Принципиальный базис нанотехнологии

1.

2. Принципиальный базис нанотехнологии

3.

Принципиальный базис нанотехнологии
Принципиальный базис нанотехнологии

4. Свойства углеродных наноматериалов

А)парциальные электронные плотности состояний для молекулы
CeHe;В)парциальные электронные плотности состояний для молекулы
СНю;С)парциальные электронные плотности состояний для молекулы Ceo(жирными
линиями нарисованы вклады л -связей (X), а тонкими - о( 11). В
Механические свойства фуллеренов
Плотность
1.72 × 10 -10 г/см 3
Модуль упругости
14 ГПа
Объемный коэффициент
теплового расширения
6.0 × 10-5 1/ K
Скорость звука Vl (продольная)
2.6 × 103 м /с
Скорость звука Vt (поперечная)
1.2 ×103 м / с

5.

6.

Методы исследования макро и микропараметров наноприборов
Электронно-зондовые методы
Основные
No.
Название метода
Принцип действия
Контролируемые
параметры
Основное
применение
Напряжение
1.
Ренгено-
субструктур
структурный
Плотность
анализ
дислокаций
Наноразмерные
биоструктур
текстур
Относительный состав
2.
Оже
Содержание
Классические
спектроскопия
Примесей
нанокомпозиты
Напряжение
Состав в
3.
Сканирующая
приповерхностной
зондовая
Области
микроскопия.
Напряжение
текстура
Наноколлоиды
6

7.

Принципиальная блок-схема
МОС-гидридной установки с
системой управления.

8.

Оптическиие методы
No.
Название методы
1.
Оптическая
сканирующая
микроскопия
Принцып действия
Основные
Контролируемые
параметры
Структуры и фазовые
состояния
Методы модуляционный спектроскопии
Дифференциальная
1.
Спектроскопия прямого
рассеивания
Состав , фазовые
состояния
2.
Дифференциальная
спектроскопия обратного
рассеивания
Состав, структуры
и фазовые состояния
3.
Рамановское рассеивание
Состав, текстура
Структуруа
4.
Фурье спектроскопия
Состав и фазовые
состояния
8

9.

Химические методы создания наноструктур
Химическая сборка поверхности твердых тел методом
молекулярного наслаивания: а - слой заданной
толщины, б - слой с заданным расположением
монослоев различной химической природы, в многокомпонентные монослои заданного состава
нанокластер
9

10.

11.

Элементы наносистемной техники на основе
нанотрубок
Нанотрубочный FET в качестве ИКизлучателя.
Пиками
показана
интенсивность
Магнитные устройства хранения информации
Матрица ячеек памяти из
нанотрубок
11

12.

Оценка макропараметров резонансного туннельного диода
Принцип действия и конструкция резонансного туннельного диода
Туннелирование электрона с энергией E через
потенциальный барьер высотой U, U > E
Схема работы и вольтамперная характеристика
резонансного туннельного диода: а – разность
потенциалов равна нулю; б – на прибор подано
резонансное
напряжение,
при
котором
ток
максимальный; в – напряжение больше резонансного; г
– вольтамперная характеристика. Синим цветом
показан энергетический уровень в области между
двумя барьерами, красным – уровни электронов в
области контактов.
12

13. Использование углеродных нанотрубок

Блок-схема дисплея на базе CNT-FED
a) Схема устройства источника рентгеновского излучения,
включающая в себя электронную пушку, линзу в виде
соленоида,
и
мишень
просвечивающего
типа;
b)
вычисленная траектория электронов; c) микроизображение
катода, поверхность которого однородно покрыта
многослойными нанотрубками диаметром около 50 нм и
длиной около 1 мкм.
13