Электронные устройства мехатронных и робототехнических систем

1.

Усилительный каскад по схеме с общим истоком
Отличия полевого транзистора
от биполярного транзистора
• Большое входное сопротивление
• Меньший коэффициент шума
• Большая собственная температурная
стабильность режим покоя
• Как правило меньший коэффициент
усиления по току

2.

Последовательная ООС по току в схеме с ОИ
RЗС
З
С
CЗ
UЗИ
Ri
CЗС
RЗИ
CСИ
SUЗИ
И
I С SU ЗИ
K
b
U вых
Ri
U
U вых I С RC SU ЗИ вых RC
Ri
U вых U вых
U R
SRC вых C SRC
U вх U ЗИ
U ЗИ Ri
U ОС I C RИ RИ
U вых I C RC RC
K ООС
K
1 bK
SRC
1 SRC
RИ
RC
SRC
1 SRИ
RИ
U ЗИ
IC

3.

Эмиттерный и истоковый повторители
K ООС
K
K
b 1
1
1 bK
1 K
Uвх ООС Uвх UОС Uвх I Э RЭ Uвх h21I Б RЭ
Rвх ООС
U вх ООС
I вх
U вх h21 I Б RЭ
h11 h21 RЭ
I вх
I вх
Rвх ООС RСМ
Rвых ООС
1
S

4.

Источники тока на биполярных транзисторах
RН MAX
U П U БЭ I Б 0
h21 I Б 0
RН RН MIN 0
I K h22 U П U БЭ I Б 0
h22
I ВЫХ
U ВЫХ
I ВХ 0
- выходная
проводимость
при холостом ходе
во входной цепи

5.

Схемы стабилизации напряжения эмиттерного перехода в схеме с ОЭ
I K I Б h21
IЭ
U RЭ
RЭ
I Б h21 1
U RЭ U д U БЭ
IK
h21
h U д U БЭ
I Э 21
h21 1
h21 1 RЭ

6.

I
2U
U rд
rд U
Уменьшается
сопротивление
вследствие
параллельного
включения
диода
и
эмиттерного pn-перехода транзистора
Uд0
rд U д U д 0
2
i
I
Uп
Rсм
U
Uд0
U Uд
i
П
UП
UП
Rсм
rд U П U д
U д U д0
2 Rсм
i
Uд
Uп
U П Uд U П U П Uд
U П Rсм
Rсм
UП
rд
U д 0 Rсм
2
r
Rсм д
2
Uд
i
U П Uд
Rсм
U П Rсм U П
rд
r
U П д U д 0 Rсм
U U д0
1
2
2
П
r
r
Rсм
Rсм д
Rсм д
2
2
I K h21 I Б h21
i h21 U П U д 0
r
2
2
Rсм д
2

7.

Источники тока на полевом транзисторе
Диапазон изменения сопротивления нагрузки
U П U СИ нас
I C зад
Rн 0

8.

Источники постоянного напряжения
• Использовать прямую или обратную ветвь ВАХ полупроводникового
прибора в области электрического пробоя
• Использовать источник постоянного тока с резистором,
обладающим неизменным сопротивлением
U вых I ИТ Ri
U вых I ИТ
U вых I ИТ
U вых
Ri Rн
Ri Rн
Ri Rн
I ИТ Rн
Ri Rн
R R
1 н н
Ri Rн
U вых cтабильность , когда Ri , Rн , Rн

9.

Rвх ЭП h11 h21Rн Ri
U вых
Ri Rн
Ri Rн h21 1 Rн