ИДМ-плюс

1.

2.

О КОМПАНИИ
«ИДМ-ПЛЮС» было основано в 2004 году.
Предприятие успешно реализовало более 100
проектов по различным направлениям разработки
интегральных микросхем, микроэлектронной
техники и функционально-завершенных устройств.
Сегодня «ИДМ-ПЛЮС» специализируется на
разработке и производстве микросхем,
датчиков и измерительно- испытательного
оборудования. При разработке датчиков
применяется, в том числе, собственная элементная
база.
Лицензии и сертификаты:
− Сертификат соответствия ИСО 9001-2015
на разработку и производство;
− Лицензия на осуществление работ
связанных с использованием сведений,
составляющих гостайну;
− Приемка ВП МО РФ.
Структура предприятия:
− Дизайн-центр проектирования
интегральных микросхем;
− Центр РЭА;
− Центр метрологии и измерений.
2

3. ПРОИЗВОДСТВО

«ИДМ-ПЛЮС» специализируется на разработке и
производстве микросхем, датчиков и измерительно испытательного оборудования. При разработке
датчиков применяется, в том числе, собственная
элементная база. Наше предприятие оказывает
услуги по следующим направлениям:
-
Услуги по проектированию интегральных
микросхем ( сложных аналого-цифровых и
цифро-аналоговых систем на кристалле (СнК);
-
Разработка датчиков и приборов (магнитные
датчики угловых перемещений, датчики тока на
основе эффекта холла, компенсационные датчики
тока и напряжения на эффекте холла, электронные
модули для датчиков угловых перемещений;
-
Разработка ПО и ВПО (обеспечение проектов
необходимыми библиотеками и инструментами);
-
Разработка измерительного оборудования
(разработка специализированных прецизионных
стендов контроля точностных характеристик
датчиков углового положения);
-
3
Услуги в области обратного проектирования.

4. НАШИ ЗАКАЗЧИКИ

4

5. УСЛУГИ

«ИДМ-ПЛЮС» предоставляет следующие услуги:
Проведение экспертизы проектов СБИС;
Проведение лабораторных исследований и
испытаний компонентной базы;
Проведение научно-исследовательских
работ;
Разработка рабочей конструкторской
документации (от ТЗ на НИР до
эксплуатационной документации);
Проектирование интегральных микросхем;
Обратное проектирование интегральных
микросхем;
Разработка датчиков по ТЗ Заказчика;
Разработка акселерометров и гироскопов
по ТЗ Заказчика;
Разработка РЭА на отечественных и
импортных комплектующих;
Организация серийного производства.
25

6.

Микросхема К5331НН015
датчика тока
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5% В;
• Ток потребления не более 25 мА;
• Бесконтактное измерение тока в печатном
проводнике с полной гальванической изоляцией;
• Программируемая чувствительность по току:
от 30 до 300 мВ/А;
• Точность измерения тока: от ±1 до ±2 %
(в зависимости от диапазона измеряемого тока);
• Детектируемый ток: от 100 мА до 100 А;
• Время срабатывания: не более 10 мкс;
• Полоса пропускания:
до 50 кГц (при задействовании АЦП и ЦАП)
до 70 кГц (без использования АЦП и ЦАП);
• Выходные интерфейсы:
- цифровой SPI
- радиометрический линейный выход
- ШИМ выход
- логический выход типа «открытый сток» с двумя
программируемыми порогами переключения;
• Исполнение: QLCC-32 10,7х10,7 мм, QFN40 6х6мм,
бескорпусное;
• Температурный диапазон: от - 60°С до + 125°С.
Области применения:
Источники питания: контроль тока аккумуляторных батарей;
Электроприводы: измерение, контроль и управление током в обмотках
электродвигателей;
Силовая электроника: контроль тока в АС/DC преобразователях;
Системы управления: разнообразные системы контроля и управления для
промышленной автоматики, авионики и ЖКХ.
6

7.

Микросхема К5331НХ025
магнитного On-Axis датчика положения
Основные параметры:
• Поддержка многооборотного режима: до 1024 оборотов;
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5 В;
• Функциональные аналоги: iC-MH, AS5145, AM8192,
• Ток потребления: не более 33 мА;
К1382НМ025, MLX90360;
• Скорость: 480 тыс. об/мин, 11 бит - 240 тыс. об/мин;
• Температурный диапазон: от - 60°С до +125°С;
12бит - 120тыс.об/мин; 13бит - 60тыс.об/мин,
• Корпус QFN-5x5-28.
14бит-30тыс.об/мин;
• Точность измерения тока: от ±0,35°;
(в зависимости от диапазона измеряемого тока);
• Детектируемый ток: от 100 мА до 100 А;
• Время включения: 2,5мс;
• Автоматическая регулировка усиления;
• Выходные интерфейсы: ратиометрический аналоговый,
SSI/SPI, A/B/Index, Step/DIR, OWI, PWM, UVW, синуснокосинусный дифференциальный выход;
Области применения:
Датчик положения ротора электродвигателей (вентильных, шаговых и т.д.);
малогабаритные энкодеры углового положения общепромышленного
назначения, замена потенциометров, малогабаритные датчики углового
положения различного назначения.
7

8.

Микросхема К5331НХ065
магнитного On-Axis датчика положения
Основные параметры:
• Напряжение питания 3,3 ± 0,3В;
• Ток потребления не более 30мА;
• Общая ошибка преобразования ± 0.35°;
• Макс. скорость вращения: 14 бит – 30 тыс. об/мин;
13 бит – 60 тыс. об/мин; 12 бит – 120 тыс. об/мин;
11 бит – 240 тыс. об/мин; 10 бит – 480 тыс. об/мин;
• Диапазон индукции магнитного поля 20-80мТ;
• Встроенный датчик температуры с программируемым
порогом формирования сигнала ошибки;
• Допустимое постоянное магнитное смещение: ±10 мТ;
• Интегрированный датчик температуры;
• Расстояние от магнита до микросхемы: 0.5-1.5 мм;
• Выходные интерфейсы: SPI/SSI, инкрементальный
интерфейс A/B/Z и STEP/DIR, однопроводный UVW; синуснокосинусный дифференциальный;
• Температурный диапазон: от - 60°С до +125°С;
• Корпус: QFN-5x5-28;
• Хранение настроек – во внешней I2C EEPROM (24C01
совместимые);
• Функциональные аналоги: iC-MH, AS5145, AM8192,
К1382НМ025.
Области применения:
Датчик положения ротора электродвигателей (вентильных, шаговых и т.д.);
малогабаритные энкодеры углового положения общепромышленного
назначения, замена потенциометров, малогабаритные датчики углового
положения различного назначения.
8

9.

Микросхема К5331НХ011
датчика магнитного поля на эффекте Холла
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5В;
• Чувствительность к магнитному полю: 25 мВ/мТл ± 5 %;
• Ток потребления: не более 9 мА ;
• Время включения: не более 32 мкс;
• Полоса пропускания: не менее 17кГц;
• Диапазон индукции магнитного поля: до ± 75мТл;
• Диапазон измеряемых токов: до ± 300А (при измерении
поля в зазоре магнитопровода)
• Тип корпуса: КТ-26В;
• Выходной интерфейс: аналоговый-ратиометрический;
• Температурный диапазон: от -60°С до +125°С;
• Функциональные аналоги : SS49 и SS495 (Honeywell),
• A1324 (Allegro LCC)
Области применения:
Источники питания: контроль тока аккумуляторных батарей;
Электроприводы: измерение, контроль и управление током в обмотках
электродвигателей;
Силовая электроника: контроль тока в АС/DC преобразователях;
Системы управления: разнообразные системы контроля и управления для
промышленной автоматики, авионики и ЖКХ.
9

10.

