Полевые транзисторы FET (field-effect transistor). Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов

1.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Лекция 5
Полевые транзисторы
FET (field-effect transistor)
Устройство, принципы работы
полевых транзисторов
различных типов
Чем более мы размышляем, тем более убеждаемся, что
ничего не знаем.
Вольтер
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
1

2.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевой транзистор
с управляющим p-n переходом и
каналом n-типа
n- channel junction FET
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
2

3.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевой транзистор
с управляющим p-n переходом и
каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
3

4.

Полевые транзисторы
Весна 2016
N-channel FET
(electron-conducting )
drain
gate
source
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
4

5.

Полевые транзисторы
Весна 2016
P-channel FET
(hole-conducting FET)
drain
gate
source
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
5

6.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Управляющие (сток-затворные)
характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
6

7.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Управляющие (сток-затворные)
характеристики полевого транзистора с
каналом р-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
7

8.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики
полевого транзистора с каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
8

9.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики
полевого транзистора с каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
9

10.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Участки выходной характеристики
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
10

11.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Пологая область характеристики
Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2
UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ при Uси=const
Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0
S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
11

12.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Крутизна характеристики транзистора с каналом
n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
12

13.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевые транзисторы с изолированным
затвором ( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы
(металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)
МОП-транзисторы
(металл-оксид-полупроводник)
metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
13

14.

Полевые транзисторы
Весна 2016
МДП-транзистор с встроенным
каналом n-типа
З
И
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
С
14

15.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
с встроенным каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
15

16.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
с встроенным каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
16

17.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора
с встроенным каналом n-типа
IcНАЧ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
17

18.

Полевые транзисторы
Весна 2016
МДП-транзистор с встроенным
каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
18

19.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
с встроенным каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
19

20.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Характеристика управления МДПтранзистора с встроенным каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
20

21.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевой транзистор с
индуцированным каналом n-типа
Induced-channel FET
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
21

22.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
с индуцированным каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
22

23.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора
с индуцированным каналом n-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
23

24.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевой транзистор с
индуцированным каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
24

25.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Полевой транзистор с
индуцированным каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
25

26.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
с индуцированным каналом p-типа
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
26

27.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Характеристики управления МДП-транзистора
с индуцированным каналом
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
27

28.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора
при различных напряжениях на подложке
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
28

29.

Зависимость передаточных Весна 2016
характеристик полевых транзисторов от
температуры
Полевые транзисторы
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
29

30.

Полевые транзисторы
Весна 2016
Задание для самостоятельной работы
Привести примеры транзисторов
рассмотренных типов, а также их
основные параметры,
систему международных обозначений
параметров и характеристик полевых
транзисторов
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
30