ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
776.86K
Category: electronicselectronics

Полевые транзисторы

1. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.

Конструкции полевых транзисторов

3.

ПТ с управляющим p- n переходом
а) стокозатворная (входная) ; б) стоковая (выходная)
Iс ; Uотс ; Uс max. доп. ;
S = Δ Iс/ Δ Uзи при Uси = const;
ri = Δ Ucи / Δ Iс при Uзи = const;
μ = Δ Ucи / Δ Uзи = S* ri . при Iс = const;
Rвх = Δ Uзи / Δ Iс = ∞ при Uси = const;

4.

МОП транзистор со встроенным каналом
а) стокозатворная (входная) ; б) стоковая (выходная)
Iс ; Uотс ; Uс max. доп. ;
S = Δ Iс/ Δ Uзи при Uси = const;
ri = Δ Ucи / Δ Iс при Uзи = const;
μ = Δ Ucи / Δ Uзи = S* ri . при Iс = const;
Rвх = Δ Uзи / Δ Iс = ∞ при Uси = const;

5.

МОП транзистор с индуцированным каналом

6.

ЛИЗ МОП транзистор

7.

Схемы включения ПТ

8.

9.

Биполярные транзисторы
МДП-транзисторы
Физические свойства
Управляемый физический процесс – изменяется
ток управления – изменяется поток
инжектированных носителей заря-да, что
приводит к изменению выходного тока.
Управляемый физический процесс – эффект поля,
вы-зывающий изменение концентрации носителей
заряда в канале: изменяется управляющее
напряжение – из-меняется проводимость канала,
что приводит к из-менению выходного тока.
Выходной ток обеспечивается носителями заряда Выходной
ток
обеспечивается
основными
обоих знаков (дырками и электро-нами).
носителя-ми заряда одного знака (или дырками,
или электрона-ми).
Низкая теплостойкость: с увеличением тока Высокая теплостойкость: рост температуры
растет температура структуры, что приводит структуры приводит к увеличению сопротивления
к большему увеличению то-ка.
канала, и ток уменьшается.
Особенности эксплуатации
Прибор управляется током, т.к. на входе имеется Прибор управляется напряжением, входное сопрямосмещенный p–n-переход и входное
противление очень велико, т.к. входная цепь от
сопротивление мало.
вы-ходной цепи изолирована диэлектриком.
Относительно небольшой коэффициент
Очень большой коэффициент усиления
по
усиления по току.
току.
Необходимость специальных мер по повы-шению Высокая помехоустойчивость.
помехоустойчивости.
Высокая вероятность саморазогрева и
Низкая вероятность теплового саморазогрева и
вторичного пробоя: сужение области
вто-ричного пробоя – расширение ОБР.
безопасной работы (ОБР).
Высокая чувствительность к токовым пеНизкая
чувствительность
к
токовым
регрузкам.
перегрузкам.

10.

Примеры использования ПТ в электронных схемах
English     Русский Rules