Выращивание малодислокационных монокристаллов германия
Проблема работы
Цель работы
Требования к подложкам из германия для изготовления фотопреобразователей
Дислокационное травление
Выращивание монокристаллов германия
Ростовая установка EKZ 2700
Прочие измерения
Моделирование ростовых процессов
Управляющие параметры роста
Допущения моделирования
Результаты
Выводы по моделированию
Технологические аспекты процесса выращивания монокристаллов германия
Загрузка
Вакуумирование ростовой установки
Плавка
Затравление
Выращивание шейки
Выход на диаметр
Рост цилиндра
Выращивание обратного конуса и охлаждение
Практическая часть
Выращивание монокристаллов
Выращенные монокристаллы
Контроль плотности дислокаций в монокристаллах
Выводы и результаты
3.71M
Category: industryindustry

Выращивание малодислокационных монокристаллов германия

1. Выращивание малодислокационных монокристаллов германия

Руководитель: д-р техн. наук, профессор
Каплунов И.А.
Автор: студент магистратуры ФКСВ
Иванов М.А.

2. Проблема работы

Для современной промышленности актуально
использование
малодислокационных
монокристаллов германия большого диаметра
для
изготовления
подложек
высокоэффективных фотоэлементов, СБИС и
для оптических элементов.
В РФ отсутствует промышленная технология
выращивания
малодислокационных
монокристаллов
германия
по
методу
Чохральского.

3. Цель работы

Изучение вопросов выращивания
малодислокационных монокристаллов
германия и определение условий их
получения.

4. Требования к подложкам из германия для изготовления фотопреобразователей

5. Дислокационное травление

Разработана производственная методика дислокационного травления
образцов монокристаллов германия различных кристаллографических
ориентаций

6. Выращивание монокристаллов германия

Кристаллы выращивались
по методу Чохральского в
установке EKZ 2700 с
гибким штоком.

7. Ростовая установка EKZ 2700

8. Прочие измерения

УЭС германия
• Четырехзондовый метод
Тип проводимости • Метод вольт-амперных
германия
характеристик
Температура
расплава
• Пирометр
Температура
нагревателя
• По УЭС нагревателя

9. Моделирование ростовых процессов

Задача: выбор оптимальной расчетной модели,
описывающей динамику роста кристаллов германия
с плоским фронтом кристаллизации при
использовании способа Чохральского.

10. Управляющие параметры роста

Скорость
вытягивания
Конструкция и
материалы
установки
Температура в
ростовой
системе
Скорость
вращения
кристалла
Скорость
вращения тигля

11. Допущения моделирования

Излучение описывается спектральной интенсивностью излучения
ഥ t), равной количеству энергии, проходящей в момент времени t
Iν(
English     Русский Rules