Микросхема К5331НХ015
датчика магнитного поля на эффекте Холла
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5В;
• Чувствительность к магнитному полю: 25 мВ/мТл ± 5%;
• Ток потребления: не более 9 мА;
• Время включения: не более 32 мкс;
• Полоса пропускания: не менее 17кГц;
• Диапазон индукции магнитного поля: до ± 75мТл;
• Диапазон измеряемых токов: до ± 300А (при измерении
поля в зазоре магнитопровода);
• Температурный коэффициент чувствительности: 0,03 %/˚С
• Тип корпуса: КТ-89;
• Выходные интерфейсы: аналоговый-ратиометрический;
• Функциональные аналоги : SS49 и SS495 (Honeywell),
• A1324 (Allegro LCC) ;
• Температурный диапазон: от -60°С до +125°С.
Области применения:
Источники питания: контроль тока аккумуляторных батарей;
Электроприводы: измерение, контроль и управление током в обмотках
электродвигателей;
Силовая электроника: контроль тока в АС/DC преобразователях;
Системы управления: разнообразные системы контроля и управления для
промышленной автоматики, авионики и ЖКХ.
10

11.

Микросхема К5331МХ015
Микросхема первичного преобразования и цифровой обработки
сигналов с датчиков давления, вибрации и температуры
Основные параметры:
• Напряжение питания: 2,7 ± 3,6 В;
• Ток потребления: не более 14 мА;
• Разрешение: 12 бит (один ЦАП) и 18 бит (2ЦАП);
• Встроенный источник тока – от 2 до 512 мкА;
• Встроенный источник напряжения – 2,4 В;
• Аналоговый выход: от 0 до 2,4 В;
• Выходные интерфейсы: UART, SPI, TWI, 1-Wire,
Debug, параллельный порт;
• Объём ЭСППЗУ – 32 Кбайта ;
• Температурный диапазон: от -60°С до +125°С;
• Корпус QLCC-40 (6,5x6,5мм).
Области применения:
Микросхема первичного преобразования и цифровой обработки сигналов с
датчиков давления, вибрации и температуры предназначена для обработки
входного сигнала, цифровой компенсации смещения, чувствительности,
температурного дрейфа и нелинейности датчиков, с помощью заложенных в
нее полиномиальных алгоритмов коррекции, реализуемых с помощью 16ти
разрядного RISC микропроцессора. Для хранения настроек и калибровочных
характеристик используется встроенное ЭСППЗУ (EEPROM).
11

12.

Микросхема К5331ЧП01Т
Микросхема трехосевого датчика магнитного поля
Основные параметры:
• Номинальное смещение нуля при 25°С, не более ±2,5
• Напряжение питания: 2,7 ± 3,6 В;
мТл;
• Ток потребления:
• Тип выходного сигнала: I2C;
– рабочий режим, частота выдачи данных 10 Гц:
• Поперечная чувствительность: не более ±1%;
не более 25 мкА;
• Температурный диапазон: от -40°С до +125°С;
– режим пониженного потребления (1 Гц):
• Корпус TSOP-6 (3,0х2,8х1,3 мм) или QFN-8 3,0х3,0х1,3;
не более 5 мкА;
• Функциональные аналоги: TLV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ),
– режим измерения 1 кГц: не более 4,5 мА;
TMAG5170-Q1 (Texas Instruments, США), MLX90333
• Погрешность измерения: не более ±1%;
(Melexis, Бельгия).
• Диапазон индукции магнитного поля: ±250 мТл;
• Погрешность датчика температуры: не более ±0,5 °С;
• Разрешение выходного сигнал: 14 бит;
• Максимальная частота выдачи данных: не менее 1000 Гц;
Области применения:
Интеллектуальные счетчики электроэнергии, манипуляторы управления,
выключатели, пороговые датчики.
12

13.

ДТМ
датчик тока магнитный
(ДТМ-05, ДТМ-10, ДТМ-35, ДТМ-50, ДТМ-70)
Основные параметры:
Напряжение питания: 5,0 ± 0,5В;
Ток потребления: не более 25 мА;
Тип измеряемого тока: переменный/постоянный;
Диапазон измеряемых токов: ±5А, ±10А, ±35А, ±50А, ±70А;
Выходные интерфейсы:
аналоговый-ратиометрический
цифровой (SPI)
компаратор
ШИМ-сигнал
Температурный диапазон: -60°С до +85°С;
Ошибка преобразования: ± 4% (ДТМ-05/ДТМ-10) /±10% (НКУ);
Функциональные аналоги: ACS756 (Allegro LCC), CDS4000
series (Sensitec Gmbh);
• Корпус: 40х20х11,3 мм/ 30х20х9,1 мм (ДТМ-05, ДТМ-10)
Описание:
Серия датчиков тока ДТМ предназначена для измерения силы постоянного, переменного и импульсного тока обоих
направлений и обеспечивает полную гальваническую развязку измерительной цепи. ДТМ обеспечивает
бесконтактное измерение тока в силовой цепи посредством измерения индукции магнитного поля создаваемое
протекающим в проводнике током, ДТМ устанавливается в разрыв цепи. Простота использования ДТМ позволяет
использовать его в любых системах где требуется контроль и измерение токов до ± 70А, в том числе: в системах
управления двигателями постоянного и переменного тока; в системах мониторинга и защиты электрических цепей
оборудования, аккумуляторов и источников питания. Конструкция ДТМ обеспечивает легкий монтаж на печатную
плату и коммутацию с силовыми цепями.
13

14.

ДТМ-100, ДТМ-150, ДТМ-200
датчик тока магнитный
Основные параметры:
Напряжение питания: 5,0 ± 0,5В;
Ток потребления: не более 25 мА;
Тип измеряемого тока: переменный/постоянный;
Диапазон измеряемых токов: ±100А, ±150А, ±200А;
Выходные интерфейсы:
аналоговый-ратиометрический
цифровой (SPI)
компаратор
ШИМ-сигнал
Температурный диапазон: -60°С до +85°С;
Ошибка преобразования: ±10% (НКУ);
Функциональные аналоги: ACS756 (Allegro LCC), CDS4000
series (Sensitec Gmbh);
• Корпус: 40,6х42х13,9 мм.
Описание:
Серия датчиков тока ДТМ предназначена для измерения силы постоянного, переменного и импульсного тока обоих
направлений и обеспечивает полную гальваническую развязку измерительной цепи. ДТМ обеспечивает
бесконтактное измерение тока в силовой цепи посредством измерения индукции магнитного поля создаваемое
протекающим в проводнике током, ДТМ устанавливается в разрыв цепи. Простота использования ДТМ позволяет
использовать его в любых системах где требуется контроль и измерение токов до ± 100А и ± 200А, в том числе: в
системах управления двигателями постоянного и переменного тока; в системах мониторинга и защиты электрических
цепей оборудования, аккумуляторов и источников питания. Конструкция ДТМ обеспечивает легкий монтаж на
печатную плату и коммутацию с силовыми цепями.
14

15.

ДТК
датчик тока компенсационный
(ДТК-50, ДТК-50М, ДТК-100, ДТК-100М, ДТК-150А, ДТК-150АМ)
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ±50А, ±100А, ±150А;
• Ток потребления: 55мА, 80мА, 105мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Ошибка преобразования: ±1%; ±0,5%; ±0,33% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: ДТХ-50 (НИИЭМ, Истра),
АK 50 B10 (LEM), TT 50-SD (LEM);
• Корпус: 44х34,5х21,2;
• Материал корпуса: пластик / металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
15

16.

ДТК-50А/ ДТК-50 АМ
датчик тока компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ± 50А;
• Ток потребления: 80мА;
• Выходные интерфейсы: аналоговый токовый;
• Ошибка преобразования: ±0,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LA 55-P/SP43 (LEM);
• Корпус: 36,1х33,2х17,1;
• Материал: пластик / металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
16

17.

