1.43M

Category:

software

A-SSCC 2005 Tokyo Press Conference. Asian Solid-State Circuits Conference

1.

A-SSCC 2005 Tokyo Press Conference
- Asian Solid-State Circuits Conference -
第一回アジア固体回路会議
http://www.a-sscc.org/
2005年9月5日
2005年9月6日
2005年9月7日
台湾記者会見
韓国記者会見
日本記者会見
東京記者会見 2005年9月7日@東京大学
本日の電子データは以下のサイトにございます
http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/A-SSCC2005/

2.

記者会見次第
開会のご挨拶
A-SSCC2005プログラム委員長
桜井貴康東京大学
A-SSCC概要のご説明
A-SSCC2005プログラム委員長
桜井貴康東京大学
招待講演・パネルのご説明
Invited Program Chair
黒田忠広慶応大学
インダストリープログラムのご説明
各技術分野のご説明
・アナログ
・Wireless/Wireline
・ディジタル
・メモリ
・システムレベルインテグレーション
・新技術・応用
質疑応答
黒田忠広慶応大学
各担当
永田
濱田
荒川
日高
池田
野村
真神戸大学
基嗣東芝
文男日立
秀人ルネサステクノロジ
誠東京大学
昌弘、小谷光司東北大学
時分終了予定

3.

A-SSCCとは
• IEEE Solid-State Circuits Society (SSCS)主催の番目*
の学会として、Asian Solid-State Circuits Conference (ASSCC)が今年誕生。アジアに集積回路設計の新しい風を。今
後、毎年月頃アジア地区で開催。
昨年までは2月のISSCC (International Solid-State Circuit
Conference)、月のVLSI回路シンポジウム、月のCICC (Custom
Integrated Circuits Conference) のつ
*)
• なぜ、今アジアか
– 今後急速に発展するアジア
– アジアの学生、研究者、技術者の啓蒙と技術交流の場
– アジアの技術論文の掘り起こし現存の学会とは競合しない

4.

IEEE Region 10
IEEEのRegion 10をカバーするA-SSCC
A-SSCCの予定
2005年台湾
大会委員長 Genda Hu (TSMC
2006年中国
大会委員長 Ke Gong (清華大学
2007年韓国
大会委員長 Chong-Min Kyung (KAIST)
2008年日本
http://www.ieee.org/organizations/rab/imagemaps/world_reg.html

5.

A-SSCC会議委員会構成
IEEE SSCS AdCom Meetings
Committee
Steering Committee
Ck Wang, G. Hu, W. Sansen, A. Chandrakasan, T. Sakurai, etc
Conference Chair
Genda Hu, (Taiwan)
Organizing Committee
Chien-Wei Jen, (Taiwan)
Local: One-year term
Liaison
W. Sansen, (Belgium)
A. Chandrakasan, (USA)
Technical Program
Committee
Takayasu Sakurai, (Japan)
International
Professional Management Team
ICS Convention Design, Inc.

6.

プログラム委員会
Chair
Takayasu Sakurai , University of
Tokyo, Japan
Co-Chair
Sung Bae Park , Samsung
Electronics, Korea
Paper Sections
Analog
Beomsup Kim , KAIST,
Korea & Berkana wireless,
USA
Wireless and Wireline
Communications
Deog- Kyoon Jeong ,
Seoul National
University, Korea
Digital
Liang-Gee Chen,
National Taiwan
University, Taiwan
Memory
ChangHyun Kim ,
Samsung, Korea
System-Level Integration
Hidetoshi Onodera ,
Kyoto University, Japan
Emerging Applications
and Technologies
Siva Narendra , Intel,
USA
Vice-Chair
Makoto Ikeda , University of
Tokyo, Japan
Special Programs
Industry Program
Nicky Lu , ETRON,
Taiwan
This program is
unique to cover
“Industry Trend”.
Application, demo,
evaluation results
are more
important than
originality.
Educational
Program
H.J.Yoo, KAIST,
Korea
Invited Program
Tadahiro Kuroda ,
Keio University,
Japan

7.

A-SSCC 2005
• 初回である今年は、”Digital Consumer Age in Asia”という
テーマのもと、11月1 3日、台湾新竹市アンバサダーホテ
ルにて開催
• アジアへの情報発信、アジアからの情報収集の場
産業界のトレンドがわかるインダストリー・プログラム
世界の講師を招いたチュートリアル
アジアならではのつの基調講演
高倍率の選別を受けたテクニカル論文
• ISSCC、IEEE Journal of Solid-State Circuitとも連携企画

8.

