Similar presentations:
лекция8
1.
Тиристор– это полупроводниковый прибор с тремя или более p-n-переходами, ВАХ которого
имеет
участок
с
отрицательным
сопротивлением,
он характеризуется двумя устойчивыми состояниями: «включено»; «выключено».
I
III
Iуд
p1
n1
p2
n2
II
Iвкл
I
Uвкл
U
Применяются в силовой электронике в управляемых выпрямителях
2.
Диоды ШотткиРабота диодов Шоттки основана на взаимодействии металла и обедненного
носителями слоя полупроводника. При подключении прямого напряжения ток
создается движением электронов из полупроводника в металл. В полупроводнике не
накапливаются неосновные носители, переходные процессы обусловлены лишь
перезарядом малой барьерной емкости, их длительность составляет десятые доли
наносекунд, они обладают высоким быстродействием.
3.
Нелинейные полупроводниковыерезисторы
Термистор – полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется при
изменении его температуры. Термисторы подразделяются на три группы:
1) термисторы с внешним подогревом, реагирующие на изменение температуры
окружающей среды;
2) термисторы прямого подогрева, нагреваемые проходящим через термистор током;
3) термисторы косвенного подогрева, нагреваемые от электрически изолированного
подогревателя.
Условные обозначения термистора: а – с внешним подогревом;
б – с прямым подогревом; в – с косвенным подогревом
4.
ВаристорВаристор – это полупроводниковый резистор с симметричной нелинейной ВАХ, он
состоит из карбида кремния или окисла цинка и связующего вещества.
ВАХ (а) и схемы включения варистора: б – защита контакта от перенапряжения с
помощью варистора; в – схема простейшего стабилизатора на варисторах
5. Фотоэлектронные приборы
Электронные приборы, предназначенные для преобразования светового излучения вэлектрический ток, называются фотоэлектронными.
Электронные приборы, преобразующие электрическую энергию в световое
излучение,
подразделяются
на
электровакуумные,
газоразрядные,
полупроводниковые, жидкокристаллические.
6.
ФоторезисторФоторезистор – полупроводник, проводимость которого изменяется в широких
пределах в зависимости от интенсивности и спектрального состава воздействующего
на него облучающего потока .
Характеристики фоторезистора: вольт-амперная (а), световая (б) и спектральная (в)
7.
ФотодиодыФотодиод (ФД) – это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от
освещенности.
Вольт-амперная (а) и световая (б) характеристики фотодиода
8.
ФототранзисторВольт-амперная характеристики
9.
ФототиристорыВольт-амперная характеристика (а) и характеристика управления (б)
10.
Светоизлучающие диодыСветоизлучающие диоды (СД) предназначены для непосредственного преобразования
электрической энергии в энергию светового излучения. В СД используется
инжекционная электролюминесценция p-n-перехода, включенного в прямом
направлении. При прямом включении перехода происходит инжекция носителей
через пониженный потенциальный барьер и их рекомбинация, вследствие чего
электроны переходят с высоких энергетических уровней в зоне проводимости на
более низкие в валентной зоне. Разность энергии, соответствующая ширине
запрещенной зоны, выделяется в виде фонона (квант тепловой энергии) или фотона
(квант лучистой энергии).
11.
ЛазерыЛазером называется квантовый генератор (усилитель) электромагнитных колебаний
оптического диапазона длин волн, принцип работы которого основан на
стимулировании вынужденного излучения.
В лазерных диодах (ЛД) фотоны появляются (генерируются) посредством
вынужденной (стимулированной) эмиссии, которая заключается в том, что созданные
фотоны
в
результате
спонтанной
эмиссии
создают
дополнительные
фотоны путем стимулирования дополнительных рекомбинаций, которые в свою
очередь создают дополнительные фотоны.
Для получения когерентного излучения используется специальная оптическая
система, называемая резонатором Фабри – Перро, которая представляет собой
полированные расположенные строго параллельно противоположные грани активной
среды.
12.
СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫВ настоящее время из всех приборов силовой электроники
наиболее востребованными являются полевые транзисторы с
изолированным затвором (MOSFET) и биполярные с
изолированным затвором (IGBT). Тиристоры всех типов и
биполярные транзисторы постепенно вытесняются полевыми и
IGBT-транзисторами.