Similar presentations:
Электрический ток в полупроводниках
1. Электрический ток в полупроводниках
2.
1. Полупроводники2. Какие вещества относятся к полупроводникам?
3. Чистые полупроводники. Собственная
проводимость.
4. Полупроводники с примесями: донорная примесь.
5. Полупроводники с примесями: акцепторная
примесь.
6. Зависимость сопротивления полупроводника от
температуры.
7. Полупроводниковый диод.
8. Вольтамперная характеристика
полупроводникового диода.
9. Полупроводниковые приборы.
3. 1. Полупроводники.
1. У полупроводников с повышениемтемпературы увеличивается проводимость,
уменьшается электрическое сопротивление.
4. “Свободный”
5.
2. Если энергия фотона Ꝺф больше, чем энергиясвязи Ꝺg, световой квант способен выбить
связанный электрон с орбиты и превратить в
свободный электрон.
При образовании свободного электрона у
полупроводника появляется две возможности
проводить ток:
• Движение свободного электрона под действием
внешнего электрического поля.
• Направленное перемещение электронов с
соседних орбит на место освободившейся пустой
связи. (Этот механизм электропроводности
удобнее описывать как движение фиктивной
частицы, дырки, в направлении,
противоположном движении электронов).
6. “Дырка”
7.
• Процесс перемещения положительногоэлектрического заряда, называемого дыркой.
• При помещении кристалла в электрическое поле
возникает упорядоченное движение дырок дырочный ток проводимости.
8.
3.“Дырка”(пустотная связь)- вакантное электронноесостояние в кристаллической решетке, имеющее
избыточный положительный заряд.
“Дырка” может хаотически перемещаться между
атомами решетки.
“Дырка” имеет положительный заряд, в точности
равный по абсолютной величине заряду электрона.
“Дырка” и электрон могут существовать в переделах
10−10 до 10−2 с.
Когда свободный электрон занимает место на
свободной траектории межатомной связи, свободный
электрон и дырка одновременно исчезаю. Такой
процесс называют рекомбинацией.
9. Определение полупроводника.
• Полупроводниками назвали класс веществ, укоторых с повышением температуры
увеличивается проводимость, уменьшается
электрическое сопротивление. Этим
полупроводники принципиально отличаются от
металлов.
• В идеальном полупроводниковом кристалле
электрический ток создается движением равного
количества отрицательно заряженных
электронов и положительно заряженных дырок.
Проводимость в идеальных полупроводниках
называется собственной проводимостью.
10. 2. Какие вещества относятся к полупроводникам?
11.
3А3
4
5
6
7
4А
5А
6А
12. 3.Чистые полупроводники.
13. Чистые полупроводники
14.
15.
16. 4.Полупроводники с примесями: донорная примесь.
17.
Электрический ток в полупроводникахСобственная проводимость полупроводников явно недостаточна для технического
применения полупроводников.
Поэтому для увеличение проводимости в чистые
полупроводники внедряют примеси (легируют) , которые бывают донорные и акцепторные.
Донорная примесь(от negative –
отрицательный) - примесь имеющая на внешней
электронной оболочке больше электронов, чем у
данного полупроводника (n-типа).
Полупроводники n-типа – полупроводники,
имеющие донорные примеси, обладающие
большим числом электронов( по сравнению с
числом дырок).
Например – мышьяк(As): 5е на внешней
оболочке и 1е не занят в ковалентной связи. В
полупроводнике n-типа электроны являются
основными носителями зарядов, а «дырки» неосновными Nе > Nдыр.
18. 5.Полупроводники с примесями: акцепторная примесь.
19. Акцепторные примеси
Акцепторные примеси – примеси, которые имеют на внешней электронной оболочкеменьше электронов, чем у данного полупроводника (p-типа).
Полупроводник p-типа (от positiv – положительный)
–полупроводник, у которого дырочная проводимость
преобладает над электронной.
Например – индий(In): 3е на внешней оболочке и 1е не
хватает. Основными носителями в полупроводнике pтипа являются «дырки», а неосновными – электроны.
Nдыр. > Nе .
20. 6.Зависимость сопротивления полупроводника от температуры.
