Электровакуумный диод

1. Электровакуумный диод

A
K
подогреватель
1

2. Вольтамперная характеристика диода

Ia,mA
1
2
3
Ua,B
2

3. внутренняя проводимость или крутизна характеристики (A/B)

S
dI a
, приU K const
dU a
3

4. внутреннее дифференциальное сопротивление диода

dIa
Ri
, приUk const
dUa
1
Ri (Ом )
S
4

5. Графическое определение параметров диода

Ia,mA
dIa
Ua,B
dUa
5

6. параметрическое уравнение диода

S*R=1
6

7. вакуумный триод

А
С
К
подогреватель
7

8. Анодная характеристика

Ia
Uc=const
dIa
dUa
Ua
8

9. Анодно-сеточная характеристика

Ia
Ua=const
dIa
Uc
dUc
9

10. Параметры триода

• первая проводимость или крутизна
характеристики (А/В)
dIa
S
;Ua const
dUc
10

11.

• вторая проводимость (А/В)
dIa
Gi
;Uc const
dUa
11

12.

• внутреннее дифференциальное
сопротивление (Ом)
dUa
Ri
;Uc const
dIa
12

13.

• коэффициент усиления
dUa
, Ia const
dUc
13

14.

• параметрическое уравнение триода
SDRi 1, где D
1
14

15. Тетрод с катодной сеткой

А
катодная
сетка (+)
управляющая
сетка (-)
К
15

16. Тетрод с экранирующей сеткой

А
управляющая
сетка(-)
экранирующая
сетка(+)
К
16

17.

ВАХ тетрода с катодной сеткой (Uкc=10B)
Ia,mA
Uс=const
Ua,B
17

18.

ВАХ тетрода с экранирующей сеткой
Uэ=90В
Ia,mA область динатронного
эффекта
Uc=const
Ua,В
18

19. собственный полупроводник

+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
19

20. примесный полупроводник n-типа (P, As, Sb )

фосфор, мышьяк, сурьма
+4
+5
+4
+5
20

21. примесный полупроводник р-типа (Al, B, In)

алюминий, бор, индий
+3
+4
+4
+
+
+3
21

22. электронно-дырочный переход (p-n переход)

Евнутр
n-область
++
++
++
++
-
-
p-область
22

23. Зависимость высоты потенциального барьера от приложенного внешнего напряжения

Рис. а
Рис. б
Евнутр
n
Евнутр
p
+
-
+
Евнеш
n
-
+
+
p
-
Евнеш
23

24. вольтамперная характеристика p-n перехода

вольтамперная характеристика pn перехода
Iпр
U обр
I обр
U пр
φk
I обр
24

25. Емкость р-п перехода

С=dQ/dU
с
C бар
+U
-U
φk
25

26. Условное обозначение п/п диода

26

27. варикап

27

28. Вольт-фарадная характеристика варикапа

С, Ф
U,B
28

29. Параметры варикапа

Добротность варикапа
Q
Qc
P
29

30.

Коэффициент перекрытия по емкости
C max
Kc
C min
30

31.

Зависимость Qc
от частоты
Qc
Зависимость Qc от
обратного напряжения
Qc
3
1
f,МГц
Uобр,В
31

32. Стабилитрон

Условное обозначение
32

33.

ВАХ стабилитрона
I,mA
Uст
φk
U,B
Imax
33

34. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

dU
dA
Ri=dU/dA
34

35. Туннельный диод

Условное обозначение
35

36. ВАХ туннельного диода

I,mA
Imax
Imin
U1
U2
φk
U,B
36

37. Фотодиод

Условное обозначение
свет
37

38. ВАХ фотодиода

φk
I,mA
Iт
Ф=0
U,B
Uxx
Ф1
Ф2>Ф1
Iкз
38

39. Светодиод

свет
39

40. Спектральная характеристика светодиода

зеленый
красный
ИК
I
0,5
0,7
1,0
, мкм
40

41. Биполярный транзистор n-p-n

К
К
n
Б
Б
p
n
Э
Э
41

42. Биполярный транзистор p-n-p

К
К
p
Б
Б
n
Э
p
Э
42

43. Схема с общим эмиттером

p
n
Uбэ
Uкэ
p
43

44. Коэффициент передачи тока базы

i К
| U КЭ const
i Б
44

45. Коэффициент передачи тока эмиттера

i К
| U КЭ const
iЭ
45

46. Входные характеристики

IБ=f(UБЭ), при UКЭ=const
IБ
Uкэ=0
Uкэ 0
|Uкэ|1>|Uкэ|2
UБЭ
46

47. Выходные характеристики

IК=f(UКЭ), при IБ =const
IК
iБ3 > iБ2
1
3
iБ2> iБ1
iБ1>0
iБ=0
Uкэ
2
47

48. Характеристики передачи тока

IК=f(IБ), при UКЭ =const
48

49. Характеристики обратной связи по напряжению.

