electronicsSimilar presentations:
Электроника. Биполярные транзисторы
1.
Электроника/ Пром. электроникаЛекция 4
Биполярные транзисторы
(продолжение).
Полевые транзисторы.
к.т.н., доцент, Тычинина Юлия Александровна
2.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
3.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
4.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
5.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
6.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
7.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
8.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы
Схемы включения
Каскад с общим эмиттером обладает высоким усилением по напряжению и
току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное
сопротивление каскада (порядка сотен ом), высокое (порядка десятков Килоом)
выходное сопротивление. Отличительная особенность - изменение фазы входного
сигнала на 180 градусов (то есть - инвертирование). Благодаря высокому коэффициенту
усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.
9.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы
Схемы включения
Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким
выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой
схемы всегда меньше 1.
Схема включения транзистора с общей базой используется
преимущественно в каскадах усилителей высоких частот. Усиление каскада с
ОБ обеспечивает усиление только по напряжению. Каскад, собранный по схеме
с
общей
базой,
обладает
низким
входным
и
невысоким
выходным сопротивлениями. Каскад с ОБ не изменяет фазы входного
сигнала.
10.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
11.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
12.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
13.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
14.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
15.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
16.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
17.
1 Элементы электронных схем.1.2 Биполярные транзисторы.
18.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
19.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
20.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
21.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
22.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
23.
1 Элементы электронных схем.1.3 Полевые транзисторы.
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой
транзистор, в котором пластина из полупроводника, например, n-типа, имеет на
противоположных концах электроды (исток и сток), с помощью которых она
включена в управляемую цепь. Управляющая цепь подключается к третьему
электроду (затвору) и образуется областью с другим типом проводимости.
Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой
транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем
диэлектрика.
В транзисторах со встроенным каналом проводящий канал выполняется
в виде двух сильно легированных областей полупроводника, находящихся под
электродами истока и стока. Эти области соединены тонким слоем полупроводника
идентичного типа.
В транзисторах с индуцированным каналом канал проводимости тока
специально не создается, а образуется (индуцируется) благодаря притоку электронов
из полупроводниковой пластины (подложки) в случае приложения к затвору
напряжения положительной полярности относительно истока.
24.
Список ссылок по материалам лекции:1. КАК РАБОТАЮТ MOSFET ТРАНЗИСТОРЫ (МОП, МДП транзисторы) – 6:20 (смотреть с 0:20 )
https://www.youtube.com/watch?v=6Xf8bbv6v0k&t=17s
2. Чем MOSFET лучше БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА – 8 мин
https://www.youtube.com/watch?v=9nGr6lpQbJ4
3. ЧТО ТАКОЕ IGBT ТРАНЗИСТОРЫ? – 5 мин
https://www.youtube.com/watch?v=yPte2VboVHI
4. MOSFET vs IGBT | ЧТО ВЫБРАТЬ? - 7 мин (смотреть с 0:40)
https://www.youtube.com/watch?v=BniWHLQ5gnw&list=RDCMUCt8OnrmeXDCSgk7WGdbIxbg&index=2