ДТК-125/ ДТК-125М
датчик тока компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ±125А;
• Ток потребления: 155мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Ошибка преобразования: ±0,2% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LA125 (LEM);
• Корпус: 53,4х42,6x18,1;
• Материал: пластик / металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
17

18.

ДТК-150М
датчик тока компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ±150А;
• Ток потребления: 80мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Погрешность преобразования: ±0,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LA150-P (LEM);
• Корпус: 71,5 x 46,5 x 21,5 (проходное отверстие
для провода/шины Ø 15 мм)
• Материал корпуса: металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
18

19.

ДТК-400М
датчик тока компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ±400А;
• Ток потребления: 130мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Погрешность преобразования: ±0,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: SC135R-400A (LEM);
• Корпус: 100х70х20мм;
• Материал корпуса: металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
19

20.

ДТК-700М
датчик тока компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания: +15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: ±800А;
• Ток потребления: 140мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Погрешность преобразования: ±0,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LT 500-S (LEM);
• Корпус: 100х70х20мм;
• Материал корпуса: металл.
Описание:
Серия датчиков ДТК построена по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный
дрейф чувствительности элемента Холла. Компенсационная вторичная обмотка работает на высоких частотах как
трансформатор тока. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в проводнике.
Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет получить
напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих направлений.
20

21.

ДАТЧИК В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ
Основные параметры:
• Напряжение питания: ±15 В;
• Диапазон измеряемых токов: ±500А (эфф. знач.);
• Ток потребления: 30 мА;
• Выходной интерфейс: аналоговое напряжение;
• Погрешность преобразования: ±1% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: НАХ 500-S (LEM);
• Корпус: 144х62х52мм;
• Материал корпуса: пластик.
Описание:
Датчик тока прямого усиления с гальванической развязкой между силовой и измерительной цепями. Предназначен
для преобразования силы тока обоих направлений в пропорциональное выходное напряжение.
21

22.

ДАТЧИК В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ
Основные параметры:
• Напряжение питания: ±15 В, ±24 В;
• Диапазон измеряемых токов: ±500А/ ±1000А(эфф. знач.);
• Ток потребления: 30мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Погрешность преобразования: ±1% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LTC 600-SF/SP3; LTC 1000 SF/SP21 (LEM);
• Корпус: 100х130х82мм;
• Материал корпуса: пластик.
Описание:
Датчик тока построен по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный дрейф
чувствительности элемента Холла. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в
проводнике. Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет
получить напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих
направлений.
22

23.

ДАТЧИК В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ
Основные параметры:
• Напряжение питания: ±15 В, ±24 В;
• Диапазон измеряемых токов: ±1000А (эфф. знач.);
• Ток потребления: 30мА;
• Выходной интерфейс: аналоговый токовый;
• Погрешность преобразования: ±0,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: SC 145R-1000;
• Корпус: 120х102х34мм;
• Материал корпуса: пластик.
Описание:
Датчик тока построен по компенсирующей магнитный поток схеме, которая исключает температурный дрейф
чувствительности элемента Холла. Компенсационный ток вторичной обмотки пропорционален измеряемому току в
проводнике. Включение нагрузочного резистора последовательно с выходом вторичной обмотки позволяет
получить напряжение, пропорциональное измеряемому току. Датчик позволяет измерять величину тока обоих
направлений.
23

24.

ДАТЧИК В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ
Основные параметры:
• Напряжение питания: ±15 В;
• Диапазон измеряемых токов: ±800/1000А (эфф. знач.);
• Ток потребления: ±20мА;
• Выходной интерфейс: аналоговое напряжение;
• Погрешность преобразования: ±2% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -40°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Разъем: Molex 5045-04A
• Функциональные аналоги: HAT 800/1000-S;
• Корпус: 90х65х44,5мм;
• Материал корпуса: пластик.
Описание:
Датчик предназначен для измерения постоянных, переменных, а также импульсных токов с гальванической
развязкой между первичной и вторичной цепью.
24

25.

ДАТЧИК В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5 В;
• Диапазон измеряемых токов: ±400A(эфф. знач.);
• Ток потребления: ±25мА;
• Выходной интерфейс: аналоговое напряжение;
• Погрешность преобразования: ±2% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -40°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Разъем: Molex 5045-04A
• Функциональные аналоги: HASS 400-S;
• Корпус: 40,5х30х30мм;
• Материал корпуса: пластик.
Описание:
Датчик предназначен для измерения постоянных, переменных, а также импульсных токов с гальванической
развязкой между первичной и вторичной цепью.
25

26.

ДМПК
датчик тока прямого усиления с концентратором
(ДМПК-100, ДМПК-100М, ДМПК-200, ДМПК-200М, ДМПК-300, ДМПК-300М)
Основные параметры:
Напряжение питания: 5,0±0,5В;
Основная погрешность: ±2° (НКУ);
Ток потребления не более: 15 мА;
Диапазон измеряемых токов: ±100А, ±200А, ±300А;;
Выходной интерфейс: аналоговый ратиометрический;
Температурный диапазон: от минус 50°С до +85°С;
Функциональные аналоги: CSLA, HAAS, HAIS;
Корпус: 55х38х19,5 (Ø 38 внешний, Ø 11,5 внутренний)
Материал корпуса: пластик / металл
Описание:
Датчик обеспечивает бесконтактное измерение тока посредством измерения магнитного поля от измерительного
проводника, проходящего через отверстие в датчике. ДМПК основан на преобразовании магнитного поля проводника
с током в магнитный поток, индуцируемый в магнитопроводе. Магнитный поток измеряется микросхемой датчика
поля и преобразуется в выходное напряжение, пропорциональное протекающему току. ДМПК имеет аналоговый
ратиометрический выход и позволяет измерять токи обоих направлений. ДМПК обеспечивает полную
гальваническую развязку между силовой и измерительной цепью. Датчик тока ДМПК обладает высокой
чувствительностью и позволяет измерять постоянные и знакопеременные токи с точностью до ± 1%. Область
применения: системы управления электродвигатели постоянного тока; системы управления электродвигатели
переменного тока; источники питания; защитные устройства автоматики; аккумуляторные батареи, и т.д
26

27.

ДНК / ДНК-М
датчик напряжения компенсационный
Основные параметры:
• Напряжение питания:+15 ± 0,5В; -15 ± 0,5В;
• Диапазон измеряемых токов: -600…+600В;
• ICC не более: 55мА
• Выходной интерфейс: выход токовый;
• Макс. частота преобразования: 10кГц;
• Ошибка преобразования: ±1,5% (НКУ);
• Температурный диапазон (при эксплуатации): от -60°С
до +85°С (допускается расширение температурного
диапазона по согласованию с заводом-изготовителем);
• Функциональные аналоги: LV 25-P/SP43 (LEM);
• Корпус: 30х33х17,8 (без учета длины выводов):
• Материал корпуса: пластик / металл.
Описание:
Датчик напряжения предназначен для измерения постоянного и переменного напряжения в электрооборудовании.
Измерение напряжения реализовано на основе датчика Холла, расположенного в зазоре магнитопровода.
Выходным сигналом датчика является ток, пропорциональный измеряемому напряжению в проводнике. Датчик
включается в цепь параллельно с нагрузкой ток, протекающий во встроенной измерительной индуктивности
создает магнитное поле, встроенный электронный модуль на основе датчика Холла преобразовывает магнитное
поле в ток, который подается на компенсационную катушку через внешний нагрузочный резистор.
27

28.