学会会場
台湾新竹市 Ambassadorホテル
Taipei
Hsinchu
Taizhong
Hualien
Tainan
Kaohsiung
10F, Ambassador Hotel Hsinchu
Add : No.188, Chung Hwa Road, Sec 2, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.
TEL : 886-3-515-1111
http://www.ambh.com.tw/

9.

チュートリアル
• 項目のチュートリアル講演を実施
– Analog/Wireless分野
”Analog Circuit Design Towards Nanometer Technologies”
M. Steyaert, K.U. Leuven
– Digital/Wireline分野
”PLL/DLL”
C.K. Ken Yang, UCLA
– Memory分野
”High Performance DRAM Design”
Young-Hyun Jun, Samsung
– New Technology分野
”Crypto Chip Design”
Cetin Kaya Koc, Oregon State Univ.

10.

ツアー
11/4午前テクニカルツアー
8:30am Set out from Ambassador Hotel, Hsinchu 新竹國賓飯店
9:00am Visit Hsinchu Science Based Industrial Park 新竹科學園區管理局
10:00am Visit TSMC 台灣積體電路製造股份有限公司
11:00am Industrial Technology Research Institute ( 工研院 )
12:00am Back to Ambassador Hotel, Hsinchu( 新竹國賓飯店 )
11/4午後カルチャーツアー
12:30 Departure from Ambassador Hotel, Hsinchu 新竹國賓飯店
14:30 Visit National Palace Museum Taipei 台北故宮博物院
17:00 Departure to Shih-lin Night Market Taipei 台北士林夜市
17:30 Visit Shih-lin Night Market Taipei
19:00 Back to Ambassador Hotel Hsinchu 新竹國賓飯店
21:00 Arrive in Ambassador Hotel Hsinchu

11.

論文概況国別
全投稿数 362、全採択数 136、採択率 38 ポスターやデザインコンテストも含む
0
50
100
150
200
Taiwan
Japan
41
25(61%)
Korea
46
21(46%)
China
43
6(14%)
Other Asia
N. America
Europe
28
7(25%)
21
11(44%)
10
4(40%)
Academia Industry
173
62(36%)
Submission
Acceptance
Submission
Acceptance
A
I
A
I
Taiwan
165
8
58(35%) 4(50%)
Japan
26
15
14(54%) 11(73%)
Korea
28
18
12(43%) 9(50%)
China
42
1
6(14%)
0(0%)
Other Asia 27
1
7(26%)
0(0%)
N. America 11
10
3(27%) 8(80%)
Europe
5
5
3(60%) 1(20%)
台湾は2000年頃から年間で国立大学に240のシステムLSI関連、80のディスプレイ関
連の教職ポストを新設。それらの学生が活性化していると見られる。台湾開催も影響。

12.

口頭発表概況国別
全投稿数 332、全採択数 76、採択率 23 ポスターやデザインコンテストを省く
0
50
100
150
Taiwan
Japan
40
19(48%)
Korea
45
12(27%)
China
39
1(3%)
Other Asia
N. America
Europe
26
3(12%)
21
8(38%)
10
4(40%)
Academia Industry
200
151
29(19%)
Submission
Acceptance
Submission
Acceptance
A
I
A
I
Taiwan
143
8
26(18%) 3(38%)
Japan
25
15
9(36%) 10(67%)
Korea
27
18
5(19%) 7(39%)
China
38
1
1(3%)
0(0%)
Other Asia 25
1
3(12%)
0(0%)
N. America 11
10
2(18%) 6(60%)
Europe
5
5
3(60%) 1(20%)

13.

論文概況分野別
0
50
100
78
22(28%)
アナログ
Wireless/
Wireline
72
30(42%)
52
15(29%)
ディジタル
25
22(32%)
メモリ
システムレベル
搭載技術
55
22(31%)
38
22(45%)
新技術・応用
Industry
Program
デザイン
コンテスト
11
9(82%)
台湾
その他アジア
日本韓国中国
北米欧州
Submission
Acceptance
30
18(60%)
色の意味

14.

論文概況組織別
Submission OralAcceptTotalAcceptTotal Ratio
National Taiwan University
44
12
19
43.2
National Chiao Tung University
30
7
10
33.3
University of Tokyo
5
4
4
80.0
Renesas Technology
4
4
4
100.0
Hong Kong University of Science and Technology
6
2
4
66.7
Samsung
8
3
3
37.5
ITRI
6
2
3
50.0
National Cheng Kung University
9
1
3
33.3
Information and Communications University
6
0
3
50.0
National Tsing Hua University
9
2
2
22.2
KAIST
3
2
2
66.7
STMicroElectronics
2
2
2
100.0
Sharp Corporation
2
2
2
100.0
Tsinghua University
14
1
2
14.3
Tokyo Institute of Technology
4
1
2
50.0
Hynix Semiconductor
4
1
2
50.0
RealTek
3
2
2
66.7
Hitachi
2
1
2
100.0
Integrant technologies, Inc.
2
1
2
100.0
Hanyang University
2
1
2
100.0
Fudan University
14
0
2
14.3
National Chung Cheng University
10
0
2
20.0
Tohoku University
2
0
2
100.0
THine Electronics
2
2
2
100.0
Toshiba
3
1
1
33.3
Fuji Electric Advanced Technology
1
0
0
0.0
Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC)
1
0
0
0.0

15.

