CaSO4 кристаллының ас жазықтығына проекциясының құрылымдық моделі

1. Иондaушы сәулелермен сәулелендірген CaSO4:Tb3 кристaлының рекомбинациялық процесстердің негізгі параметрлері Ет активация

ИОНДAУШЫ СӘУЛЕЛЕРМЕН
СӘУЛЕЛЕНДІРГЕН CASO4:TB3
КРИСТAЛЫНЫҢ РЕКОМБИНАЦИЯЛЫҚ
ПРОЦЕССТЕРДІҢ НЕГІЗГІ
ПАРАМЕТРЛЕРІ ЕТ АКТИВАЦИЯ
ЭНЕРГИЯСЫ МЕН Р0
ЖИІЛІКТІК
ФАКТОРЛАРЫН ЕСЕПТЕУ
Ғылыми жетекші: Пазылбек С.А.- PhD

2. CaSO4 кристаллының ас жазықтығына проекциясының құрылымдық моделі

3. Бұл жұмыста зерттеу объектісі ретінде сирек жер ионы Tb3+ белсендірілген кальций сульфаты CaSO4 люминофоры алынды. Люминофор

матрица
ерекшеіктерін ескеріп қатты фазалық реакция әдісімен
Тарту университетінің физика институтында
синтезделген. CaSO4 кальций сульфаты минералогияда
«ангидрит» деп аталады. Ангидрит (гр.тілінен алғанда
«суы жоқ») түссіз кристалл, тығыздығы 2,96 г/см³,
балқу температураы 1450°C. 1-суретте CaSO4
кристаллының құрылым модельі көрстілген.
Тарту университетінде жасалған
эксперименттердіңсандық нәтижелерін origin lab
бағдарламасының көмегімен өңделіп графиктік түрге
келтіріп, кристалдың ТЫЛ алынды. Сәулелендіру үшін
Ваккумдық ультра күлгін сәуле (9,9 эВ), тіркеу үшін
фотоэлектрондық үдеткіш колданылды. Зерттеу обьектісі
вакумда орналаскан.

4.

5. Температурасы 295 K кезінде алдын ала 9,90,1 эВ фотондармен сәлелендірілген CaSO4:Tb3 фосфоры үшін өлшенген ТЫЛ қисығы.

Температурасы 295 K кезінде алдын ала 9,9 0,1 эВ
фотондармен сәлелендірілген CaSO4:Tb3 фосфоры үшін
өлшенген ТЫЛ қисығы. Қыздыру жылдамдығы 2 K/c
I, с.б
TSL
intensity
энергиясы,
эВ
Ea активация
Activation
energy Ea, eV
3
1017
2.0
2
1015
1.5
1013
1.0
1011
1
0.5
0.0
350
109
400
450
500
550
600
Frequency
factor, pс0-1, s-1
р0 жиіліктік
фактор,
1019
2.5
650
Т, К
Temperature,
K
1 - 1,8 4,0 эВ жарық шығаруы; 2 - Ea активация энергиясы шамасы; 3 p0 жиіліктік фактор

6. ТЫЛ шың қисығының бастапқы көтерілуін ескеріп есептеу әдісі Бұл жағдайда есептеу қисықтың бастапқы көтерілуі бойынша

жүргізіледі, ол кезде S қисығының астындағы аудан өзгерісін
ескермеген (яғни кармаушыдағы электрондар саны),
ln I ≈ (-ET/ kT)

7. 2б суретте бейнеленген х координатадағы түзу теңдеуі (5) формула түрінде болады: ln (J(T)/n)= (-ET/ kT)+ ln p0/ β (5) мұндағы n

T температура кезіндегі қармаушы
орталықтарының концентрациясы; р0 жиілік
факторы; β қыздыру жылдамдығы
а қармаушы тереңдігі ET; б көлбеу түзудің тангенс бұрышы ln
(J(T)/n)= f (1/T)
ТЫЛ шыңының толық қисығын бойынша есептеу әдісі
термоынталандырылған люминесценция (ТЫЛ
термоынталандырылған люминесценция (ТЫЛ)

8. CaSO4:Tb3 фосфорында электрондар үшін терең қармаушылар болып қоспалық иондар Tb3 атқарады. ~660 K облысындағы температурада

CaSO4:Tb3 фосфорында электрондар үшін
терең қармаушылар болып қоспалық
иондар Tb3 атқарады. ~660 K
облысындағы температурада кемтік үлкен
жылдамдықпен секірмелі диффизияға ие
болып кеңістікте алыс жатқан жеке
электрондық Tb3 орталықтарымен
рекомбинацияланады. Осындай
рекомбинацияның есебінен бөлінетін
энергия Tb3 қозған күйге әкеледі. Оның
негізгі күйге өтуі кезінде тербилік жарық
шығаруы байқалады