254.00K

Category:

electronics

Контрольный тест

1.

Когда могут образоваться новые энергетические
уровни в кристаллах полупроводников?
1
2
3
4
введением других элементов в кристаллическую
решетку
воздействием электрического поля
воздействием излучения
тепловыми полями
вопрос
1

2.

В выпрямительных диодах используется
свойство…
1
2
3
4
возможность работы на на низких частотах
односторонней проводимости р-n перехода
небольшого времени перезарядки емкости
большой барьерной емкости р-n перехода
вопрос
2

3.

В p-n переходе при обратном включении
1
2
3
4
ток через p-n переход возрастает
потенциальный барьер уменьшается на
величину напряжения U
потенциальный барьер увеличится на
напряжение U
дрейфовый поток уменьшается
вопрос
3

4.

1
2
3
4
Твердое тело принято считать
полупроводником, если разность энергий
между нижним уровнем зоны проводимости и
верхнем уровнем валентной зоны:
Не определено
Меньше 3 эВ
Больше 3 эВ
Равна 3 эВ
вопрос
4

5.

1
2
3
4
Незанятое электроном энергетическое
состояние в валентной зоне, обладающее
положительным зарядом, называется:
Дыркой
Полем
Ионом
Орбитой
вопрос
5

6.

Сколько электронов на внешних валентных
оболочках у атомов германия и кремния?
1
2
3
4
по 4 электрона
по 2 электрона
1 электрон
по 5 электронов
вопрос
6

7.

Варикап можно рассматривать как
1
2
3
4
конденсатор с электрически управляемой
емкостью
электрически управляемую катушку
индуктивности
активный четырехполюсник
интегральную микросхему
вопрос
7

8.

Как зависит ток термоэлектронной эмиссии от
температуры нагрева катода и работы выхода?
1
2
3
4
Увеличивается
Уменьшается.
Не зависит.
Прекращается
вопрос
8

9.

В результате перемещения дырок проводимости
образуется:
Дырочная проводимость
1
Переменная проводимость.
2
Электронная проводимость
3
Потенциальный барьер
4
вопрос
9

10.

1
2
3
4
Если в четырехвалентный германий добавить
пятивалентный мышьяк, то такая примесь
будет называться:
Донорной
Акцепторной
Примесной
Состояние не изменится
вопрос
10

11.

Варикапы - полупроводниковые диоды, в
которых
1
2
3
4
барьерная емкость р-n перехода изменяется
при изменении обратного напряжения
диффузная емкость р-n перехода изменяется
при изменении обратного напряжения
барьерная емкость р-n перехода изменяется
при изменении обратного тока
диффузная емкость р-n перехода изменяется
при изменении обратного тока
вопрос
11

12.

Диод Шоттки - это
1
2
3
4
диод, использующий не p-n-переход, а
выпрямляющий контакт металл-полупроводник
полупроводниковый диод, предназначенный
для работы в качестве конденсатора, емкость
которого управляется напряжением
полупроводниковый диод, сконструированный
для работы в режиме электрического пробоя
полупроводниковый диод, напряжение на
котором при прямом включении мало зависит
от тока
вопрос
12

13.

Диоды по назначению классифицируются на
1
2
3
4
выпрямительные, импульсные, стабилитроны,
варикапы
точечные и плоскостные
сплавные, диффузионные
туннельные, фотодиоды, светодиоды
вопрос
13

14.

Легирование атомов полупроводника…
1
2
3
4
Повышает электропроводность
Понижает электропроводность
Сохраняет электропроводность
Прекращает электропроводность
вопрос
14

15.

1
2
3
4
Электрический переход между двумя
областями полупроводника, одна из которых
имеет электропроводность p–типа, а другая n–
типа образует
p-n переход
Электронный переход
Ковалентную зону
Валентную зону
вопрос
15

16.

Для уменьшения обратного тока в
полупроводниках необходимо снижать
1
2
3
4
напряжение источников питания
диффузную емкость
размеры полупроводника
концентрацию примесей
вопрос
16

17.

По технологии изготовления электрического
перехода диоды классифицируются на
1
2
3
4
выпрямительные, импульсные, стабилитроны,
варикапы
точечные и плоскостные
кремниевые, германиевые, из арсенида галлия
сплавные, диффузионные
вопрос
17

18.

Диод, предназначенный для преобразования
переменного тока в постоянный называется…
1
2
3
4
Плоскостный диод.
Туннельный диод.
Диод Зеннера.
Выпрямительный диод.
вопрос
18

19.