ВМДП-И256-5
встраиваемый магнитный датчик положения
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5В;
• Ток потребления: 25 мA;
• Максимальная скорость вращения:
20000 об/мин;
• Ошибка преобразования: ±0,6°;
• Квадратурное разрешение:
256 – Квадрат. периодов на оборот
1024 - Фронтов сигнала на оборот
• Разрешение: 10 бит;
• Выходной интерфейс: квадратурный;
• Максимальная частота интерфейса: не менее 4МГц;
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С.
Описание:
ВМДП-И256-5 малогабаритное, функциональный модуль датчика положения с инкрементальным интерфейсом.
ВМДП-И256-5 состоит из магнитного системы и платы датчика. Вращение магнитной системы распознается
специальной микросхемой (К5331НХ025), установленной на плате, и обрабатывается до получения требуемого
формата вывода. Выходные сигналы предоставляются в стандартном инкрементальном формате. ВМДП-И256-5
может быть интегрирован в оборудование, используемое в широком спектре области применений, включая: морскую,
медицинскую, печатную, конвертирующую, промышленную автоматизацию, управление двигателем и контрольноизмерительные приборы.
28

29.

БЭ60
функциональный модуль магнитного датчика положения
Основные параметры:
Напряжение питания: 5,5 -7В;
Ток потребления: 25 мA;
Максимальная скорость вращения: 8000 об/мин;
Выходной интерфейс: аналоговый;
Диапазон измеряемого угла: ±40°;
Разрешение:12 бит;
Время включения: 2,5 мс;
Ошибка преобразования: ±0,6°;
Температурный диапазон: от -40°С до +85°С;
Размер корпуса: 36,31х33,8х12,1.
Описание:
БЭ60 малогабаритный, функциональный модуль магнитного датчика положения с аналоговым интерфейсом. БЭ60
состоит из магнитной системы и платы датчика. Выходные сигналы формируются в стандартном аналоговом
формате. Традиционный дизайн позволяет легко интегрировать модуль датчика углового положения БЭ60 в
существующие и вновь разрабатываемые системы. Благодаря применению микросхем К5331НХ025, разработки и
производства ООО «ИДМ-ПЛЮС», имеется возможность выбора интерфейса. Основные области применения
модуля: контроль положения вращающихся деталей в редукторах, системах управления электродвигателями, на
исполнительных устройствах промышленной автоматики и т.п.
29

30.

БЭ90
функциональный модуль магнитного датчика положения
Основные параметры:
Напряжение питания: 27В;
Ток потребления: 25 мA;
Максимальная скорость вращения: 8000 об/мин;
Диапазон измерений угла: 0-90°;
Разрешение: 12 бит;
Ошибка преобразования: ±0,6°;
Выходной интерфейс: 2 канала аналоговых;
Время включения: 2,5мс;
Температурный диапазон: от -60°С до +125°С;
Размер корпуса: 32,9 х 17,25 х 5мм.
Описание:
БЭ90 малогабаритный, функциональный модуль магнитного датчика положения с аналоговым интерфейсом. БЭ60
состоит из магнитной системы и платы датчика. Выходные сигналы формируются в стандартном аналоговом
формате. Традиционный дизайн позволяет легко интегрировать модуль датчика углового положения БЭ60 в
существующие и вновь разрабатываемые системы. Благодаря применению микросхем К5331НХ025, разработки и
производства ООО «ИДМ-ПЛЮС», имеется возможность выбора интерфейса. Основные области применения
модуля: контроль положения вращающихся деталей в редукторах, системах управления электродвигателями, на
исполнительных устройствах промышленной автоматики и т.п.
30

31.

ИМД20
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5 В;
• Ток потребления: 40 мA;
• Диапазон измерений: 0-360°;
• Разрешение: 12 бит (SSI/SPI);
• Максимальная скорость вращения: 8000 об/мин;
• Абсолютная погрешность измерений: ±0,4% (±1% для
аналогового выхода)
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С;
• Выходные интерфейсы: SSI/SPI, инкрементальный,
аналоговый, SSI (дифференциальный), SSI +
инкрементальный, SPI + инкрементальный;
• Функциональные аналоги: СП5-21, ЛИР-120, ЛИР119А;
• Корпус: Ø20х16 .
Описание:
ИДМ20 является компактным, высокоскоростным магнитным датчиком углового положения, предназначенный для
использования в жестких условиях эксплуатации. Традиционный дизайн позволяет легко интегрировать датчик
углового положения ИДМ20 в существующие и вновь разрабатываемые системы. Микросхема К5331НХ025
преобразует магнитное поля в код положения, с разрешением до 12 бит с высокими эксплуатационными
характеристиками. Датчик углового положения в диаметре составляет 20 мм и обеспечивает защиту до IP68.
Применение датчика ИДМ20 позволит повысить точность позиционирования вращающихся деталей в редукторах,
системах управления электродвигателями, на исполнительных устройствах промышленной автоматики и т.д.
31

32.

ИМД20.2
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5 В;
• Ток потребления: 40 мA;
• Диапазон измерений: 0-360°;
• Разрешение: 12 бит (SSI/SPI);
• Максимальная скорость вращения: 8000 об/мин;
• Абсолютная погрешность измерений: ±0,4% (±1% для
аналогового выхода)
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С;
• Выходные интерфейсы: SSI/SPI, инкрементальный,
аналоговый, SSI (дифференциальный), SSI +
инкрементальный, SPI + инкрементальный;
• Функциональные аналоги: СП5-21, ЛИР-120, ЛИР119А;
• Корпус: Ø20х20,9 вал Ø2/3х10,1 .
Описание:
Энкодер является компактным, высокоскоростным магнитным датчиком углового положения, предназначенным для
использования в жёстких условиях эксплуатации. Традиционный дизайн позволяет легко интегрировать датчик
углового положения ИДМ20.2 в существующие и вновь разрабатываемые системы. Устройство преобразует
величину измеренного магнитного поля в код положения, с разрешением 12 бит и обеспечивает абсолютную
погрешность измерений не более ±0,4° во всем диапазоне от 0° до 360°. Степень защиты энкодера - , IP54, IP68
(спец.исполнение)*. ИДМ20.2 с допустимой радиальной 10H и осевой 5H механической нагрузкой на вал. Основные
области применения энкодера: контроль положения вращающихся деталей в редукторах, системах управления
электродвигателями, на исполнительных устройствах промышленной автоматики и т.п.
32

33.

ИМД28
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Диапазон измерений: от 0 до 360°;
• Абсолютная погрешность измерений во всем
диапазоне: не более ± 0,4°;
• Напряжение питания: 5 В;
• Ток потребления: не более 40 мА;
• Выходные интерфейсы:
- SPI/SSI
- инкрементальный
- аналоговый
- Функциональные аналоги: PIHER PSC-360U;
• Максимальная частота вращения вала: 8000 об/мин;
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С;
• Нагрузка на вал, осевая / радиальная: 3Н/5Н ;
• Корпус: 34х28х36.
Описание:
Энкодер ИДМ28 является компактным, высокоскоростным магнитным датчиком измерения углового положения,
предназначенным для использования в жёстких условиях эксплуатации. Выходной сигнал прямо пропорционален
углу поворота вала, что позволяет сразу же обрабатывать его с помощью цифровых систем без каких-либо
дополнительных навесных элементов и цепей преобразования. Выдача выходного сигнала производится по широко
распространённому интерфейсу SPI. Традиционный дизайн (габаритные размеры совпадают с размерами энкодера
PIHER PSC-360U) позволяет легко интегрировать датчик углового положения ИДМ28 в существующие и вновь
разрабатываемые системы. Устройство преобразует вращение вала в 12-тиразрядный цифровой код и
обеспечивает абсолютную погрешность измерений не более ±0,4° во всем диапазоне от 0° до 360°.
33

34.

