170.10K
Categories: physicsphysics electronicselectronics

Расчет H параметров транзистора

1.

Расчетно-графическая работа по теме:
«Полупроводниковые приборы»
Расчет h- параметров транзисторов

2.

Статические характеристика биполярного транзистора
Для схемы с общим эмиттером
Входная характеристика
Выходная характеристика
iВХ f (u ВХ ), при _ u ВЫХ const
iВЫХ f (u ВЫХ ), при _ iВХ сonst
iБ f (u БЭ ), при _ u КЭ const
iК f (u КЭ ), при _ iБ сonst

3.

h- параметры определяемые по входным характеристикам
1 ) h11- входное сопротивление транзистора
для переменного сигнала. Определяется по
входным характеристикам транзистора при
постоянном напряжении UКЭ.
h11
U ВХ U БЭ
I ВХ
I Б
при ΔUКЭ= ΔUВЫХ=0
2) h12- коэффициент обратной связи по
напряжению. Определяется по входным
характеристикам транзистора при
постоянном токе IБ.
U БЭ
U ВХ
h12
при ΔI Б=0
U ВЫХ U КЭ
h- параметры определяемые по выходным характеристикам
3) h21- коэффициент передачи по току.
Определяется
по
выходным
характеристикам
транзистора
при
постоянном напряжении UКЭ.
I вых I К
h21
I вх I Б
при ΔUКЭ=0
h22выходная
проводимость.
Определяется
по
выходным
характеристикам
транзистора
при
постоянном токе IБ.
I вых
I К
h22
U вых U КЭ
при ΔIБ=0

4.

при ΔUКЭ= ΔUВЫХ=0
h11
U ВХ U БЭ
I ВХ
I Б

5.

U БЭ
U ВХ
h12
U ВЫХ U КЭ
при ΔI Б=0

6.

I вых I К
h21
I вх I Б
при ΔUКЭ=0

7.

I вых
I К
h22
U вых U КЭ
при ΔIБ=0

8.

Линии нагрузки биполярного транзистора.
Определение рабочей точки.
Уравнение линии нагрузки для
входной характеристики
Уравнение линии нагрузки для
выходной характеристики
ЕБ iБ RБ uБЭ
ЕК iК RК uКЭ
iБ 0 u БЭ Е Б
iК 0 u БЭ ЕБ
u БЭ
E
0 iБ Б

u КЭ 0 iК


English     Русский Rules