Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия

1.

Электрофизические свойства
барьеров Шоттки на
высокоомном арсениде галлия
Кутараев Алексей Александрович МТЭ-121
Основная цель работы: исследование вольтамперных характеристик и фотоэлектрических
свойств барьеров Шоттки на высокоомных
монокристаллах арсенида галлия
Слайд №1

2.

Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического
преобразователя
Слайд №2

3.

Рисунок 2 – Схема установки для измерения
вольтамперных характеристик барьеров
Шоттки
Слайд №3

4.

Рисунок 3 – Прямая ветвь ВАХ исследуемой структуры
Слайд №4

5.

Рисунок 4 – Обратная ветвь ВАХ исследуемой
структуры
Слайд №5

6.

Рисунок 5 – Зависимость тока структуры от
времени измерения
Слайд №6

7.

D 1 ,D 2 - 1 N 4148 , Q 1 - 2 T 801 A
A
M1
R2
10 K
Q1
LED
M2
A
D1
+
E1
20 V
R1
D2
STR
V
V1
+
E2
0 ..30 V
E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838);
Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр
(мультиметр Mastech MS8222H); LED – инфракрасный светодиод Kingbright L-53SF6;
STR – фотоприемник; V1 – вольтметр
Рисунок 6 — Электрическая схема измерительного стенда для измерения
семейства ВАХ фотоприемника при оптическом облучении
Слайд №7

8. а) б)

6
200
–1
Фото
ток,
мкА
250
–3
5
–2
150
4
То
к,
мк
А
3
100
2
50
0
1
0
1
2
3
Напряжение, В
4
5
6
0
0
1
2
3
Напряжение, В
4
5
1 – I = 1,00 (IF = 16 мА); 2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА); 3 – I = 0,04 (IF = 0,7 мА)
Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при различных
интенсивностях света (а) и ВАХ в отсутствие освещения (б)
Слайд № 8
6

9.

175
UФ=5 В
150
Фотот
ок,
мкА
125
100
75
50
25
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Интенсивность света относительно значения при токе
светодиода IF=16 мА
Рисунок 8 — Зависимость фототока от относительной интенсивности
света при напряжении UФ=5 В
Слайд № 9