Диод Шоттки

1. Твердотельная электроника

Электронный учебно-методический
комплекс
Твердотельная электроника
Презентации к лекционному курсу
Диод Щоттки
МОСКВА
2011
НИУ «МЭИ»

2. Диод Шоттки

3. ВАХ диода Шоттки

4.

• ДШ характеризуются быстрой
рекомбинацией инжектированных
носителей (время жизни носителей крайне
мало), а значит и высоким
быстродействием. Благодаря
минимальному сопротивлению базы и
отсутствию процессов накопления и
рассасывания избыточных зарядов,
быстродействие получается достаточно
высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц.

5. Расчёт ВАХ

(7.15)
(7.16)
(7.17)
(7.18)
(7.19)

6. Расчет ВАХ (продолжение)

(7.20)
(7.21)
(7.22)
(7.23)
(7.24)

7. Расчет ВАХ (окончание)

(7.25)
(7.26)
(7.27)
(7.28)

8. ВАХ p-n-перехода

9. ВАХ p-n переходов при различных температурах

Ge
Si

10. Контакт сильнолегированных полупроводников

11. Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер

12. ВАХ туннельного диода