Лекция 3 Биполяярные транзисторы

1.

Лекция 3
Тема: БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ПЛАН
3.1 Структурная схема и условно-графическое обозначение БТ
3.2 Принцип работы БТ
3.3 Расчет режима покоя усилительного каскада на биполярном
транзисторе

2.

Биполярный транзистор (БТ)
электропреобразовательное
полупроводниковое устройство, состоящее
из трех областей с чередующимися
электропроводностями, предназначенное
для усиления мощности

3.

Классификация БТ
Э
Э
Э
Э
тип
тип

4.

База
(Б)
–
средний
слой,
служит
для
регулирования ширины запорного слоя.
Эмиттер (Э) – внешний слой, который является
источником носителей зарядов (электронов и
дырок), которые, главным образом, и образуют
ток устройства.
Коллектор (К) – принимает носители зарядов,
которые приходят от эммитера.

5.

Схемы включения БТ:
с общим эмиттером (ОЭ),
с общийм базой (ОБ),
с общим коллектором (ОК)

6.

Основные параметры:
входное сопротивление транзистора
U бэ
Rв х
100 1000Ом
I б
выходное сопротивление транзистора
U кэ
Rвых
100 1000кОм
I к

7.

коэффициент передачи по току с
общей базой
Iк
0,9 0,99
Iэ
коэффициент усиления транзистора
по схеме с общим эммитером
Iк
10 1000
Iб

8.

Режимы работы транзистора:
1)отсечки (закрытый транзистор);
2) активный (усиление тока);
3) насыщения (открытый транзистор, UКЕ <
UБЕ).

9.

Биполярные
транзисторы
управляются
током.
Управление осуществляется при условии подачи тока на
базу транзистора. Если ток на базу транзистора не
подается, тогда транзистор находится в режиме отсечки и
сопротивление
между
коллектором
и
эмиттером
приближается к бесконечности. Если перед этим режимом
транзистор был в режиме насыщения, тогда на базе будет
обратный ток (незначительный) – ток рассеивания зарядов.
При
подаче
тока
активный режим.
на
базу
транзистор
переходит
в

10.

Строение БТ
1 – кристалодержатель;
2 – коллекторный переход;
3 – база;
4 – вывод базы;
5 – вывод эмиттера;
6 – эмиттер;
7 – эмиттерный переход;
8 – коллектор;
9 – вывод коллектора.

11.

БТ с общим эмиттером
Выходная
Входная
Iк=f(Uкэ)
Iб=f(Uбэ)
Э
Uбэ
Uкэ

12.

БТ с общей базой
Э
Выходная
Входная
Iк=f(Uкб)
Iб=f(Uбэ)
Uбэ
Uкб

13.

БТ с общим
коллектором
Выходная
Э
Входная
Iк=f(Uкэ)
Iб=f(Uбэ)
Uбэ
Uкэ

14.

Сравнительная характеристика
схем включения БТ
Общая база
Общий
эмиттер
Общий
коллектор
Коэф. усиления
по току Кі
ɑ<1
β=10…200
десятки раз
Коэф. усиления
по напряжению
Кu
до нескольких
сотен
до нескольких
сотен
0,9…0,95
Коэф. усиления
по мощности Кр
до нескольких
сотен
до нескольких
тысяч, десятков
тысяч
десятки раз
Входное
сопротивление
единицы-десятки
Ом
сотни Ом
десятки кОм
Выходное
сопротивление
сотни кОм
десятки кОм
до 1…2 кОм

15.

Биполярные транзисторы