Обратный расчет гибридной интегральной микросхемы

1.

«ПОВОЛЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
(ФГБОУ ВО «ПГТУ»)
Обратный расчет гибридной
интегральной микросхемы
Выполнил студент группы
ЭВС-31
Еремеев Роман
2022 г.

2.

Вид схемы

3.

Расположение элементов на схеме

4.

Замеры номиналов элементов и расчет
резистивного материала
R, Ом
L, мм
А, мм
Kф
R□
Материал
R1
265
1
0,8
1,25
212
РС3710
R2
57,5
0,4
1,8
0,22
252
РС3710
R3
50,7
0,4
1,8
0,22
252
РС3710
R4
1000
3,2
0,3
10,68
93,6
РС3710
R5
790
1,6
0,2
8
98
РС3710
R6
106
0,6
1,2
0,5
212
РС3710
R7
221
0,9
0,8
1,125
196,4
РС3710
Толщина резистивной пленки 0,123 ± 0,3 мкм.
Толщина проводящей пленки 4,66 ± 0,3 мкм.