Similar presentations:
Цифровая схемотехника. Энергонезависимая память. Random Access Memory (RAM), Static RAM (SRAM), Dynamic RAM (DRAM)
1. 27
2. Полупроводниковая память
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬБыстродействие
Оперативная память
Random Access Memory (RAM)
Static RAM (SRAM)
Dynamic RAM (DRAM)
или или
Энергонезависимость
Постоянная память
Read Only Memory (ROM)
Mask ROM
One Time Programmable
ROM (OTP ROM)
EPROM
EEPROM
FLASH
3. Структура памяти с произвольным доступом
4. Mask ROM
ROMDiode ROM
n-MOS ROM
p-MOS ROM
5. OTP ROM
Programmable ROMОднократно программируемая память
One Time Programmable ROM
Ячейка
Технология плавких
перемычек FUSE
«Чистая»
Запрограммированная
В технологии Antifuse все в точности наоборот
6. OTP ROM
Antifuse1
Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)
2
7. EPROM
Erasable Programmable ROMОчень хочется, но как сделать?
Полевой транзистор с плавающим затвором
8. Полевой транзистор с индуцированным каналом
Enhancement MOSFETGate
Source
Drain
9. Полевой транзистор с индуцированным каналом
Enhancement MOSFETGate
Source
Drain
+
+
0
+
+
0
10. Floating -gate transistor (FAMOS)
Полевой транзистор сплавающим затвором
Floating gate
Gate
Source
Drain
11. Floating -gate transistor (FAMOS)
Полевой транзистор сплавающим затвором
Floating gate
Gate
Source
Drain
Напихали электронов
12. Floating -gate transistor (FAMOS)
Полевой транзистор сплавающим затвором
Floating gate
Напихали электронов
Gate
Source
Drain
Как напихать?
Повышенное напряжение (12,5 V)
Туннельный эффект
Как удалить электроны из плавающего затвора?
13. EPROM
UV Eerasable EPROM1971 Frohman’s UV-erasable EPROM
14. EEPROM
Electrically Erasable EPROMGate
Floating gate
I
Drain
Source
20–30 nm
V GD
-10 V
10 V
n1
n1
Substrate
p
10 nm
FLOTOX transistor
Digital Integrated Circuits
A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic
15. EEPROM Cell
12,5VВнешние
Внутренние
In System Programming
В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки
16. Flash
Control gateFloating gate
erasure
n 1 source
Thin tunneling oxide
programming
p-substrate
n 1 drain
17. Flash
Логика столбцаOR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1
18. Flash
ПлощадьOR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1