ИМД30
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Напряжение питания: 5,0 ± 0,5 В;
• Ток потребления: 40 мA;
• Диапазон измерений: 0-360°;
• Разрешение: 12 бит (SSI/SPI);
• Максимальная скорость вращения: 8000 об/мин;
• Абсолютная погрешность измерений: ±0,4% (±1% для
аналогового выхода)
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С;
• Выходные интерфейсы: SSI/SPI, инкрементальный,
аналоговый, SSI (дифференциальный), SSI +
инкрементальный, SPI + инкрементальный;
• Функциональные аналоги: СП5-21, ЛИР-120, ЛИР119А;
• Корпус: Ø30х21 вал Ø2/3х10,2 .
Описание:
ИДМ30 является компактным, высокоскоростным магнитным датчиком углового положения, предназначенный для
использования в жестких условиях эксплуатации. Традиционный дизайн позволяет легко интегрировать датчик
углового положения ИДМ30 в существующие и вновь разрабатываемые системы. Благодаря применению
микросхемы К5331НХ025 существует возможность выбора большого набора интерфейсов. Микросхема К5331НХ025
преобразует магнитное поля в код положения, с разрешением до 13 бит (8 192 отсчета на оборот) с высокими
эксплуатационными характеристиками. Датчик углового положения в диаметре составляет 30 мм и обеспечивает
защиту до IP68. Применение датчика ИДМ30 позволит повысить точность позиционирования вращающихся деталей
в редукторах, системах управления электродвигателями, на исполнительных устройствах промышленной
автоматики и т.д.
34

35.

ИМД45А
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
Напряжение питания: 7-30 В;
Ток потребления: 40 мA;
Диапазон измерений: 0-360°;
Разрешение: 12 бит;
Абсолютная погрешность измерений: ±0,4%;
Длина кабеля/разъем: 200/РСГ10 ТВ;
Температурный диапазон: от -40°С до +85°С;
Выходные интерфейсы: SSI (дифференциальный);
Функциональные аналоги: ЛИР-МА142, ЛИР 158Г;
Корпус: Ø45х45 вал Ø8х20,5 .
Описание:
ИДМ45 разработан для применения на борту гражданских судов в составе рулевых приводов. При разработке
энкодера особое внимание уделялось защите встроенной электроники от воздействия влаги и помех в цепи питания.
Благодаря применению микросхемы К5331НХ025, существует возможность выбора большого набора интерфейсов.
Микросхема К5331НХ025 преобразует магнитное поля в код положения, с разрешением до 12бит с высокими
эксплуатационными характеристиками. Датчик углового положения в диаметре составляет 45мм, вал 8 мм, а также
датчик обеспечивает защиту до IP68. Применение датчика ИДМ45 позволит повысить точность позиционирования
вращающихся деталей в редукторах, системах управления электродвигателями, на исполнительных устройствах
промышленной автоматики и т.д.
35

36.

ИМД45МБ
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
Напряжение питания: 7-30 В;
Ток потребления: 50 мA;
Диапазон измерений: 0-360°;
Разрешение: 12 бит;
Абсолютная погрешность измерений: ±0,5%;
Длина кабеля/разъем: 200/РСГ10 ТВ;
Температурный диапазон: от -40°С до +85°С;
Выходные интерфейсы: TIA/EIA-RS-485-A, протокол
Modbus-RTU;
• Функциональные аналоги: ЛИР-МА142, ЛИР 158Г;
• Корпус: 60,5х65,вал Ø8х20,5 .
Описание:
ИДМ45МВ представляет собой 12-разрядный угловой датчик положения с интегрированными датчиками Холла,
которые реагируют на положение постоянного магнита, закрепленного на валу энкодера. Блок формирования сигнала
генерирует постоянные синусоидальные и косинусные напряжения, которые используются для расчета угла.
Разрешение может быть запрограммировано до максимально 4096 угловых приращений. Энкодер работает в slaveрежиме по протоколу Modbus-RTU через интерфейс TIA/EIA-RS-485-A. Чтение данных из внутренних регистров
энкодера производится с помощью функции 0х04 протокола Modbus RTU, а запись данных в регистры производится с
помощью функции 0х06 протокола Modbus RTU Применение датчика ИДМ45МВ позволит повысить точность
позиционирования вращающихся деталей в редукторах, системах управления электродвигателями, на
исполнительных устройствах промышленной автоматики и системах АСУТП.
36

37.

ИМД45АМВ
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
Напряжение питания: 7-30 В;
Ток потребления: 50 мA;
Диапазон измерений: 0-360°;
Разрешение: 12 бит;
Абсолютная погрешность измерений: ±0,5%;
Длина кабеля/разъем: 200/РСГ10 ТВ;
Температурный диапазон: от -40°С до +85°С;
Выходные интерфейсы: : TIA/EIA-RS-485-A, протокол
Modbus-RTU;
• Функциональные аналоги: ЛИР-МА142, ЛИР 158Г;
• Корпус: Ø45х45,вал Ø8х20,5 .
Описание:
ИДМ45АМВ представляет собой 12-разрядный угловой датчик положения с интегрированными датчиками Холла,
которые реагируют на положение постоянного магнита, закрепленного на валу энкодера. Блок формирования сигнала
генерирует постоянные синусоидальные и косинусные напряжения, которые используются для расчета угла.
Разрешение может быть запрограммировано до максимально 4096 угловых приращений. Энкодер работает в slaveрежиме по протоколу Modbus-RTU через интерфейс TIA/EIA-RS-485-A. Чтение данных из внутренних регистров
энкодера производится с помощью функции 0х04 протокола Modbus RTU, а запись данных в регистры производится с
помощью функции 0х06 протокола Modbus RTU Применение датчика ИДМ45АМВ позволит повысить точность
позиционирования вращающихся деталей в редукторах, системах управления электродвигателями, на
исполнительных устройствах промышленной автоматики и системах АСУТП.
37

38.

ИМД50
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
Диапазон измерений: от 0 до 360°;
Напряжение питания: 5 В ;
Ток потребления: 40 мА;
Выходные интерфейсы:
Инкрементальный (дифф. RS-422);
Разрешение: 64 отсчетов;
Максимальная частота вращения вала: 2000 об/мин.;
Температурный диапазон: от -55˚С до +60˚С;
Функциональные аналоги: ЛИР-276А, ЛИР-376А;
Корпус: 90х89.8х20.
Описание:
.Энкодер ИДМ50 является магнитным инкрементальным датчиком углового перемещения, предназначенным для
использования в различных условиях эксплуатации. Компактные габариты и возможность установки на валы
различных диаметров позволяет легко интегрировать датчик углового перемещения ИДМ50 в существующие и вновь
разрабатываемые системы. Устройство преобразует величину изменения магнитного поля в инкрементальный
выходной код с разрешением 64 отсчёта во всем диапазоне от 0° до 360°. Выходной сигнал имеет физические
уровни, соответствующие стандарту RS-422. Допустимая для ИДМ50 механическая радиальная нагрузка на вал 110H, осевая нагрузка на вал - 20H. Энкодер ИДМ50 отлично зарекомендовал себя как по надежности так и по
точностным характеристикам.
38

39.

