Свойства углеродных наноматериалов

1. Свойства углеродных наноматериалов

А)парциальные электронные плотности состояний для молекулы
CeHe;В)парциальные электронные плотности состояний для молекулы
СНю;С)парциальные электронные плотности состояний для молекулы Ceo(жирными
линиями нарисованы вклады л -связей (X), а тонкими - о( 11). В
Механические свойства фуллеренов
Плотность
1.72 × 10 -10 г/см 3
Модуль упругости
14 ГПа
Объемный коэффициент
теплового расширения
6.0 × 10-5 1/ K
Скорость звука Vl (продольная)
2.6 × 103 м /с
Скорость звука Vt (поперечная)
1.2 ×103 м / с

2. Электрические свойства наноматериалов

Электронная структура нехиральных трубок: а) все трубки (n, n) металлические; трубки (n, 0) металлические, если n к
Электрические свойства
наноматериалов
Электронная структура
нехиральных трубок: а) все трубки
(n, n) металлические; трубки (n, 0)
металлические, если n кратно трем
(б), иначе они полупроводниковые
(в). Уровень Ферми EF разделяет
занятые и вакантные состояния.
магнитные свойства нанотрубок

3. Физико-химические методы и особенности получения наноструктур на основе графита

установки для получения
углеродных трубок
Методы выращивания из газовой фазы можно классифицировать следующим образом:
1) Стационарные выращивания из объема.
2) Эпитаксиальное выращивание из стационарного объема.
3) Эпитаксиальное выращивание из динамического потока.
4) Выращивание из молекулярных пучков
Рис. 3.3. Схема аппарата для производства УНТ способом лазерной
абляции:1 – инертный газ; 2 – печь; 3 – охлаждаемый медный
коллектор;4 – охлаждающая вода; 5 – графитовая мишень
Рис.3.2. Схема установки для получения углеродных нанотрубок:
1 – графитовый анод; 2 – осадок, содержащий УНТ; 3 – графитовый
катод;4–устройство для автоматического поддержания межэлектродного
расстояния на заданном уровне; 5 – стенки камеры

4.

Углеродные наноматериалы
Фулерены
4

5. Атомно-силовое изображение углеродных нанотрубок, выращенных на пленочном катализаторе.

Атомно-силовое изображение углеродных нанотрубок,
выращенных на пленочном катализаторе.
Атомно-силовое изображение углеродных нанотрубок, выращенных на
пленочном катализаторе.

6. Применение наноматериалов на основе графита

Нанотранзистор
.
Рис. 4.4. Архитектура КНИ-транзистора. Пластина кремния после
операций
оксидирования,
эпитаксии,
легирования,
травления
металлизации.
Принципиальная
схема
элементарного
полупро
водникового
транзистора, составляющего основу больших интегральных схем
(несколько миллионов элементарных транзисторов на кристалле)
Рис.4.5.Архитектура SON-транзистора.
и

7.

Рис.4.10 Блок-схема дисплея на базе CNT-FED
Рис.4.11. a) Схема устройства источника рентгеновского излучения,
включающая в себя электронную пушку, линзу в виде соленоида, и
мишень
просвечивающего
электронов;
c)
типа;
микроизображение
b)
вычисленная
катода,
траектория
поверхность
которого
однородно покрыта многослойными нанотрубками диаметром около
50 нм и длиной около 1 мкм.