Транзисторы

1. Транзисторы

Курс «Электроника и информационно-измерительная техника»
Лектор: Зализный Д.И.
Лекция 4
Транзисторы

2.

Триод - предшественник транзистора

3.

1947 год
сотрудники Bell Telephone Labs
Уолтер Браттейн
Джон Бардин
Уильям Шокли

4.

Транзистор это самый главный элемент
в электронике!
Transistor = transfer + resistor

5.

6.

7.

Транзисторы
Биполярные
Биполярно-полевые
Полевые

8.

Биполярные транзисторы

9.

Биполярные транзисторы
p-n-p
Iк
n-p-n
Коллектор
База
База
Iб
Iб
Iэ
Эмиттер
Iк
Коллектор
Iэ
Эмиттер
КТ3102

10.

Внутренняя структура биполярного транзистора типа p-n-p
Дырка
Электрон
Положит. ион
Отрицат. ион
Эмиттер
База
Коллектор
р-слой
n-слой
р-слой
ЭДС1
ЭДС2
Анимация

11.

Соотношения между токами в биполярном транзисторе
I э I к I б ;
I к I б .

12.

Основные параметры биполярного транзистора:
I к.макс
U кэ.макс
Pк.макс
h2.1.э
Iк
Iб
максимальный ток коллектора
максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер
максимальная рассеиваемая мощность
коэффициент передачи тока коллектора

13.

Транзистор 2SA1930(Q) Toshiba
Эмиттер
Коллектор
База
I к.макс = 2 А
Pк.макс
U кэ.макс
h2.1.э
= 180 В
= 2 Вт
= 100

14.

Проверка транзистора с помощью мультиметра
n-p-n
p-n-p

15.

Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
Входная ВАХ
Iб
Выходные ВАХ
Насыщение
Iк
I б.1 I б.2 I б.3 I б.4 I б.5
I б.5
I б.4
I б.3
Нормальный
режим
I б.2
Отсечка
U бэ
I б.1
U кэ

16.

Мультивибратор на транзисторах
R1
300
R2
10 к
R3
10 к
R4
300
+
HL1
АЛ102
VT1
КТ3102
C1
10 мк
+ -
C2
10 мк
- +
HL 2
АЛ102
VT 2
КТ3102
5В
-

17.

Полевые транзисторы

18.

MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

19.

MOSFET
p-канал
n-канал
Сток
Затвор
Сток
Затвор
Исток
Исток

20.

Внутренняя структура MOSFET с n-каналом
Дырка
Электрон
+Затвор
Сток
Исток
+
n
Диэлектрик
-
n
p
p
Полупроводник
Подложка

21.

Вольт-амперные характеристики MOSFET с n-каналом
Входная ВАХ
Ic
Появление
канала
Выходные ВАХ
I c
Iс
U зи.1 U зи.2 U зи.3 U зи.4 U зи.5
U зи.5
U зи
U зи.4
U зи.3
U зи.2
U зи.1
U зи
Крутизна стоко-затворной характеристики
I c
, при U си const .
S
U зи
U си

22.

Биполярно-полевые транзисторы

23.

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor

24.

Условное обозначение IGBT
Коллектор
Затвор
Эмиттер
Схема замещения IGBT
Коллектор
Затвор
Эмиттер

25.

Транзистор FGH60N60SMD
Эмиттер
Коллектор
Затвор
I к.макс = 120 А
U кэ.макс
= 600 В
Pк.макс
= 600 Вт