ИМД58
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Диапазон измерений: от 0 до 360°;
• Абсолютная погрешность измерений
во всем диапазоне: не более ± 0,1°;
• Разрешение датчика: 17 бит;
• Напряжение питания: 5-20 В;
• Ток потребления не более 100 мА;
• Выходные интерфейсы:
- SSI (диф)
- Инкрементальный (диф);
• Максимальная частота вращения вала: 10000 об/мин.;
• Температурный диапазон: от -40°С до +115°С;
• Функциональные аналоги: ЛИР-158;
• Корпус: Ø58х58.
Описание:
ИДМ58 является датчиком углового положения повышенной точности с разрешением до 17 бит с
магниточувствительной сенсорной микросхемой. Применение магнитного кодирующего диска и микросхемы с
нониусной сшивкой позволило повысить точность определения углового положения вала исполнительного механизма
и уйти от погрешностей оптической системы. Дизайн с конусным валом и креплением через вал позволяет легко
интегрировать датчик углового положения ИДМ58 в существующие и вновь разрабатываемые системы. Высокая
точность измерения углового положения вала исполнительного механизма при помощи ИДМ58 позволяет получить
системы позиционирования прецизионного класса, которые можно использовать в устройствах различного
назначения.
39

40.

ИДМ2015
интеллектуальный магнитный датчик углового положения
Основные параметры:
• Диапазон измерений: от 0 до 360°;
• Абсолютная погрешность измерений
во всем диапазоне: не более ± 0,6°;
• Разрешение датчика: 12 бит;
• Напряжение питания: 5 В;
• Ток потребления не более: 25 мА;
• Выходные интерфейсы:
- SSI/SPI
- Аналоговый
- Инкрементальный;
• Максимальная частота вращения вала: 8000 об/мин.;
• Температурный диапазон: от -40°С до +105°С;
• Функциональные аналоги: ENC1J-777419 Bourns;
• Корпус: 21,2х15,8х41,5мм .
Описание:
Энкодер ИДМ2015 является компактным, высокоскоростным магнитным датчиком измерения угла поворота и
углового положения, предназначенным для использования в жёстких условиях эксплуатации. Энкодер ИДМ2015
подходит для использования в качестве органов управления на панелях электронных приборов, а также для
определения положения или величины угла поворота исполнительных устройств в широком спектре отраслей, где
требуется высокая надёжность, быстрая скорость работы и длительный срок службы. Не смотря на малые
габариты, выходной сигнал ИДМ2015 прямо пропорционален углу поворота вала, что позволяет сразу же
обрабатывать его с помощью цифровых систем без каких-либо дополнительных навесных элементов и цепей
преобразования. Доступные исполнения обеспечивают различные варианты выходного сигнала - 2-битный
квадратурный сигнал либо двоичный цифровой сигнал
40

41. БИМС

Серия измерительных систем БИМС предназначена для определения абсолютного
или инкрементального значения углового положения вала, а также линейного
перемещения штока подвижной системы. БИМС представляет собой комбинацию
из дисков (или линеек) и бесконтактного считывающего блока.
Ключевыми преимуществами БИМС являются:
- прямое измерение перемещения, без использования редукторов;
- бесконтактный метод измерения;
- возможность работать на больших диаметрах;
- высокая точность;
- высокая стойкость к внешним воздействующим факторам;
- класс защиты Ip68.
Основные параметры системы:
- диаметр вала от 200 до 2000 мм;
- разрешение преобразования до 21 бит;
- скорость вращения до 1000 об/мин (зависит от
разрешения и диаметра дисков);
- ошибка определения положения до 20” (зависит от
конструктива, обработки);
- диапазон рабочих температур до -60…85° С;
- напряжение питания до 30В;
- ВВФ по ГОСТ РВ 20.39.304-98;
- защита оболочки до Ip68.
41

42.

БИМС-250-1
безредукторная масштабируемая измерительная система
Основные параметры:
Внутренний диаметр: 250 мм;
Тип: инкрементальный / абсолютный;
Максимальная скорость вращения: не менее 60 об/мин;
Разрешение преобразования: 18 бит;
Точность преобразования: ± 20 ";
Выходные интерфейсы: Fiber Optic/SSI RS-485;
Напряжение питания: 16-30В
Класс защиты: оболочки Ip68.
Ключевые особенности:
Ключевыми преимуществами БИМС являются:
- прямое измерение перемещения, без использования редукторов;
- бесконтактный метод измерения;
- возможность работать на больших диаметрах;
- высокая точность;
- высокая стойкость к внешним воздействующим факторам;
- класс защиты Ip68.
42

43.

БИМС-315-1
безредукторная масштабируемая измерительная система
Основные параметры:
Внутренний диаметр: 315 мм;
Тип: инкрементальный / абсолютный;
Максимальная скорость вращения: не менее 60 об/мин;
Разрешение преобразования: 16 бит;
Точность преобразования: ± 0,1°;
Выходные интерфейсы: SSI RS-485;
Напряжение питания: 16-30В
Класс защиты: оболочки Ip68.
Ключевые особенности:
Ключевыми преимуществами БИМС являются:
- прямое измерение перемещения, без использования редукторов;
- бесконтактный метод измерения;
- возможность работать на больших диаметрах;
- высокая точность;
- высокая стойкость к внешним воздействующим факторам;
- класс защиты Ip68.
43

44.

БИМС-1400-1
безредукторная масштабируемая измерительная система
Основные параметры:
Внутренний диаметр: 1317 мм;
Тип: инкрементальный / абсолютный;
Максимальная скорость вращения: не менее 10 об/мин;
Разрешение преобразования: 20 бит;
Точность преобразования: ± 20 ";
Выходные интерфейсы: Fiber Optic/SSI RS-485;
Напряжение питания: 16-30В
Класс защиты: оболочки Ip68.
Ключевые особенности:
Ключевыми преимуществами БИМС являются:
- прямое измерение перемещения, без использования редукторов;
- бесконтактный метод измерения;
- возможность работать на больших диаметрах;
- высокая точность;
- высокая стойкость к внешним воздействующим факторам;
- класс защиты Ip68.
44

45.

ИДП 115
индуктивный датчик положения
Основные параметры:
Размер корпуса: Ø225х36мм;
Ток потребления не более 300мА;
Диапазон измеряемого угла: 0-360°;
Разрешение преобразования: 14-20 бит;
Точность преобразования: до 30 ";
Поддерживаемые интерфейсы: SSI RS-485;
Напряжение питания: 16-30В
Температурный диапазон: от -50°С до +70°С;
Время инициализации не более 100мс.
Ключевые особенности:
Ключевыми преимуществами ИДП 115 являются:
- высокая точность;
- возможность работать в жестких условиях эксплуатации, а также на открытом воздухе;
- отечественная ЭКБ.
45

46. ТЕХНОЛОГИЯ МАГНИТНЫХ ДАТЧИКОВ

Использование туннельного магниторезистивного
эффекта (ТМР) для детектирования магнитного
поля
Формирование магниторезистивной структуры на
поверхности кристалла ИМС
ИМС с полной обработкой выходного сигнала
датчика.
Кооперация:
ТМР-структура
Разработка ASIC и TМР-датчика: IDM+
Изготовление ТМР-структуры: Crocus
Nanoelectronics
Изготовление ASIC: фабрика 200-300 мм
Кристалл ASIC
46

47. ДАТЧИК ОСЕВОГО ПОЛОЖЕНИЯ

Проект: ASIC для ТМР-датчика осевого положения
Структура: КМОП-структура с 2 ТМР мостовыми схемами на поверхности
QFN16 4x4мм корпус
Аналоги: TLE5012
(Infineon), TMR3101 (MDT)
Размер кристалл: 2x2 мм max
6300 кристаллов на подложке 200 мм
47

48.

