Содействие развитию высокотехнологичных проектов в области микроэлектроники в рамках программы «Техностарт»

1.

ТЕХНОСТАРТ
Содействие развитию высокотехнологичных
проектов
в области микроэлектроники
с привлечением финансирования
в рамках программы «Техностарт»
Генеральный директор АО «ЗНТЦ»
Ковалёв Анатолий Андреевич

2.

Размер гранта
Срок реализации
ТЕХНОСТАРТ – 1
ТЕХНОСТАРТ – 2
До 15 млн руб.
До 20 млн руб.
18 – 24 мес
Внебюджетные средства
18 – 24 мес
нет
<10% от суммы гранта
Распределение средств Гранта
• 5 млн.руб. на НИОКР
• до 10 млн.руб. на использование инфраструктуры ТЦ или ЦКП
• 5 млн.руб. на НИОКР
• до 15 млн.руб. на использование инфраструктуры ТЦ или ЦКП
Требования
к участию
в конкурсе
• дизайн-центры ЭКБ или ЭА
• не старше 3-х лет
• Статус «Микропредприятие» или «Малое предприятие»
• ранее не получало финансовую поддержку Фонда
• Подтверждение использования инфраструктуры
технологического центра или ЦКП;
Результаты проекта
• РИД
• Экспериментальный образец
• Проведены испытания
дизайн-центры ЭКБ или ЭА
Нет ограничений по возрасту
После участия в Техностарт – 1
Статус «Микропредприятие» или «Малое предприятие»;
Подтверждение использования инфраструктуры
технологического центра или ЦКП;
• Наличие РИД по тематике проекта на балансе предприятия.
РИД
Описание отлаженного технологического процесса
Опытная партия изделий
Соглашения о намерениях в приобретении продукции,
договоры поставки или иные документы.

3.

Направление проектов:
Дополнительно для Техностарт-2:
• Актуализированный̆ БП;
Н1. Цифровые технологии;
• Права на РИД;
• Отчет о целевом использовании средств Гранта по Техностарт-1;
• Подтверждение наличия ВБС.
Н2. Медицина и технологии здоровьесбережения;
Н3. Новые материалы и химические технологии;
Н4. Новые приборы и интеллектуальные
производственные технологии;
Н5. Биотехнологии;
Н6. Ресурсосберегающая энергетика.

4.

Закрытые (сданные) проекты по «Техностарт-1»
ООО «ОНСИ»
ООО «ДИС»
ООО «АСТЕК-ТЕХНО»
Название проекта:
Название проекта:
Название проекта:
Разработка технологии формирования
гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
на основе подложки кубического карбида кремния
на кремнии диаметром 100 мм
Разработка УФ приемника изображений
Разработка аналого-цифровой микросхемы датчика
ближней радиолокации
Назначение:
Назначение:
Назначение:
Изготовление на их основе полупроводниковых приборов
(диоды, транзисторы, микросхемы) с уникальными
эксплуатационными параметрами, такими как высокое
быстродействие, высокий КПД выходной мощности,
высокие пробивные напряжения, термо- и радстойкость
и др., которые применяются в силовой электронике,
СВЧ-электронике
УФ приемники изображения используются для прямого
преобразования УФ фотоны в фотоны видимого диапазона
(738 нм) и имеют широкую область применений:
Комплектующие для датчиков, построенных на принципе
ближней радиолокации.
• Прицелы для систем наведения и сопровождения
воздушных целей;
Разрабатываемая микросхема является неотъемлемым
компонентом датчиков ближней радиолокации,
используемых в системах ADAS, установка которых будет
обязательна для всех выпускаемых автомобилей.
Тех. партнер – АО «ЗНТЦ»:
• Системы безопасного движения различного вида
транспорта в условиях плохой погоды, и др.
Микросхема ориентирована на отечественных
и зарубежных производителей датчиков.
Выполнение технологических и аналитических работ
по созданию технологии эпитаксии соединений нитридов
металлов на основе подложки кубического карбида
кремния на кремнии
• Мобильные системы оптического мониторинга;
• Мобильные системы активной оптической локации
местности;
Тех. партнер – АО «ЗНТЦ»:
Разработка технологии формирования SiV-центров
в поликристаллических алмазных пленках, получение
экспериментальных образцов основного функционального
элемента (фотокатода) ультрафиолетового приемника
изображений – алмазной пленки, легированной кремнием
с целью получения SiV-центров, проведение испытаний
полученных образцов, получение экспериментального
образца ультрафиолетового приемника
Один из основных потребителей датчиков
это производители автомобилей.
Микросхема так же может быть использована в датчиках
БПЛА или автоматизации промышленности.
Тех. партнер – АО «ЗНТЦ»:
Выполнение технологических работ по созданию опытных
образцов специализированной интегральной микросхемы
– микроконтроллерной системы

5.