Какой полупроводниковый диод работает в
режиме электрического пробоя:
1
2
3
4
Варикап
Импульсный диод
Точечный диод
Стабилитрон
вопрос
19

20.

Какой схемы включения биполярного
транзистора не существует.
1
2
3
4
С общим эмитером
С общей базой
С общим коллектором
С общим истоком
вопрос
20

21.

1
2
3
4
Выход электронов за пределы поверхности
вещества под действием излучения
называется…
Термоэмиссией
Индукцией
Редукцией
Фотоэмиссией
вопрос
21

22.

В каком ре жиме усилитель работает в
ключевом режиме
1
2
3
4
В режиме А
В режиме А-В
В режиме С
В режиме Д
вопрос
22

23.

В каких единицах коэффициенты усиления
складываются?
1
2
3
4
В децибелах
В ваттах
В вольтах
В амперах
вопрос
23

24.

1
2
3
4
Электронное устройство, с помощью которого
осуществляется преобразование энергии
постоянного тока в энергию переменного тока
различной формы называется:
Генератором электрических колебаний
Усилителем постоянного тока
Мостовым выпрямителем
Однополупериодным выпрямителем
вопрос
24

25.

1
2
3
4
Краткосрочное отклонение физического
процесса от установленного значения
называется…
Импульсом
Сигналом
Амплитудой
Фазой
вопрос
25

26.

Активными элементами называются…
1
2
3
4
Элементы, содержащие внутренние источники
энергии
Элементы, в которых внутренние источники
энергии отсутствуют
Элементы, вырабатывающие электрическую
энергию
Элементы, преобразующие ток
вопрос
26

27.

1
2
3
4
Ключ, имеющий нулевое сопротивление в
замкнутом состоянии и бесконечно большое
сопротивление в разомкнутом состоянии
называется…
Идеальный
Реальный
Омический
Усилительный
вопрос
27

28.

В каком случае сила тока в цепи будет иметь
максимальное значение?
1
2
3
4
В случае А.
В случае Б.
В случае В.
В случае А и Б
вопрос
28

29.

В полупроводнике ток, переносимый электронами Iэ, и ток, переносимый дырками - Iд. Если
полупроводник обладает собственной
проводимостью, то какое соотношение токов будет
верным?
1
2
3
4
Iэ < Iд
Iэ > Iд
Iэ = Iд
Iэ ≠ Iд
вопрос
29

30.

1
2
3
4
В полупроводнике ток, переносимый электронами Iэ, и ток, переносимый дырками - Iд. Если
полупроводник обладает проводимостью n-типа, то
какое соотношение токов будет верным?
Iэ > Iд
Iэ = Iд
Iэ < Iд
Iэ ≠ Iд
вопрос
30

31.

Активным режим работы транзистора
называют, когда
1
2
3
4
один переход смещен в прямом направлении, а
другой - в обратном
оба p-n-перехода смещены в обратном
направлении
в прямом направлении включен эмиттерный
переход, а коллекторный - в обратном
коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер
- роль коллектора
вопрос
31

32.

База биполярного транзистора - это
1
2
3
4
средняя область в p-n-p структуре,
характеризуемая наименьшей концентрацией
примесей
крайняя область в p-n-p структуре биполярного
транзистора, используемая для инжекции
носителей
крайняя область в p-n-p структуре биполярного
транзистора, используемая для экстракции
крайняя область в p-n-p структуре,
характеризуемая наименьшей концентрацией
примесей
вопрос
32

33.

Газоразрядные индикаторы представляют
собой
1
2
3
4
газоразрядные диоды, содержащие один или
несколько катодов и анод
оптический квантовый генератор света
высокой направленности, монохромности и
когерентности
вакуумный триод, содержащий
прямоканальный катод, сетку и несколько
анодов, покрытых люминофором
микроэлектронное изделие, выполняющее
определенную функцию преобразования и
обработки сигнала
вопрос
33

34.

Динисторы, как правило, используются в
1
2
3
4
слаботочных импульсных устройствах
качестве активного элемента
усилительных схемах
схемах генерирования
вопрос
34

35.

Для полевого транзистора нет схемы
включения с общим (ей)
1
2
3
4
базой
затвором
истоком
стоком
вопрос
35

36.

1
2
3
4
Для улучшения свойств импульсных диодов при
их проектировании берется исходный материал
с
малым временем жизни носителей заряда и р-n
переход с малой площадью
большим временем жизни носителей заряда и
р-n переход с малой площадью
малым временем жизни носителей заряда и р-n
переход с большой площадью
большим временем жизни носителей заряда и
р-n переход c большой площадью
вопрос
36