21.
22.
23. 7.Полупроводниковый диод.
24. Полупроводниковый диод
Полупроводниковый диод – это нелинейныйэлектронный прибор с двумя выводами. В
зависимости от внутренней структуры, типа,
количества и уровня легирования внутренних
элементов диода и вольт-амперной
характеристики свойства полупроводниковых
диодов бывают различными.
25.
26. Обозначение
27.
28. 8. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
29. Вольт амперная характеристика полупроводникового диода
30.
31. 9.Полупроводниковые приборы
32.
• Стремительное развитие ирасширение областей применения
электронных устройств обусловлено
совершенствованием элементной
базы, основу которой
составляют полупроводниковые
приборы Полупроводниковые
материалы по своему удельному
сопротивлению (ρ=10-6 ÷ 1010 Ом•м)
занимают промежуточное место
между проводниками и
диэлектриками.
33.
Основными материалами дляпроизводства
полупроводниковых приборов
являются:
кремний (Si),
карбид кремния (SiС),
соединения галлия и индия.
34.
• Для изготовления электронных приборов используюттвердые полупроводники, имеющие кристаллическое
строение.
• Полупроводниковыми приборами называются
приборы, действие которых основано на
использовании свойств полупроводниковых
материалов.
35. Полупроводниковые диоды
Это полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом
и двумя выводами, работа которого основана на
свойствах p-n - перехода.
Основным свойством p-n – перехода является
односторонняя проводимость – ток протекает
только в одну сторону. Условно-графическое
обозначение (УГО) диода имеет форму стрелки,
которая и указывает направление протекания тока
через прибор.
Конструктивно диод состоит из p-n-перехода,
заключенного в корпус (за исключением
микромодульных бескорпусных) и двух выводов: от pобласти – анод, от n-области – катод.
Т.е. диод – это полупроводниковый прибор,
пропускающий ток только в одном направлении –
от анода к катоду.
Зависимость тока через прибор от приложенного
напряжения называется вольт-амперной
характеристикой (ВАХ) прибора I=f(U).
36. Транзисторы
• Транзистор - это полупроводниковыйприбор, предназначенный для усиления,
генерирования и преобразования
электрических сигналов, а также
коммутации электрических цепей.
• Отличительной особенностью
транзистора является способность
усиливать напряжение и ток действующие на входе транзистора
напряжения и токи приводят к
появлению на его выходе напряжений и
токов значительно большей величины.
• Свое название транзистор получил от
сокращения двух английских слов tran(sfer)
(re)sistor - управляемый резистор.
Транзистор позволяет регулировать
ток в цепи от нуля до максимального
значения.
37.
• Классификация транзисторов:• - по принципу действия: полевые (униполярные), биполярные,
комбинированные.
• - по значению рассеиваемой мощности: малой, средней и большой.
• - по значению предельной частоты: низко-, средне-, высоко- и
сверхвысокочастотные.
• - по значению рабочего напряжения: низко- и высоковольтные.
• - по функциональному назначению: универсальные, усилительные,
ключевые и др.
• - по конструктивному исполнению: бескорпусные и в корпусном
исполнении, с жесткими и гибкими выводами.
38.
• В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работатьв трех режимах:
• 1) Активный режим - используется для усиления электрических сигналов
в аналоговых устройствах. Сопротивление транзистора изменяется от
нуля до максимального значения - говорят транзистор
«приоткрывается» или «подзакрывается».
• 2) Режим насыщения - сопротивление транзистора стремится к нулю.
При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле.
• 3) Режим отсечки - транзистор закрыт и обладает высоким
сопротивлением, т.е. он эквивалентен разомкнутому контакту реле.
• Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и
коммутационных схемах.
39. Индикатор
• Электрóнный индикáтор —это электронное показывающее
устройство, предназначенное для
визуального контроля за событиями,
процессами и сигналами. Электронные
индикаторы устанавливается в
различное бытовое и промышленное
оборудование для информирования
человека об уровне или значении
различных параметров, например,
напряжения, тока, температуры,
заряде батареи и т.д. Часто
электронным индикатором ошибочно
называют механический индикатор с
электронной шкалой.