‎Без имени (3)

1.

Интегральные микросхемы (ИМС)
Тема 1. Классификация и система
обозначений интегральных микросхем
Выполнили студенты 352 учебного взвода:
Тишковец С.Е.
Белорусов А.Д.

2.

1. Классификация интегральных микросхем
Интегральная микросхема (ИМС) – микроэлектронное устройство, содержащее
совокупность нескольких активных и пассивных элементов (транзисторов, диодов, емкостей,
сопротивлений и др.), которые изготовлены в едином технологическом процессе, электрически
соединены между собой и заключены в общий корпус.
Основные параметры интегральных микросхем:
– плотность упаковки (количество элементов в единице объема);
– степень интеграции (количество элементов в микросхеме).
ИМС принято классифицировать по трем направлениям:
По типу преобразуемого сигнала
По технологии изготовления
По степеням интеграции

3.

1.1. Классификация по типу преобразуемых сигналов
Аналоговые (АИС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону непрерывной функции. Пример - интегральная микросхема с линейной
характеристикой (линейная ИМС).
Цифровые (ЦИС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции, т.е. принимающей два значения - «0» или «1». Пример логическая микросхема, выполняющая одну или несколько логических функций.
Аналого-цифровые — особые виды ИМС, служащие для преобразования аналоговых сигналов в
цифровые, и наоборот, в устройствах обработки информации, автоматического управления, передачи
данных, в измерительных системах и др.

4.

1.2. Классификация по технологии изготовления
Конструктивная классификация ИМС
Полупроводниковые
В полупроводниковых ИС все
элементы и межэлементные
соединения изготовлены в
объеме и на поверхности
полупроводника
Гибридные
Гибридные ИМС содержат
пленочные пассивные
элементы и навесные
активные компоненты.
Прочие – пленочные,
керамические и т.д.
В пленочных ИМС все
элементы и межэлементные
соединения выполнены в виде
токопроводящих пленок.
ПЛЕНОЧНЫЕ ИМС
Диэлектрик
Резистивный
материал
Металл
Резистор
Диэлектрик
Металл (Al)
Индуктивность
Рис. 2.2.
Диэлектрик
Металл
Конденсатор

5.

1.3. Классификация по степеням интеграции
В зависимости от количества элементов ИМС делят по степеням интеграции:
- Первой степени – до 10 элементов;
- Второй степени – от 11 до 100 элементов;
- Третьей степени – от 101 до 1000 элементов;
- Свыше 1000 элементов – большие ИМС;
- Свыше 100000 элементов – сверхбольшие ИМС.
В современных полупроводниковых ИМС обеспечиваются высокая степень интеграции (106
элементов в корпусе) и плотность упаковки (105 элементов в см3). В гибридных ИМС степень
интеграции до сотен элементов в корпусе, а плотность упаковки около 150 элементов в см3.

6.

2. Условные обозначения интегральных микросхем
По принятой системе (ГОСТ 17467-88) обозначение ИМС должно состоять из четырех элементов:
• Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе:
1, 5, 7 – полупроводниковые ИМС (обозначение 7 присвоено бескорпусным полупроводниковым ИС);
2, 4, 6, 8 – гибридные ИМС;
3 – прочие ИМС (пленочные, вакуумные и керамические и т.д.).
• Второй элемент – 2 - 3 цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии микросхем (01, 02,
…, 999).
• Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы.
• Четвертый элемент – порядковый номер разработки микросхем по функциональному признаку в
данной серии.
1
33
ТМ
2
I
II
III
IV

7.

2. Условные обозначения интегральных микросхем
В соответствии с ГОСТ микросхемы по функциональному назначению обозначаются следующим образом:
Назначение
Обозначение
Назначение
Обозначение
Генераторы сигналов
Г (С, Ф, Г, …)
Формирователи импульсов
А (Г, Ф, Р, П)
Коммутаторы и ключи
К (Т, Н, П)
Наборы элементов
Н (Д, Т, Р, Е, …)
Детекторы
Д (А, С, Ф, И)
Модуляторы
М (А, С, Ф, …)
Вторичные источники
питания
Е (В, М, Н, Т)
Многофункциональные устройства
Х (А, Л, К, П)
Логические элементы
Л (И,А,Е, …)
Устройства задержки (ЛЗ)
Б (М, Р, П)
Преобразователи
П (С, Ф, Н, …)
Усилители
У (Т, И, В, …)
Фильтры
Ф (В, Н, Е, …)
Триггеры
Т (Л, Д, М, …)
Устройства селекции и
сравнения
С (А, В, С, …)
Арифметические и дискретные
устройства
И (Р, М, Л, …)
Запоминающие устройства
Р (М, У, В, …)
Таблица 1. Виды функционального назначений ИМС

8.

2. Условные обозначения интегральных микросхем
• Для обозначения ИМС широкого применения перед номером ставятся буква «К».
Например, К140УД1 - полупроводниковые ИС серии 40 широкого применения, усилитель
дифференциальный.
• Если после буквы «К» перед номером серии указывается еще буква «Р» или «М», то это означает,
что данная серия вся выпускается в пластмассовом (буква «Р») или керамическом (буква «М»)
корпусах.
Например, КМ155ЛА1 - полупроводниковые ИМС серии 55 широкого применения в керамическом
корпусе, логический элемент И-НЕ.