Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)

1.

Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)
i
εs
i
2,4
1;
d > T ; q
n0 d f
1,5
t T t
;
t 6 – t 4 = t; n
1
q 0 1
d
1
εs
3
U0
t2
t4
t6
t
1
2
4
5
U
εs
n0
q d
f
t
i1
3
t
3
6
Рис. 44 в
Домена нет –
f не зависит от L, широкий
диапазон перестройки

2.

Эквивалентная схема диода Ганна
Ls
Rs
C0
R0
Cd
Rd < 0
Cp
Рис. 45 а

3.

Вариант конструкции диода Ганна
n+
Изол.
n- GaAs
In – Au
ДГ
Рис. 45 б

4.

Коаксиальный генератор на диоде Ганна
Pвых
U0
Uв
Варикап
ДГ
Рис. 46 а

5.

Эквивалентная схема перестраиваемого генератора
Gd < 0
Cd
Cв
Рис. 46 б
Gн
Lэ

6.

Микрополосковый генератор на диоде Ганна
Тр.
Pвых
d
c
ДГ
ДГ
U0
Рис. 47 а

7.

Эквивалентная схема микрополоскового генератора
Rs
Cd
Rd < 0
Ls
Тр.
C
Cp
Zc
L
Диод
d
Корпус
Резонатор
Рис. 47 б
c

8.

Параметры диодов Ганна (фирма RCA, США)
f, ГГц
P, Вт
, %
Коэф.
заполн.
Режим
1,75
6000
15
6·10-6
ОНОЗ
2,0
200
29
10-3
домен.
7,0
2000
5
6·10-6
ОНОЗ
8,15
60
22
10-4
домен.
10,5
1,4
10,8
непр.
домен.
16,0
150
6
6·10-6
ОНОЗ
20,0
0,5
3
непр.
домен.
50,0
0,4
9
10-5
ОНОЗ
80,0
0,02
2
непр.
ОНОЗ
Рис. 48