A-SSCC2005注目論文
A Low Power Digital IC Design Inside the Wireless Endoscopy Capsule
無線内視鏡カプセル用低電力ディジタルIC設計
論文番号[10-2] 中国清華 Tsinghua 大学の発表
無線送受信部と部の混載された完成度の高いシステムLSI
A 0.1-25.5-GHz Differential Cascaded-Distributed Amplifier in 0.18-um CMOS
Technology
論文番号[5-1] 台湾大学の発表
世界最高帯域(100MHz ~ 25.5GHz) の増幅器様々な帯域の無線信号をチッ
プで増幅可能
A 142dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Multiple Exposure Time
Signals
論文番号[3-1] 静岡大学の発表
線形性を有するイメージセンサーとしては世界最高のダイナミックレンジを
有する

16.

招待講演・パネルのご説明
黒田忠広慶応大学

17.

招待プログラム
Nov. 1,
2005
9:00-9:05
9:05-9:50
(45min)
9:50-10:35
(45min)
10:35-10:50
10:50-12:30
(100min)
12:30-13:30
13:30-15:10
(100min)
15:10-15:40
15:40-17:10
(90min)
17:15-17:50
18:00-20:00
Nov. 2,
2005
9:00-9:45
(45min)
9:45-10:00
10:00-11:40
(100min)
11:40-12:40
12:40-14:20
(100min)
14:20-14:55
14:55-17:15
(100min)
17:20-17:50
Opening
Plenary Speech I: Dr. Tsai (TSMC) [A]
Plenary Speech II: Prof. Sakamura (U.Tokyo) [A]
Break
Industry Session I
[A]
Industry Session II
[B]
Poster I
[E]
Design Contest
[E]
Lunch
Session 1
Session 2
Session 3
[A]
[B]
[D]
Break & Poster/Design Contest discussions and Author Interview
Panel Discussion I
Panel Discussion II
Poster I
Design Contest
[B]
[D]
[E]
[E]
Author Interview [C]
Exhibits
[C]
Banquet
Plenary Speech III: Dr. Kim (Samsung) [A]
Break
Session 4
Session 5
Session 6
[A]
[B]
[D]
Lunch
Session 7
Session 8
Session 9
[A]
[B]
[D]
Break & Poster discussions and Author Interview
Session 10
Session 11
Session 12
[A]
[B]
[D]
Author Interview [C]
Poster II
[E]
Exhibits
[C]

18.

プレナリー講演
Rick Tsai 博士, TSMC CEO, 台湾
“Design and Technology Collaboration”
日時: 月日 (火), 9:05-9:50
坂村健博士, 東京大学教授, 日本
“T-Engine: The Open Platform for the Ubiquitous
Computing Age”
日時: 月日 (火), 9:50-10:35
Kinam Kim 博士, サムスン電子フェロー&上席副社長 , 韓国
“Memory Technologies for Mobile Era”
日時: 月日 (水), 9:00-9:45

19.

プレナリー講演(1): Rick Tsai 博士
“Design and Technology Collaboration”
Abstract: With the advancement of technology into nanometer
regime, the complexity of design at advanced technology has
escalated exponentially. Notable areas of difficulty are timing closure,
signal integrity, power optimization etc. Many of the issues facing
designers, however, can be lessened or resolved by close
collaboration with technology partners. Advanced foundries, with
estimated close to 40% of worldwide 90nm tapeouts, are taking
several initiatives to help designers make best use of the
technologies. The goal of the collaboration is to produce designs that
are competitive in both performance and cost structure. In this
presentation, I will discuss key initiatives in TSMC's design
collaboration and share collaboration results.

20.

プレナリー講演 (2): 坂村健教授
“T-Engine: The Open Platform for the Ubiquitous
Computing Age”
Abstract: "T-Engine" is an open platform for embedded systems in
the ubiquitous computing age. It consists of standard real-time
kernel, T- Kernel, running on the standard hardware with networking
facilities. It provides infrastructure for the embedded system
development of highly networked and highly value-added products in
a short period of time. Providing a standard platform for the
ubiquitous computing network, the T Engine creates broad
application opportunities based on the collaboration of
nanoelectronics, software and embedded system technologies. This
plenary talk provides introduction of the T-Engine project and its
current status, and vision of the future of the ubiquitous computing
opened up by the T-Engine.

