Полевые транзисторы. Самостоятельная работа

1.

Полевые транзисторы
Подготовил :Аширалиев Азизбек

2.

Определение, принцип действия
Униполярный (полевой) транзистор –
полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока
производится изменением проводимости проводящего
канала помощью электрического поля.
Оба названия транзистора отражают его особенности:
прохождение тока в канале обусловлено одним типом зарядов –
униполярный; управление током канала осуществляется
электрическим полем – полевой.
Электроды полевого транзистора называются:
• исток (англ. source) — электрод, из которого в
канал входят основные носители заряда;
• сток (англ. drain) — электрод, через который из
канала уходят основные носители заряда;
• затвор (англ. gate) — электрод, служащий для
регулирования поперечного сечения канала.

3.

4.

5.

Маркировка полевых транзисторов

6.

Классификация полевых транзисторов

7.

Полевой транзистор с управляющим p-nпереходом
Полевой транзистор с управляющим p-nпереходом – полупроводниковый прибор, в
котором проводимостью канала можно
управлять, подавая напряжение на
закрытый р-n-переход

8.

Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
приведена на рисунке.
IЗ
ЕЗИ
Канал n-типа
С
З
З
IИ
p
И
Канал
С
И
RС
n
Р
IС
UСИ
UСИ>0, UЗИ<0,
Канал р-типа
С
ЕС
З
И

9.

Схемы включения полевых транзисторов

10.

Uc=const
Когда суммарное напряжение достигнет напряжения запирания:
ширина канала уменьшится, а его сопротивление возрастет. При определенном
значении UЗИ, которое называется напряжением отсечки, ток стока практически не
протекает.
Определение: Напряжением отсечки называется значение напряжения затвористок, при котором ток стока практически равен 0.

11.

МДП (МОП) транзистор
Определение:
Полевой
транзистор
с
изолированным затвором – транзистор, электрод
затвора
которого
изолирован
от
полупроводникового канала слоем диэлектрика из
двуокиси кремния SiO2.
Полевой транзистор с
изолированным затвором и
встроенным каналом
Полевой транзистор с
изолированным затвором и
встроенным каналом

12.

Стоковые (выходные) характеристики
UЗИ=1 В
режим
обогащения
UЗИ=0,5 В
IС
UЗИ=0
режим
обогащения
UЗИ= – 1 В
UСИ
Режим
обеднения
обеднения
UЗИ = – 0,5 В
Режим
IС
UЗИ отс
UЗИ

13.

Полевой транзистор с
изолированным затвором и
индуцированным каналом

14.

Стоковые характеристики