Твердотельные накопители информации

1.

Автор: Е.А. Шекунов
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ
НАКОПИТЕЛИ ИНФОРМАЦИИ

2.

Твердотельный накопитель
• (SSD, solid-state drive) —
энергонезависимое запоминающее
устройство на основе микросхем
памяти. Не содержит движущихся
механических частей.
• Используется для хранения данных в
компьютерных система, как
альтернатива НЖМД.

3.

История развития
• Первый в мире SSD «Bulk core» (1976г.)

4.

История развития
• «RAM Disk» для домашних компьютеров Apple II (1982г.)

5.

История развития
• Первый в мире твердотельный накопитель с
энергонезависимой памятью «Flashdisk» (1989г.)

6.

История развития
• Первый твердотельный накопитель с интерфейсом
PATA «FlashOnDisk»(2003г.)

7.

История развития
• Первый твердотельный накопитель с интерфейсом
SATA «Flashpak»(2004г.)

8.

История развития
• Внедрение SSD – накопителей в нетбуки и ноутбуки
(2007-2008г.)

9.

История развития
• Современные твердотельные накопители
(с 2010 по настоящее время).

10.

Какими достоинствами и
недостатками обладают
современные SSD-накопители?

11.

Сравнительные характеристики
ДОСТОИНСТВА
НЕДОСТАТКИ
• Скорость чтения/записи
• Объем
• Малый физический размер
• Цена
• Полное отсутствие шума
• Ограниченное количество
• Отсутствие фрагментации
циклов перезаписи
• Сложность
восстановления
информации
• Низкое энергопотребление

12.

Классификации flash-памяти
ПО МЕТОДУ СОЕДИНЕНИЯ ЯЧЕЕК
• NAND - инверсия
конъюнкции. Операция ИНЕ (штрих Шеффера)
• NOR - инверсия
дизъюнкции. Операция
ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса)
ПО УРОВНЯМ ЗАРЯДА
• SLC - single-level cell
(один бит)
• MLC - multi-level cell
(два бита)
• TLC – triple -level cell
(три бита)

13.

Интерфейсы современных
SSD-накопителей
ВНЕШНИЕ
• USB 2.0 / 3.0 - до 5 Гбит/с
ВНУТРЕННИЕ
• SATA III (mSATA) - до
6Гбит/сек
• eSATA - до 6Гбит/сек
• PCI-E (mini PCI-E) - до
3.94 Гбайт/с

14.

Интерфейс M.2
Версия B
Версия M
PCIe ×2, SATA, USB 2.0 и 3.0, Звук,
PCM, IUM, SSIC и I2C
PCIe ×4 и SATA

15.

Сравнение внутреннего устройства
USB-флешки и SSD-накопителя

16.

Типы корпусов чипов памяти
TSOP-48
BGA-52
BGA-152

17.

Процедура восстановления
данный с flash-памяти

18.

Последние технологии в области
твердотельных накопителей

19.

Характеристики Samsung 960 EVO
Тип памяти
3D V-NAND
Буферная память
512 МБ
Ключ M.2 разъема
M
Интерфейс
Максимальная скорость
последовательного чтения
(Мбайт/с)
Максимальная скорость
последовательной записи
(Мбайт/с)
MTBF (Среднее время между
отказами)
PCI-E 3.0 x4
Энергопотребление
5.1 Вт
3200 Мбайт/с
1500 Мбайт/с
1.5 млн ч

20.

ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