21.

プレナリー講演 (3): Kinam Kim 博士
“Memory Technologies for Mobile Era”
Abstract: For last three decades, semiconductor memory business has
been greatly grown due to the tremendous progress of electronic data
processing (EDP) mainly led by outstanding evolution of PC technology.
Recently, various mobile appliances such as hand-held phone, DCS, and
MP3 drive new growth of semiconductor memory, which results in
unprecedented demand of non-volatile memories, especially mass
storage NAND Flash. The mobile appliances which aim for smaller and
lighter products while improving the performance under ever-increased
demand of longer battery lifetime impose different requirements on the
semiconductor memories. The newly defined requirements along with
short life cycle and customer orientation of mobile products transform
the memory semiconductor from standard data storage memory to
diverse solution memory. It is predicted that this trend will be magnified
in the future memory market. In this paper, it will be discussed about the
technology trend of memory semiconductor in the mobile era and also
the memory technology required to satisfy the mobile appliances.

22.

パネル討論 (1)
“Wonder Drug for NRE Explosion: FPGA,
Reconfigurable Processor, Structured ASIC, SiP, or
Conventional Approach? ”
Abstract: Non-Recurring Engineering cost for chip design
is exploding. Design cost for chip and software is rapidly
increasing.
Only a handful of big projects can pay you with the
conventional approach. Middle and small volume products
may require a new solution. Could it be programmable
commodity devices such as FPGA and Reconfigurable
Processor, or emerging ASIC devices such as a structure
ASIC. Or, could it be an SiP approach where commodity
chips rather than IP’s are integrated in a package?

23.

パネル討論 (1)
Organizer:
Moderator:
Panelists
Tadahiro Kuroda, Keio Univ., Japan
Tohru Furuyama, Toshiba, Japan
/ position:
Jiun-Hao Lai, GlobalUniChip, Taiwan /
Conventional
Hing Nan Cheng, Xilinx, Singapore / FPGA
Hideharu Amano, Keio Univ., Japan / DRP
Hsin-Shih Wang, Faraday Technology Corp.,
Taiwan / Structured ASIC
Kenji Yoshida, SFT, Japan / SiP

24.

パネル討論 (2)
“What is the Best NV Memory for Portable
Digital Consumer Applications? ”
Abstract: Portable applications require power aware
design, where Non-Volatile (NV) Memory is a key device.
Recently, scaling Flash Memory to the next technology
node has become increasingly difficult. The scaling
challenges have motivated semiconductor memory
makers to research and develop new NV Memories, such
as FeRAM, MRAM, PRAM, and RRAM. Which is the most
promising candidate to displace Flash Memory?
Discussion shall be made for embedded and commodity
use in the current and future markets.

25.

パネル討論 (2)
Organizer:
Moderator:
Panelists
Tadahiro Kuroda, Keio Univ., Japan
Masao Taguchi, Spansion, Japan
/ position:
Shigeo Ohshima, Toshiba, Japan / Flash
Takashi Eshita, Fujitsu, Japan / FeRAM
Yoshiaki Asao, Toshiba, Japan / MRAM
Rich Liu, Micronix, Taiwan / PRAM
I. G. Baek, Samsung, Korea / RRAM

26.

インダストリー・プログラムのご説明
黒田忠広慶応大学

27.

産業界プログラム
狙い
産業界にインパクトのある発表学術的新規性よりも産業的意義を重視
発表形式
・アプリケーションの説明 15%
・チップや製品の位置付けと特長 25%
・実演デモ、録画デモ 10%
・アーキテクチャ、アルゴリズム、回路の改良点やイノベーション 30%
・設計と実測結果 15%
・結論 5%

28.

産業界プログラム主な発表
11月1日
Session 1
Session 2
10:50 ~ 11:15
The Comparison between 63nm
8Gb and 90nm 4Gb Multi-Level
Cell NAND Flash Memory for Mass
Storage Application, Samsung
A Vernier Over Sampling and Alignment
technique
for
Gb/s
Serial
Communication, Thine
11:15 ~ 11:40
A 16M SRAM with improved
characteristics
using
DRAM
technology, Renesas
A Wide Band CDR for Digital Video Data
Transmission, Thine
11:40 ~ 12:05
The Power Conscious Synergistic
Processor Element of a CELL
Processor, IBM
A Sub-1V CMOS 2.5Gb/s Serial Link
Transceiver Using 2X Oversampling,
Realtek
12:05 ~ 12:30
A Wireless LAN Baseband LSI for
High-Definition
A/V
Contents
Transmission, Toshiba
3.3/5V Multi-rate Laser Diode Driver and
Limiting
Amplifier
for
Optical
Transceivers, iCreate

29.