Развитие проектов в Техностарт-2
ООО «ОНСИ»
ООО «ДИС»
ООО «АСТЕК-ТЕХНО»
Название проекта:
Название проекта:
Название проекта:
Разработка базовой технологии формирования
гетероструктуры нитрида галлия (GaN) на основе
подложки карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)
методом металлорганической газофазной эпитаксии
(МОГФЭ)
Разработка и изготовление партии образцов
твердотельного преобразователя ультрафиолетового
излучения в излучение видимого диапазона
Разработка промышленного технологического
процесса производства аналого-цифровой
микросхемы датчика ближней радиолокации
Назначение:
Назначение:
Назначение:
1. Изготовление экспериментальных образцов
гетероструктур, проведение испытаний, оптимизация
параметров роста начального слоя.
Разрабатываемый твердотельный преобразователь (ТП)
ультрафиолетовых изображений в изображения видимого
диапазона - основной функциональный элемент
ультрафиолетового приемника-преобразователя
изображений.
Комплектующие для датчиков, построенных на принципе
ближней радиолокации.
2. Изготовление экспериментальных образцов
гетероструктур, проведение испытаний, оптимизация
конструкции буферных слоев.
3. Изготовление партии опытных образцов гетероструктур
GaN на подложке 3С-SiC/Si. Проведение испытаний
опытных образцов гетероструктур.
Тех. партнер – НТЦ Микроэлектроники
РАН (СПб):
Разработка базовой технологии формирования
гетероструктуры нитрида галлия на основе подложки
карбида кремния на кремнии методом МОГФЭ.
Тех. партнер – НИУ «МИЭТ»:
Разработка новой технологии создания твердотельного
преобразователя ультрафиолетового излучения в
излучение видимого диапазона.
Тех. партнер – НИУ «МИЭТ»:
Разработка топологии, изготовление полупроводниковых
кристаллов, технологическая сборка и измерение опытной
партии аналого-цифровых микросхем датчика ближней
радиолокации

6.

Пример организации вертикально ориентированного проекта
ООО «ОНСИ» (стартап)
ЗНТЦ
Отработка технологии на производстве
В рамках «Техностарт-1»
Результат Техностарта
Продукт
Гетероэпитаксиальные структуры нитрида галлия
(полуфабрикат)
Назначение:
Изготовление на их основе полупроводниковых
приборов (диоды, транзисторы, микросхемы)
с уникальными эксплуатационными параметрами,
такими как высокое быстродействие, высокий КПД
выходной мощности, высокие пробивные
напряжения, термо- и радстойкость и др., которые
применяются в силовой электронике, СВЧэлектронике
Постановка технологии в компании ЭпиЭл – Гетероэпитаксиальные
структуры GaN/3С-SiC/Si
ЗНТЦ
Получение экспериментальных образцов GaN транзисторов
на основе гетероэпитаксиальных структур
ЗНТЦ
Создание базовой технологии GaN на собственном производстве
ЗНТЦ
Линейка продуктов на основе технологии GaN
Назначение:
Производители СВЧ электроники для систем связи, спутниковой связи,
производители силовой электроники и другие перспективные направления.
ЗНТЦ – Технологический партнер

7.

Текущие проекты в конкурсе «Техностарт-1» и роль АО «ЗНТЦ» в них
1
«Разработка и изготовление аналого-цифрового электронного модуля обработки сенсорных сигналов на основе интегральной
микросхемы типа системам на кристалле с использованием аналого-цифровых сложно-функциональных блоков и конфигурацией
функций посредствам цифровых интерфейсов»
• «Изготовление аналого-цифрового электронного модуля на основе заказной ИМС»
2
«Разработка и изготовление опытного образца оптоэлектронного приёмного устройства (ОЭПУ) для визуализации коронных разрядов»
• «Изготовление и исследование тестовых, экспериментальных и опытных образцов фотокатодов и схемы питания для оптоэлектронного приемного
устройства»
3
«Разработка теплового МЭМС-сенсора с повышенным быстродействием по сравнению с представленными на рынке болометрическими
и термопарными сенсорными элементами, чувствительными к ИК излучению»
• «Разработка технологии изготовления и проведение испытаний теплового МЭМС-сенсора с расширенными функциональными возможностями на основе
структуры кремний на изоляторе»
4
«Разработка экспериментального образца электронного модуля с микросхемой СнК с передачей сигнала по оптоволокну для
измерительных устройств электроэнергетики»
• «Изготовление опытных образцов микромощных СБИС класса «система на кристалле» для помехозащищенной передачи по оптоволокну аналоговых
сигналов от устройств находящихся под высоким напряжением систем Smart Grid»

8.

Стартапы в АО «ЗНТЦ»
Наша миссия:
Мы профессионально отбираем и создаем новые идеи, которые могут изменить мир к лучшему.
Мы с высокой скоростью превращаем их в передовые продукты и внедряем в технологические процессы.
Услуги:
40
120
компаний проинвестировано
рабочих мест создано
> 150
> 100
млн. руб. инвестиций в компании
млн. руб. выручка проектов
Направления инвестирования:
Проекты-лидеры:
Кровоостанавливающее
средство
Микроэлектроника
Мультиплексоры
Нанотехнологии
3D принтеры PICASO
Привлечение финансирования в проекты
Помощь в поиске индустриальных партнеров
Юридическое и бухгалтерское сопровождение
Проведение нанотехнологической экспертизы проектов
Поиск и разработка технологий
Анализ рынков
Создание команд для реализации проектов
Биомедицина
Гироскопы
для беспилотников
Энергосбережение
Микроигольчатые
аппликаторы