Базовые понятия кристаллохимии

1.

Базовые понятия кристаллохимии

2.

Основные определения кристаллохимии.
К понятию межплоскостного расстояния в кристалле
2

3.

3

4.

4
P – примитивная, С – базоцентрированная,
I – объемноцентрированная, F – гранецентрированная

5.

Обозначение кристаллографических плоскостей
Прямые и плоскости, проходящие через узлы пространственной решетки,
называют соответственно узловыми прямыми и плоскостями.
Под кристаллографическими индексами плоскости (индексами Миллера)
понимают три простых целых числа h, k, l, обратно пропорциональных
отрезкам, отсекаемых любой плоскостью данного семейства на
кристаллографических координатных осях х, у, z
5

6.

Расстояние между парой соседних плоскостей из семейства (hkl)
называется межплоскостным расстоянием и обозначается dhkl . Оно
измеряется по нормали к плоскости и зависит от значений параметров
элементарной решётки.

7.

8.

Условие наблюдения дифракции – закон Брегга-Вульфа
nλ = 2dhkl sinΘ
n – порядок отражения, целое число, λ – длина волны