15.78M
Category: chemistrychemistry

Дефекты структуры

1.

Дефекты структуры
Комогорцев С.В. (2020)

2.

• Точечные, или нульмерные, дефекты — нарушения
периодичности в изолированных друг от друга точках решетки;
во всех трех измерениях они не превышают одного или не
скольких междуатомных расстояний (параметров решетки).
Точечные дефекты — это вакансии, атомы в междоузлиях,
атомы в узлах «чужой подрешетки, примесные атомы в узлах
или междоузлиях.
• Линейные дефекты—одномерные, т. е. протяженные в одном
измерении: нарушения периодичности в одном измерении
простираются на расстояния, сравнимые с размером кристалла,
а в двух других измерениях не превышают нескольких
параметров решетки.Специфические линейные дефекты — это
дислокации. Кроме того, неустойчивые линейные дефекты
могут возникать из цепочек точечных дефектов.
• Поверхностные, или двумерные, дефекты простираются в
двух измерениях на расстояния, сравнимые с размером
кристалла, а в третьем — составляют несколько параметров
решетки. Таковы плоскости двойникования, границы зерен и
блоков, стенки доменов, дефекты упаковки и, наконец, сама
поверхность кристалла.
• Объемные, или трехмерные, дефекты — это пустоты, поры,
частицы другой фазы, включения.

3.

Точечные дефекты
Вакансии

4.

Энергия Гиббса в зависимости от
концентрации вакансий Xv

5.

Энтальпия материала возрастает с
ростом концентрации вакансий Xv
DHv удельная энтальпия образования индивидуальной вакансии

6.

Зависимость энтропии от концентрации
вакансий Xv

7.

Энергия Гиббса в зависимости от
концентрации вакансий Xv

8.

Экспериментальное
измерение
количества
вакансий на основе
эффекта теплового
расширения
Simmons and Balluffi (1960)

9.

Экспериментальное исследование вакансий по
остаточному сопротивлению закаленного образца
(T )
(T ) res therm
T
DGv

10.

STM Image of Point Defects
STM image of a Pt surface.
Vacancies are clearly visible.
Ga vacancy in GaAs
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/kap_4/illustr/g4_2_4.html

11.

Точечные дефекты
Атомы в междоузлиях, атомы в узлах «чужой
подрешетки, примесные атомы в междоузлиях.

12.

Деформация решетки вблизи
точеных дефектов

13.

Где разместится атому
внедрения в ГЦК решетке?

14.

Влияние точечных дефектов на
некоторые свойства материалов
-Плотность материала уменьшается при возрастании
концентрации вакансий
-Диффузия в кристаллах
-электропроводность кристалла
-В примесных полупроводниковых кристаллах
проводимость определяется концентрацией примесных
точечных дефектов и их валентной структурой. (один
атом бора на 105 атомов, в моно кристалле кремния
повышает электропроводность кремния в 103 раз (при
комнатной температуре).

15.

Центры окраски
Различные дефектнопримесные центры структуры
кристаллов алмаза являются
причиной разной окраски.

16.

Методы управления количеством
вакансий

17.

Дислокации

18.

Какое напряжение требуется для начала
пластической деформации ?
Модель №1

19.

20.

Дислокации

21.

Элементарный акт пластичекой
деформации (модель №2)

22.

Элементарный акт пластичекой
деформации для краевой и винтовой
дислокаций

23.

Вектор Бюргерса
краевая дислокация

24.

Вектор Бюргерса
винтовая дислокация

25.

Взаимодействие дислокаций

26.

Малоугловая граница как
скопление дислокаций

27.

Перестройка и
упорядочивание
дислокационной
структуры
металлов
Схема
трансформации
дислокационной
структуры при
полигонизации

28.

Наблюдение дислокаций

29.

30.

Ряды дислокаций в плоскостях скольжения в
кристалле LiF, выявленные. методом
травления. Косые ряды — краевые дислокации,
вертикальный ряд — винтовые

31.

32.

Некоторые характерные типы дислокационных структур
наблюдаемые при активной деформации металлов и
сплавов:
a) хаотическое распределение дислокаций; б) скопления

33.

Некоторые характерные типы дислокационных структур
наблюдаемые при активной деформации металлов и
сплавов:
в) сетчатая субструктура; г) неразориентированные ячейки

34.

Некоторые характерные типы дислокационных структур
наблюдаемые при активной деформации металлов и
сплавов:
a) микрополосовая структура; б) фрагментированная

35.

36.

Fourier-filtered (110) cross-sectional HRTEM image of 608 Ã… thick
GaAs0.5Sb0.5 film. Apparent in the image are one 60º dislocation and
a Lomer misfit dislocations.
(http://www.mse.engin.umich.edu/research/highlights/39)

37.

Дислокации и рост кристалла

38.

39.

Размножение дислокаций

40.

Размножение дислокаций

41.

Прочность можно увеличить уменьшив
количество дислокаций. Усы.

42.

Закрепление дислокаций
Прочность можно
увеличить уменьшив
подвижность
дислокаций.

43.

Кривая Одинга
критическая плотность
дислокаций
~ 105 – 107 m-2

44.

Групповой портрет

45.

Моделирование дефектов в
двумерном кристалле

46.

bubble raft

47.

bubble raft

48.

Двумерные дефекты. Границы.

49.

Grains in a bubble raft

50.

51.

52.

53.

54.

High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM) Image of
a Grain Boundary Film in Strontium-Titinate

55.

56.

Межфазные границы

57.

58.

59.

60.

Благодарю за внимание!
English     Русский Rules