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МЭМС-АКСЕЛЕРОМЕТРА И
МЭМС-ИНКЛИНОМЕТРА
Плоскопараллельная структура
ЧЭ с маятниковым подвижным
элементом (аналог Colibrys)
Размеры
кристалла ЧЭ:
1,8х1,8х0,6 мм
Сборка
кристаллов с
элементами
3D интеграции
Рабочий
диапазон
МЭМС-акселерометра
задается
размерами
подвижной структуры
Основные
диапазоны
ускорения: 10, 20, 50 и
100 g
МЭМС-акселерометр
выполнен в стандартном
малогабаритном основании
с профилированной
крышкой
Прототип ЧЭ в корпусе
ЧЭ по оси Х –
емкостный
встречноштыревой МЭМСакселерометр
ЧЭ по оси Y– ЧЭ
по оси Х,
повернутый на 90°
ЧЭ по оси Z –
емкостный
плоскопараллель
ный МЭМСакселерометр с
торсионным
подвесом
48

49. Микросхема обработки сигнала МЭМС-акселерометра

МИКРОСХЕМА ОБРАБОТКИ СИГНАЛА МЭМСАКСЕЛЕРОМЕТРА
Малошумящий
18бит АЦП канала
ускорения
18бит АЦП
внутренней/внешне
й температуры
малошумящий
термостабильный
источник опорного
напряжения
14бит ЦАП
понижающий
стабилизатор
питания NVRAM
памяти с 3,3 В на
1,8 В
тактовый RC генератор
цифровая часть представлена: блоком полиномиальной
калибровки, блоком памяти NVRAM, блоком
последовательного интерфейса SPI
IC in C-QFP package:
9,2mm*7,6mm
Размер кристалла:
2,2мм*2,44мм
49

50. Микросхема обработки сигнала МЭМС-акселерометра

Напряжение, В
МИКРОСХЕМА ОБРАБОТКИ СИГНАЛА МЭМСАКСЕЛЕРОМЕТРА
Температурный дрейф ИОН
Температурный
дрейф ИОН : 23,6
ppm/°C
Температура, °C
Шум: ± 1,5 разряда
на 4096 OSR
Погрешность входного сигнала, %ПШ
Погрешность выходного сигнала, %ПШ
Блок цифровой
коррекции
Ускорение, м/с^2
Погрешность датчика темп., %ПШ
Температура, °C
Полиномиальная
компенсация нулевого
сигнала,
чувствительности,
температурного дрейфа
и нелинейности –
типичная итоговая
погрешность <0,02%
ПШ
измерения
расчет
Температура, °C
50

51. малогабаритный датчик абсолютного давления

МАЛОГАБАРИТНЫЙ ДАТЧИК
АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ
Миниатюрный кремниевый
тензорезистивный
преобразователь абсолютного
давления
Аналого-цифровая схема
обработки
Встроенный алгоритм
полиномиальной компенсации
Погрешность преобразования
не хуже 0,1% полной шкалы
Рабочий диапазон
температуры: минус 60°С –
+150°С
Размеры
преобразователя:
2,0х2,0х1,5 мм
Результаты измерений
Преобразователь
Датчик в малогабаритном
металлокерамическом
корпусе
Схема
обработки
Макетная плата для отработки
методики
калибровки
51

52.

МИКРОСХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЁМКОСТЬ-НАПРЯЖЕНИЕ
С МАЛЫМ ПОТРЕБЛЕНИЕМ И АНАЛОГОВЫМ ВЫХОДОМ
Наименование параметра,
Обознаединица измерения,
чение
режим измерения
Схема включения
ИМС является аналогом преобразователя емкость-напряжение
XE2004. Основное отличие от предыдущей схемы – выдача выходного
сигнала относительно середины питания, более широкий диапазон
напряжения питания от 2,7 до 6В, меньшее потребление не более 1мА
Микросхема состоит из следующих блоков:
не менее
не более
―
1
1 Ток потребления, мА при
UСС=(3,3±0,33) В
IСС
2 Выходное напряжение
на выводе UREF, В
UREF
3 Диапазон выходного
напряжения, В
δUO
0,3
UСС-0,3
4 Максимальный
выходной ток, мА
IO.MAX
―
0,5
δk
20
500
BW
―
1
fC
19
21
8 Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL
―
0,8
9 Выходное напряжение
высокого уровня, В, не
менее
UOH
2,8
―
5 Коэффициент
преобразования, мВ/пФ
Структурная схема микросхемы
Норма параметра
6 Полоса пропускания
преобразователя, кГц
7 Частота генерирования
измерительных
усилителей, кГц
0,5∙UСС-0,15 0,5∙UСС+0,15
преобразователь емкость-напряжение;
10 Диапазон входных
Свх
1
100
емкостей, пФ
выходной буфер;
последовательный интерфейс SPI;
Микросхема преобразователя емкость-напряжение со
температурный датчик;
встроенным EEPROM
блок сброса по включению питания POR;
Сочетает в себе функционал двух предыдущих схем с собственной
детектор перегрузки;
энергонезависимой памятью. Данная микросхема может работать относительно
встроенного источника опорного напряжения, относительно середины питания, от
источник опорного напряжения ИОН;
внешнего источника опорного напряжения. Входной тракт преобразователя идентичен
52

53.

МИКРОСХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЁМКОСТЬ-НАПРЯЖЕНИЕ ДЛЯ
АКСЕЛЕРОМЕТРОВ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ
Микросхема выполнена по полупроводниковой технологии на комплементарных МОП-транзисторах.
Электрические параметры микросхемы
Буквенное
обозначение
параметра
Наименование параметра,
единица измерения, режим измерения
1
Ток потребления положительного напряжения питания, мА
при Rн = ∞
Ток потребления отрицательного напряжения питания, мА
при Rн = ∞
Коэффициент преобразования, мА/пФ,
при КУ = 1, Rпнт = 15 Ом, <A> = 1, Rн = 200 Ом
Нестабильность коэффициента преобразования, %,
при КУ = 1, Rн = 200 Ом
Коэффициент преобразования
преобразователя емкость-напряжение, В/пФ,
при КУ = 1
2
ИС усилителя обратной связи акселерометра представляет собой
Норма
параметра
Не
Не
менее
более
3
4
IПОТ1
6
IПОТ2
6
KЕТ
3
1
0,5
2, 3
0,12
0,15
0,24
0,3
0,48
0,6
∆IВЫХ
-50
50
∆UВЫХ
-10
10
∆KЕТ
KЕН
<A>=4
Диапазон выходного тока преобразователя
напряжение-ток, мА,
при Rн = 200 Ом
Диапазон выходного напряжения преобразователя
напряжение-ток, В,
при Iвых = 50мА
Частота прямоугольного сигнала на выходе источника питания датчика, кГц
Напряжение смещения нуля преобразователя
напряжение-ток, мВ,
при ∆С = 0, КУ = 1
Изменение напряжения смещения нуля преобразователя напряжение-ток от
запуска к запуску, мВ,
при ∆С = 0, КУ=1, Rн = 5 кОм
Изменение напряжения смещения нуля преобразователя напряжение-ток за 12
часов, мВ,
при ∆С = 0, КУ = 1, Rн = 5 кОм
Изменение напряжения смещения нуля преобразователя напряжение-ток за 12
часов, мВ,
при ∆С = 0, КУ = 1, Rн = 5 кОм
Изменение напряжения смещения нуля преобразователя напряжение-ток при
изменении температуры, мкв/ оС,
при ∆С = 0, КУ = 1, Rн = 5 кОм
Напряжение пульсаций на выходе преобразователя напряжение-ток
(среднеквадратическое), мВ,
при Rн = 5 кОм, КУ = 1
Амплитуда переменной составляющей на выходе преобразователя
напряжение-ток, мВ,
при Rн = 5 кОм, КУ = 1
Время установления сигнала на выходе микросхемы при включении питания, с,
при ∆С = 1пФ, Rн = 200 Ом
5
2,5
<A>=1
<A>=2
Примечание
fГ
110
190
Uсм
-60
60
ΔUСМ(З-З)
-0,7
0,7
ΔUСМ(t)
-0,7
0,7
ΔUСМ(t)
-0,7
0,7
ΔUСМ(Т)
-25
25
UПЛ
-10
10
UВН.А
30
ТСТ
Полоса пропускания преобразователя напряжение-ток по уровню -3дБ, кГц
Δf
при СН = 0, UП = 15 В, Rн = 200 Ом, КУ = 1
<A> - множитель коэффициента преобразования преобразователя емкость-напряжение
Примечания:
1 Диапазон разности входных емкостей 13-52пФ;
2 Суммарное в течение запуска, от запуска к запуску, в течение срока эксплуатации по п.4;
3 При неизменной температуре и напряжении питания;
4 При неизменной температуре;
5. Изменение температуры со скоростью до 3оС/мин, при неизменном напряжении питания.
60
5
тракт преобразующий разность входных емкостей в выходной ток. Тракт
усилителя состоит из преобразователя емкость-напряжение, активного
фильтра (УПТ) построенного на основе интегрального операционного
усилителя и внешних RC элементов определяющих его передаточную
характеристику, а также преобразователя напряжение-ток.
Коэффициент
напряжение
имеет
преобразования
постоянное
преобразователя
значение
1В/пФ.
емкость-
Коэффициент
преобразования УПТ имеет частотную зависимость и определяется
3
внешними RC элементами.
3
3
5
Микросхема
состоит
из
следующих блоков:
преобразователь
входных
емкостей в напряжение с генератором
частоты;
активный фильтр усилителя
постоянного тока (УПТ) выполненного на
основе операционного усилителя;
преобразователь напряжениеток (ПНТ);
формирователь
пониженного
напряжения ±2,5 В, ±7,5 В;
подстройка
смещения
нуля
датчика.
Схема включения
53

