность получения трехмерных карт
распределения элементов в поверхностных слоях
образца
EОже E0
Пьер Оже
(1899 — 1993)

42. Оже электронная спектроскопия Энергоанализаторы

Схема оже-перехода
Обзорный оже-электронный спектр серебра
в интегральном и дифференциальном
виде

43. Рентгеновский микроанализ Принцип

Формула Мозли
( Z ) 2 Ry 1
1
2 2
n2 n1

44. Рентгеновский микроанализ Принцип

Формула Мозли
( Z ) 2 Ry 1
1
2 2
n2 n1

45. Рентгеновский микроанализ Устройство рентгеновского микроанализатора

46. Рентгеновский микроанализ WDS

Волновой детектор
2d sin n

47. Рентгеновский микроанализ EDS

Энергодисперсионный детектор

48. Спасибо за внимание!

[email protected]
48

49. Рентгеновский микроанализ Картирование модификатора дорожного покрытия

SE
S
C
Al
O
Na

50. Рентгенофотоэлектронная спектроскопия

Определение химического состава
(локальность 15-100 мкм)
поверхности и тонких плёнок
Чувствительность: на уровне долей ppm
+ Возможность определения профиля
состава по глубине

51. Катодолюминесценция Принцип

Схема процесса катодолюминесценции при образовании электронно-дырочной
пары.
а – неупругое рассеяние электронов пучка привело к образованию электроннодырочных пар;
б – рекомбинация и аннигиляция электронно-дырочной пары, приводящие к
рождению фотона.

52. Катодолюминесценция

53. Катодолюминесценция КЛ алмазов с NV центрами

54. Катодолюминесценция КЛ алмазов с NV центрами

55. Катодолюминесценция КЛ с гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs

1,1
1,0
0,9
Intensity, normalized
0,8
GaAs
1458
1459
1460
1461
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
650
700
750
800
850
900
950
, nm
1, 424 1, 247x, при x < 0,45
Eg
2
1,9
0,125x
0,143x
, при x > 0,45

56. Астигматизм

3
2
k1 E
k
jc
exp 2
W
E
2
Плохой фокус
Астигматизм
Астигматизм
56

57. Стигматор – компенсатор астигматизма

Искаженная форма электронного зонда
Правильная форма электронного зонда
Стигматор
Хороший фокус
57

58. Сферические аберрации

Размытие
d s 2C s α
3
, где Сs – коэффициент сферической
аберрации ( 2–3 фокусных расстояния),
α - угол сходимости пучка
Меньше диафрагма – меньше аберрации!
Корректор сферических аберраций – рассеивающая
электромагнитная линза (два октуполя)
58

59. Хроматические аберрации

Размытие
E
d c Cc α
E
, где Сс – коэффициент хроматической
аберрации, E – энергия электрона,
α - угол сходимости пучка
Больше энергия – меньше аберрации!
Корректор сферических аберраций – система
поворота пучка и диафрагмы.
59

60. Дифракционные аберрации

Длина волны де Бройля
для электрона
h
2mE
Размытие
d c 1.22
h – постоянная планка,
m – масса электрона,
E – энергия электрона
, где α - угол сходимости пучка
Существует оптимальный угол сходимости –
то есть оптимальный рабочий отрезок!
Как правило – ближе образец к объектной линзе –
лучше фокусировка – хуже глубина фокуса
60
English     Русский Rules