各技術分野のハイライト
各技術分野のご説明
・アナログ
・Wireless/Wireline
・ディジタル
・メモリ
・システムレベル搭載技術
・新技術・応用
各担当
永田
濱田
荒川
日高
池田
野村
小谷
真神戸大学
基嗣東芝
文男日立
秀人ルネサステクノロジ
誠東京大学
昌弘
光司東北大学

30.

Analog
アナログ回路技術
• SoC設計に欠かせないアナログ技術、ベースバンドからRFまで、
注目すべき新しい研究成果が採択
• 注目される2件の論文を紹介
– A 14-bit 20-MS/s Pipelined ADC with Digital Distortion
Calibration
• アンプの非線型による歪みをデジタル補正する技術により
、14ビット・20Mサンプル/秒のAD変換器を33.7mWで実現
、シャープの発表
– A Fully Integrated CMOS RF Power Amplifier with
Parallel Power Combining and Power Control
• 複数パワーアンプをオンチップ結合する技術、2.45GHz帯
送信回路の電力効率改善に効果、KUルーベン大学(ベル
ギー)の発表

31.

A 14-bit 20-MS/s Pipelined ADC with Digital Distortion
Calibration
デジタル歪み補正を用いた14ビット・20Mサンプル/秒パイプラインAD変換器
• 論文番号[2-1] シャープの発表
• パイプラインADCに一般的なデジタル補正機構を用
いて、アンプのゲイン非線型による歪みを補正する(
取り除く)手法を新規開発
• アンプの非線型性による歪みを補正することで、アン
プのゲインを低減し、低消費電力化
• 14ビット・20Mサンプル/秒のAD変換器を33.7mWで実
現、0.18umプロセス、2.8V
• 3次歪みを15dB低減、SNDR 71.6dB、SFDR 82.3dB

32.

A Fully Integrated CMOS RF Power Amplifier with Parallel
Power Combining and Power Control
電力結合機構を用いた集積化CMOS RFパワーアンプ
• 論文番号[6-3] ルーベン大学の発表
• パワーアンプ複数個をオンチップ結合する新しい回路
構成を提案、広い出力パワー範囲に対して高い電力
効率を達成
• 送信回路の電力効率改善に高い効果
• 0.13um CMOSプロセスを用いたBluetoothパワーアン
プ、出力23dBm、効率(出力電力/消費電力)28%

33.

A 0.1-25.5-GHz Differential Cascaded-Distributed Amplifier
in 0.18-um CMOS Technology
0.1-25.5GHz, 0.18um CMOS差動カスケード分布アンプ
• 論文番号[5-1] 国立台湾大学の発表
• 差動分布アンプのカスケード接続により広帯域化を実
現する新しい回路トポロジーを提案、ゲイン-帯域幅積
で世界最高峰
• 0.18umCMOSプロセス、25.5GHz帯域で+15dBのゲイン
を達成

34.

35.

本分野関連のセッション
Session
1: High-speed interconnects for system integration
Session 5: Amplifiers
Session 8: Frequency Synthesizers
Session 9: Wireline communication Circuits
Session 10: Wireless Communication Circuits
Session 11: VCOs and PLLs

36.

本分野のハイライト論文
A 3-mW, 270-Mbps, Clock-Edge Modulated Serial Link for Mobile Displays
(Seoul National University)
CEM手法を用いて、信号のDC成分をなくし低電力化したディスプレイ用シリアルリンク
A Fully-Integrated Direct Conversion Receiver for CDMA and GPS
applications (Future Communication IC, Inc.)
NFが1.2dB(CDMA)、1.7dB(GPS)、CDMA2000の仕様を満たす測定結果
A 1.3-2.8GHz Wide Range CMOS LC-VCO Using Variable Inductor (Tokyo
Institute of Technology)
オンチップ可変インダクタによる広帯域化と低位相雑音化の達成
Low Power 60 dB Gain Range with 0.25 dB Resolution CMOS RF
Programmable Gain Amplifier for Dual-band DAB/T-DMB Tuner IC (Integrant
technologies, Inc.)
デジタルオーディオ、韓国のデジタル地上波TVの受信IC、イメージ除去比65dB

37.