54.

МИКРОСХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЁМКОСТЬ-НАПРЯЖЕНИЕ
СО ВСТРОЕННЫМ ОПОРНЫМ ИСТОЧНИКОМ И АНАЛОГОВЫМ
ВЫХОДОМ
Электрические параметры микросхемы
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
1 Опорное напряжение, В,
Норма параметра
не
не
менее
более
UREF1
1,14
1,14
1,26
1,3
UREF2
1,85
2,15
UST
3,75
4,25
UOUT1)
0,5
UCC–0,5
ICC
–
10
при UCC = 5,5 В 10 %
IU.MAX
–
2
7 Диапазон измеряемых емкостей, пФ
CSENS2)
1,5
120
8 Максимальная разность емкостей сенсора,
преобразуемая микросхемой, пФ
ΔCSENS2)
–
50
fCLK
110
–
UNO
–
0,9
k
40
700
N3)
–
0,04
при UCC = 5,0 В 10 %
2 Опорное напряжение с делителя, В,
при UCC = 5,0 В 10 %
3 Стабилизированное напряжение питания, В,
при UCC = 5,0 В 10 %
4 Напряжение на выходе U, В,
при UCC = 5,0 В 10 % и UIH = (4,5 0,5) В
5 Ток потребления, мА,
при UCC = 5,5 В 10 %
6 Максимальный выходной ток выходного буфера, мА,
9 Рабочая частота измерительных усилителей, кГц,
при UCC = 5,0 В 10 %
Схема включения
Обозначение
10 Случайная составляющая на выходе U, СКО, мВ,
при UCC = 5,0 В 10 %
11 Коэффициент преобразования, мВ/пФ,
при UCC = 5,0 В 10 %, UOC ≤ 5,0 В,
UIL ≤ 0,8 В, IOL 4 мА, IOH ≥ 2 мА и
(tLHRF, tHLRF) 5 нс
12 Спектральная плотность шума на выходе U, мВ,
при UCC = 5,0 В 10 %
1)
2)
3)
При линейном изменении емкостей сенсора.
Гарантируется конструкцией.
Значение параметра проверяют косвенно при измерении случайной составляющей на выходе U, СКО и при проведении ФК.
Закон формирования
выходного сигнала
Условия устойчивости при
различных номиналах
емкостей датчика
Введение в формулу расчета
выходного сигнала
компенсационных емкостей
обусловлено конструкцией
датчика.
54

55.

МИКРОСХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 3Х-ОСЕВОГО АКСЕЛЕРОМЕТРА И
ИНКЛИНОМЕТРА
Напряжение питания 1,8…3,6В;
Ток потребления не более 10мА;
Разрядность выходного кода 18 бит;
Аналоговый выход ЦАП 16 бит;
Полоса пропускания – 0,01 - 1 кГц;
Интерфейс обмена данными SPI;
Тип. входная суммарная емкость 20 пФ;
Макс. разность входных емкостей 2 пФ;
Полиномиальная
коррекция
нелинейности
и
температурной
зависимости
«нуля»
и
чувствительности;
Встроенный датчик температуры;
Диапазон рабочих температур минус
60…+125°С;
Отладочная плата и ПО конфигурации
регистров.
55

56.

ВАРИАНТЫ РЕАЛИЗАЦИИ 3Х-ОСЕВОГО МЭМС-ИНКЛИНОМЕТРА
И МЭМС-АКСЕЛЕРОМЕТРА
-
использование штыревого разъема 1,27 мм
монтаж на гибко-жесткую печатную плату
разработка
заказного
малогабаритного
корпуса
- использование стандартного корпуса QLCC-28
(6,5х6,5х1,6 мм) для сборки ЧЭ и схемы
обработки
56

57.

РЕЗУЛЬТАТЫ
Разработана технология изготовления СБИС:
Пассивация
Разработан технологический процесс на
Al
М/С окисел-4
базе структуры КМОП КНИ с проектными
медь
М/С окисел-3
медь
М/С окисел-2
нормами 0,5 мкм с элементами
медь
М/С
окисел-1
Боковая
изоляция
высокотемпературной микроэлектроники
RHIPO
W
POLY
N+
N-
Pкарман
POLY
POLY
N-
N+
Боковая
изоляция
P+
P-
Nкарман
POLY
POLY
P-
P+
N+
N-
5B PNКарман
POLY
POLY
N+
Боковая
изоляция
P+
P-
5B NPКарман
P+
Боковая
изоляция
Скрытый окисел
P- подложка
Спроектирован тестовый кристалл для аттестации технологического процесса.
Кристалл содержит:
-тестовые структуры для SPACE параметров;
-цифровые и аналоговые блоки;
-операционный усилитель;
-блок памяти.
57

58.

ТЕХНОЛОГИИ РАЗРАБОТКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ДАТЧИКОВ,
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ОГРАНИЧЕНИЯ
Физические ограничения:
Электромиграция;
Уменьшение подвижности носителей;
Увеличение удельного сопротивления.
Измерение структуры сплавов металлов
Причины отказов, связанные с корпусированием:
Температура плавления припоев составляет <+270 0С;
Нарушение герметизации;
Диффузия;
Разрыв соединений.
Воздействие вибрации
Термо-механическое
воздействие
Необходимость разработки новых материалов для
корпусирования и применение новых технологий
производства ЭКБ (CMOS SOI, BCD)
58

59.

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Повышение стандартных требований для достижения
специальных свойств;
В нефтегазовой промышленности стандарт +1250С;
Термин высокотемпературная электроника применяется
для диапазона рабочих температур от +1500С до +3000С;
Рабочая температура +1750С, иногда +2000С;
25% применений ЭКБ в нефтегазовых установках
высокотемпературная электроника для экстремальных
применений +2250С и выше.
Технологические решения:
до +3000С – Si (SOI);
до +5000С – SiC (карбид кремния);
до +10000С – С (углеродная электроника).
59

60.

124498,г. Москва,Зеленоград
Георгиевский пр-т, д.5
Тел.: +7 (495) 018-12-31
Факс: +7 (499) 350-59-51
[email protected]
www.idm-plus.ru
60