Диоды Ганна

1.

2.

3.

4.

5.

6. Структура зоны проводимости арсенида галлия

7. N-образная вольт-амперная характеристика

8. Устройство диодов Ганна

Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм.
На торцы кристалла нанесены металлические контакты.

9.

10.

11.

12. Генерация СВЧ ‑ колебаний в диодах Ганна  

Генерация СВЧ - колебаний в
диодах Ганна

13. Образование доменов сильного поля

14. Ток во внешней цепи

15. Режимы работы диодов Ганна

16. Режимы работы ДГ

17. Доменный режим

18. Пролетный режим

19. Режим с задержкой

20. Режим с гашением

21. Мощность генерируемых СВЧ - колебаний

Мощность генерируемых СВЧ колебаний
E
1
P U z E l z
~ 2
2
zf
f
2
2
2
2 2
• зависит от полного сопротивления z
• площади рабочей части высокоомного
слоя полупроводника.

22. Примеры зависимости диодов Ганна

а) типичная зависимость генерируемой диодом Ганна
мощности от приложенного напряжения; б) зависимость
генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного
напряжения и температуры

23. Электрические параметры КПД зависит от частоты

f, ГГц
КПД
<20
10-12%
20<f<40
5-6%
40<f<90
2-3%
Низкий КПД связан с нагревом!

24. Выходная мощность

• Pвых f = A
Где А- допустимый перегрев структуры
Типовые мощности:
*1 – 2Вт при КПД до 14%;
*f60-100Гц-до 100мВт

25. Недостатки диодов Ганна

• Низкий КПД
• Малый срок службы

26. Эквивалентная схема диода Ганна

27.   ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДГ К ИСТОЧНИКУ ПИТАНИЯ

ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДГ К ИСТОЧНИКУ
ПИТАНИЯ

28. КЕ-16-1 Хворостова Ярослава Олеговна

Спасибо за
Внимание )
КЕ-16-1
Хворостова
Ярослава Олеговна