A 3-mW, 270-Mbps, Clock-Edge Modulated Serial
Link for Mobile Displays
論文番号[1-1] ソウル国立大学とSilicon Image社の
共著論文
グラフィックプロセサ/LCDC間のシリアルリンク
0.18µmCMOS、1.2V、270Mbps、3.12mW
CEM手法を用いて、信号のDC成分をバランスして低
電力化

38.

A Fully-Integrated Direct Conversion Receiver
for CDMA and GPS applications
論文番号[10-3]
Future Communication IC社の論文
CDMAとGPSの低NF、ダイレクトコンバージョン受信器
0.35umBiCMOS、2.7-3.0V動作
消費電流は、51mA(CDMA)、42mA(GPS)
CDMA用のLNAのNF=1.2dB
GPSのNF_Total=1.7dB

39.

A 1.3-2.8GHz Wide Range CMOS LC-VCO Using
Variable Inductor
論文番号[11-1]
東京工業大学の論文
オンチップ可変インダクタによる広帯域化
チューニングレンジは72%
発振周波数、消費電力、位相雑音、チューニングレンジ
を加味した性能比較指標で、最高性能を実現

40.

Low Power 60 dB Gain Range with 0.25 dB
Resolution CMOS RF Programmable Gain Amplifier
for Dual-band DAB/T-DMB Tuner IC
論文番号[5-2] インテグラント・テクノロジーズとKAISTの
共著論文
DABとT-DMB受信ICのRF可変利得アンプ
0.18µmCMOS、NF=2.7dB、IIP3=-14dBm @Lバンド
(1450MHz-1492MHz)
Different Multiple Gate TRansistor (DMGTR) 回路
により、線形性を改善

41.

42.

Digital Subcommittee
ディジタルサブコミッティ
• 通信関係のディジタル回路を6件 3Dグラフィクス関連を2件 I/O ビデオデ
コーダ要素回路を1件ずつ計11件を採択
• 台湾から5件韓国から3件中国日本米国から1件ずつ採択
• 他にポスターセッションに日本2件台湾韓国1件ずつを採択
• 注目される論文の中から件を紹介
– A Low Power Digital IC Design Inside the Wireless Endoscopy
Capsule
• 無線内視鏡カプセル用低電力ディジタル設計、中国清華大学
– A 6-Gbps/pin Half-Duplex LVDS I/O for High-Speed Mobile DRAM
• 半二重LVDSによるDRAM向け高速低電力I/O回路、韓国成均館大学
– A 1.2Mpixels/s/mW 3-D Rendering Processor For Portable Multimedia
Application
• 携帯機器向けの低電力3Dレンダリングプロセッサ、韓国KAIST

43.

A Low Power Digital IC Design Inside the Wireless
Endoscopy Capsule
無線内視鏡カプセル用低電力ディジタルIC設計
• 論文番号[10-2] 中国清華 Tsinghua 大学の発表
• 無線送受信部と部の混載
• 部は制御部画像画像圧縮
LED 電流刺激
• 制御部は32kHz動作で待機電力16μW
• 他は400kHz 40MHzで動作
• 画像を圧縮後に送出して送信電力低減
• 距離による反転方式でI/O電力削減
• 部の電力は1.8 Vで8.2 mW

44.

A 6-Gbps/pin Half-Duplex LVDS I/O for High-Speed Mobile
DRAM
携帯機器向け高速DRAM用低電力半二重LVDS I/O回路
• 論文番号[1-3] 韓国成均館 Sungkyunkwan 大学の発表
• LVDSは低電力だが高速化が困難であった
• 半二重の構成をうまく利用し送信動作の際に受信の出
力を送信側にさせることにより低電力を維持
しつつ高速化
• 出力だけではなくその前段でもエンファシスを
行う2段階エンファシス方式
• 消費電力は6.4Gb/s送信時で6.2mW/pinを達成

45.

A 1.2Mpixels/s/mW 3-D Rendering Processor For Portable
Multimedia Application
携帯マルチメディア機器向け低電力3Dレンダリングプロセッサ
• 論文番号[12-1] 韓国KAISTの発表
• 10 MHz動作 20M pixels/sので消費電力17
mW 1.2Mpixels/s/mW 、面積25mm2
• 別発表の32 対数除算器により低電力
LRE の電力は8.8mW
• 付Non-atomic Read-modify-write
NARMW)方式と部分活性化Depth PADB 方式で
Depth の電力を5.2mWに
• 再帰的割付の電力は3mW

46.

47.