UБЭ =f(UКЭ), при IБ const
Uбэ
Iб2>Iб1
Iб1
Uбэ
Iб=0
Uкэ
Uкэ
49

50. Система h-параметров

• входное сопротивление
U БЭ
h11
| U КЭ const
I Б
50

51.

• коэффициент обратной связи
по напряжению
U БЭ
h12
| I Б const
U КЭ
51

52.

• коэффициент усиления по току
I К
h21
| U КЭ const
I Б
52

53.

• выходная проводимость
I К
h22
| I Б const
U КЭ
53

54. Полевой транзистор

С
З
С
З
И
n-канал
И
p-канал
54

55. Полевой (униполярный) транзистор

З
слаболегированные
области р-типа
p - тип
И
канал n - типа
С
р - тип
З
55

56. канал почти полностью перекрыт

З
канал п-типа
p - тип
И
С
р - тип
З
56

57. Выходные (стоковые) характеристики

Ic,mA
Uзи=0
Uзи=0,5В
Uзи=1,5В
Uзи=3В
Uиc,В
57

58. Стокозатворные характеристики

Ic,mA
Uзи,В
58

59.

• крутизна стокозатворной
характеристики
dIc
S
, приUc const
dUзи
59

60.

• внутреннее дифференциальное
сопротивление
dUис
R
, приUзи const
dIc
60

61.

• коэффициент усиления
dUис
, приIс const
dUзи
61

62.

Динистор
Тиристор
А+
А+
p
p
n
n
упр. электрод
p
p
n
n
К-
К62

63. Схема включения динистора

р
n
р
n
+ E 63

64. Эквивалентная схема включения

р
Б
n
К
Т1
р
Э
р
К
n
Б
+
n
Э
Т2
E
-
64

65.

ВАХ
I,mA
Imax
1
Iуд
2
Iвкл
3
Iзкр
4
Uоткр
Uвкл
U,B
65

66. Блок-схема усилителя

Источник питания
Источник
усиливаемого
сигнала
Усилительный
элемент
Нагрузка
66

67. коэффициенты усиления

Uвых
КU
Uвх
;
Iвых
КI
Iвх
Pвых
КP
Pвх
67

68.

Рвых
Рист
Uвх
Rвх
Iвх
;
Uвых
Rвых
Iвых
68

69.

К К1 К 2 ..... К n
К (дБ ) К1 К 2 ... К n
69

70. амплитудная характеристика

Uвых
3
U max
D
U min
2
1
Uвх
Umin
Umax
70

71. АЧХ

К
Ко
0,7Ко
f
fн
fв
71

72. ФЧХ

φ
fв
fн
f
72

73.

IВХ
UВХ1
UВХ2
IВЫХ
КU
RН
UВЫХ
UОС
β
73

74.

U ВЫХ
KU
U ВХ 2
U ОС
U ВЫХ
74

75.

К Uос
К Uос
U ВЫХ
U ВХ 1
КU
1 K U
75

76. Операционный усилитель

+ЕП
-ЕП
_
+
UВХ2
UВХ1
UВЫХ
76

77.

U ВЫХ (U ВХ1 U ВХ 2 )К
U ВЫХ U ВХ 2 К
U ВЫХ U ВХ1 К
(U ВХ 1 U ВХ 2 ) U ДИФ
77

78.

UВЫХ,В
10
8
6
4
2
UДИФ, мВ
2
4
6
8
10
Передаточная характеристика
78

79.

Iк
Iб
Iэ
Ек
Uвх
Rэ
Uвых
79

80.

ОУ
Uвх
Uвых
80

81.

Iвх = Iист.
Iн = Iк
Rи
Rн
Iб
Uвх
Еб
Ек
81

82.

Т1
Т2
Uвх
Rн
82

83.

А
А
рис. б
рис. а
f
f
fC
fC
А
А
рис. г
рис. в
f
f
f1
f2
f1
f2
83

84.

С1
R1
Uвх
R2
а
Ua
С2
(К-1)R
Uвых
R
84

85.

( К 1) R
К 1
R
85

86.

R1
C1
Uвх
С2
(К-1)R
R2
Uвых
R
86

87.

К1
К2
UВХ
C
i
87

88.

внешнее
управление
ус-во управл.
и контроля
ист. перв.
питания
источник
питания
сигналы
защиты и комм.
ус-во защиты
и коммутации
вторичный
ист. пит.
нагрузка
88

89.

U С U С / U С
U ВЫХ U ВЫХ / U ВЫХ
89

90.

от сети
50 Гц
трансформатор
сглаживающий
фильтр
выпрямитель
к нагрузке
стабилизатор
90

91.

D
Iвых
UД
UВХ
RН
UВЫХ
91

92.

D4
D1
D2
D3
Uвх
Iвых
Uвых
Rн
92

93.

Uвх
t
IД1, I Д1
t
93

94.

IД3, I Д4
t
Uвых
t
94

95.

D
UВХ
IД
С
RН
UВЫХ
95

96.

96

97.

97

98.

98

99.

99

100.

100

101.

101

102.

102

103.

103

104.

104