Memory メモリ
混載メモリ(SRAM,フラッシュ,MRAM)や専用DRAMにおける
低消費電力化、高性能化のためのキー設計・回路技術の発表
発表論文の概要
■ 新規SOI構造を用いた高マージンの65nm-SRAM 日立
■ 擬似SRAMの高速化低消費向け新アーキテクチャ
Hynix(韓)
■ 高マージン高速なパイプラインMRAMアーキテクチャ
早稲田大&ルネサス
■ MCU混載用フラッシュモジュールの内部電源系回路
ルネサス
■ 0.11μm混載用高密度フラッシュメモリ回路
SST(米)

48.

SRAM Circuit with Expanded Operating Margin and Reduced Standby Leakage Current Using Thin-BOX FD-SOI Transistors
新SOI構造を用いて動作マージン拡大とスタンドバイ
リーク電流の低減ができるSRAM
• 論文番号[4-1] 日立の発表
• SRAMは、セル縮小と、動作マージン確保・低スタンドバイ電流化の
両立が大きな問題になる
• 新規SOI構造 (薄膜BOXでチャネル上下にゲートを持つダブルゲート
構造) を用いて、コラム毎にRead/Write別のバックゲートバイアス制
御を行う回路を考案
• 65nmプロセスでデバイス試作し、書込み時間の30%低減とスタンド
バイ電流の90 低減(バルクデバイス比)の可能性を示した

49.

A Low Power 128Mb Pseudo SRAM Using Hyper Destructive
Read Architecture
(高速・低電力のための新アーキテクチャによる128Mb擬似SRAM)
• 論文番号[4-2] Hynix社(韓国)の発表
• DRAMは、データ読出し動作時にデータ破壊されるので、この後のデー
タリストア時間により高速化を妨げていた
• 読出しデータをセンスアンプキャッシュに保持し、次の読出しとオーバ
ラップさせて高速化するための新規アーキテクチャ(HyDRA)を考案
• 0.12μmプロセスで128Mb擬似SRAMチップを作り、動作確認
アクセスタイムが20 低減、また、同一アクセスタイム相当の低リークト
ランジスタ使用時にスタンドバイ電流が半減する効果有り。

50.

0.11um 4.5F2 1.8V Multilevel Vertical Split Gate Source
Side Injection Vehicle for Giga-Bit Density NOR Flash
Memory
スプリットゲート・NORフラッシュの次世代版試作
• 論文番号[4-5] SST社 (Silicon Storage Technology、米国) の発表
• フラッシュメモリ(SSTセル)の次世代版の発表
• 次元NOR型スプリットゲートセルによりNAND並みのセルサイズを実現し、
値/セルのデータストア新規高速回路を考案
• 0.11μmプロセスで1Mb規模のメモリアレイ回路を作り、1.8V動作を確認セル
サイズ=0.055μm2(4.5F2)、1Mb面積=0.25mm2
センス線電圧の漸増による精密書込み(誤差=150mV→5mVに)
高速電流センスアンプ(従来より倍速)によりTac=30ns

51.

A 75MHz MRAM with Pipe-Lined Self-Reference Read
Scheme for Mobile/Robotics Memory System
高マージン高速なパイプラインMRAMアーキテクチャ
• 論文番号[4-3] 早稲田大&ルネサスの発表
• MRAMは、高マージン・高速化のための回路技術が未開拓であり、
混載応用などに向けた設計技術が未開発である
• 新規セルフレファレンスセンスアンプとパイプライン動作を駆使
した、高マージン・高速な新規MRAMアーキテクチャを考案
• 75MH 1.2 という高速・高マージン動作を実現する見通しを得た従
来の同種MRAMでは8MHzであった

52.

53.

System Level Integration
システムレベルの集積化技術
• SoC設計における低消費電力化、高性能化設計技術に焦点
をあてる
• 注目される論文の中から件を紹介
– Vdd-Hopping Accelerator for On-Chip Power Supplies
Achieving Nano-Second Order Transient Time
• Vdd変更速度を高速化して低消費電力化する技術, 東京大学の発表
– A Self-Calibrate All-Digital 3Gbps SATA Driver Design
• 完全デジタル技術で自己補正機能を備えた3Gbps SATA ドライブ回路の
実現技術, 台湾交通大学の発表
– A 667MT/s 10.7GB/s Multiprocessor Bus Interface
• Itanium 2 のFront-side Bus(FSB)で使われているバスの高速化技術,
インテルの発表

54.

Vdd-Hopping Accelerator for On-Chip Power Supplies
Achieving Nano-Second Order Transient Time
ナノ秒で反応するオンチップ電源用Vdd可変回路の高速化技術
• 論文番号[6-1] 東京大学の発表
• アイドル時には電源電圧を下げることで低消費
電力化を図る(Vdd Hopping)が、アイドル状態
では電源電圧がなかなか下がらない
• 電源電圧を急速に下げるためのスイッチと、そ
の制御回路を考案
• 0.18µmプロセスで実験回路を作り5ns以下の速
さで電源電圧を降下できることを確認

55.

A Self-Calibrate All-Digital 3Gbps SATA Driver Design
自己補正機能のついた完全デジタル型の3Gbps SATAドライバ
• 論文番号[1-4] 台湾交通大学の発表
• Serial-ATA(SATA II)用の低電圧差動信号ドライバ
(LVDS)
• 完全デジタル方式で、SATA規格に合わせるための
キャリブレーションも自動で行う
• ドライバ回路を徐々に動作させることで同時スイッチ
ングノイズを除去
• TSMC0.18mmプロセスで実現
• 3Gbps動作時の消費電力は[email protected]

56.

A 667MT/s 10.7GB/s Multiprocessor Bus Interface
667MT/s 10.7GB/sのマルチプロセッサバスインターフェイス
• 論文番号[1-2] Intel の発表
• Itanium 2のマルチプロセッサ構成をサポートするFront-side
Bus(FSB)で使われているインターフェイス回路を説明
• 667MT/s で 3CPU間通信を実現するための数々の工夫を開示
– 信号の立上り/立下りの整形回路
– 同時スイッチングノイズを除去するための電流経路制御回路
– 入出力タイミング制御回路
– PVT補償回路
• 130nmプロセスのItanium2で使用

57.

58.

新技術・応用分野
注目される論文の中から件を紹介
– A Wireless-Interface SoC Powered by Energy
Harvesting for Short-range Data Communication
• ワイヤレス・バッテリーレスのマウス技術, マウス動作から短距離データ通信
用の電力を得るワイヤレスインタフェースSoC, 金沢大学他の発表
– An On-chip PVT Control System for Worst-caseless
Lower Voltage SoC Design
• eSRAMの低電圧動作のためのAVM (adaptive voltage management)か
らなるオンチップPVT制御システム, ルネサスの発表
– A 142dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with
Multiple Exposure Time Signals
• 超々短時間蓄積信号を含む4種類の蓄積時間信号を列並列ADCで読み出し,
142dBのダイナミックレンジを実現, 静岡大学他の発表

59.

A Wireless-Interface SoC Powered by Energy Harvesting for
Short-range Data Communication
エネルギー採取技術により電力供給される短距離データ通信用の
ワイヤレスインタフェースSoC
• 論文番号[10-1] 金沢大学, 神戸大学, リニアサーキットの発表
• ワイヤレス, バッテリーレスマウス用の短距離データ通信が可
能なワイヤレスインタフェースSoC開発, マウス動作発電機(4
13mW)搭載
• FSK (frequency shift keying)変調方式, シングルエンド構造の
RFトランスミッタ, マウス向けマイクロコントローラ設計を適用
• 0.18mm CMOSで試作, 電力2.2mW(RFトランスミッタ
2.17mW@1mレンジ, 16bマイクロコントローラ 0.03mW@1MHz),
fc=28MHz, 距離 0.2 1m, データレート 10kbps

60.

An On-chip PVT Control System for Worst-caseless Lower
Voltage SoC Design
低電圧SoC設計用オンチップPVT制御システム
• 論文番号[12-5] ルネサスの発表
• 低電圧SoC設計のためのAVM (adaptive voltage management)
からなるオンチップPVT (process, voltage, and temperature)制
御システムの提案
• 温度特性の異なる2つのリングオシレータを用いた温度計測(40 125℃), テーブルルックアップ方式による最適電圧制御,
低電圧駆動特性改善([email protected])レベルシフト型レギュレータ
を適用
• 90nm CMOSの実験チップにより正確な制御と低電圧時の
SRAM動作マージンの確保を確認

61.

A 142dB Dynamic Range CMOS Image Sensor
142dBのダイナミックレンジを有するCMOSイメージセンサ
• 論文番号[3-1] 静岡大学、仙台電波工専, ヤマハ,
静岡県浜松工業技術センターの発表
• 長蓄積時間の1/24,180の超々短時間読出し時間
より短い蓄積信号を含む4種類の蓄積時間信号読
出しにより141.8dBのダイナミックレンジを実現
• ノイズキャンセル機能を有する新規開発の列並列
12bサイクリックADCを搭載
• 0.25mmプロセスで1/2” VGAサイズのセンサを試
作

62.

A-SSCC2005
-- Asian Solid-State Circuit Conference 2005 -A-SSCC 2005のご案内
会期 2005年11月1日 3日 4日はツアー
場所台湾新竹市アンバサダ新竹・ホテル
Web http://www.a-sscc.org/
本日の電子データは以下のサイトにございます
http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/A-SSCC2005/

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