Similar presentations:
Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников (тема 3)
1.
2.
ВОПРОСЫ:1. Классификация веществ по проводимости
2. Собственная проводимость
полупроводников
3. Примесная проводимость полупроводников
4. p – n переход и его свойства
5. Полупроводниковый диод и его применение
3.
Вопрос 1Классификация веществ по
проводимости
4.
Классификация веществ по проводимостиРазные вещества имеют различные электрические свойства, однако по
электрической проводимости их можно разделить на 3 основные группы:
Электрические
свойства веществ
Проводники
Хорошо
Хорошопроводят
проводят
электрический
электрическийток
ток
ККним
нимотносятся
относятсяметаллы,
металлы,
электролиты,
плазма
электролиты, плазма…
…
Наиболее
Наиболееиспользуемые
используемые
проводники
проводники––Au,
Au,Ag,
Ag,Cu,
Cu,
Al,
Fe
…
Al, Fe …
Полупроводники
Занимают
Занимаютпо
попроводимости
проводимости
промежуточное
промежуточное
положение
положениемежду
между
проводниками
проводникамиии
диэлектриками
диэлектриками
Si,
Si,Ge,
Ge,Se,
Se,In,
In,As
As
Диэлектрики
Практически
Практическине
непроводят
проводят
электрический
ток
электрический ток
ККним
нимотносятся
относятся
пластмассы,
пластмассы,резина,
резина,
стекло,
фарфор,
стекло, фарфор,сухое
сухое
дерево,
бумага
…
дерево, бумага …
5.
Классификация веществ по проводимостиВспомним, что проводимость веществ обусловлена наличием в них
свободных заряженных частиц
Например, в металлах это свободные электроны
Вспомните и объясните характер проводимости металлов и
его зависимость от температуры
Е
6.
Вопрос 2Собственная проводимость
полупроводников
7. Полупроводники.
• Полупроводники - вещества, способныепроводить ток при определенных условиях
• В таблице Менделеева – 12 химических
элементов + много соединений.
8.
JuriiГерманий
Кремний
9.
Собственная проводимость полупроводниковРассмотрим проводимость полупроводников на основе кремния Si
-
Si
-
Si
-
Si
-
Si
-
Кремний – 4 валентный
химический элемент.
Каждый атом имеет во
внешнем электронном
слое по 4 электрона,
которые используются
для образования
парноэлектронных
(ковалентных) связей с
4 соседними атомами
Si
При
Приобычных
обычныхусловиях
условиях(невысоких
(невысокихтемпературах)
температурах) ввполупроводниках
полупроводниках
отсутствуют
отсутствуютсвободные
свободныезаряженные
заряженныечастицы,
частицы,поэтому
поэтомуполупроводник
полупроводник
не
непроводит
проводитэлектрический
электрическийток
ток
10.
Собственная проводимость полупроводниковРассмотрим изменения в полупроводнике при увеличении температуры
-
Si
+-
Si
+-
Si
свободный
электрон
-
дырка
-
Si
-
+-
Si
Под
Под воздействием
воздействием
электрического
электрическогополя
поля
электроны
и
дырки
электроны и дырки
начинают
начинают
упорядоченное
упорядоченное
(встречное)
(встречное)движение,
движение,
образуя
электрический
образуя электрический
ток
ток
При
Приувеличении
увеличениитемпературы
температурыэнергия
энергияэлектронов
электроновувеличивается
увеличиваетсяии
некоторые
некоторыеиз
изних
нихпокидают
покидаютсвязи,
связи,становясь
становясьсвободными
свободнымиэлектронами.
электронами.На
На
их
ихместе
местеостаются
остаютсянекомпенсированные
некомпенсированныеэлектрические
электрическиезаряды
заряды(виртуальные
(виртуальные
заряженные
заряженныечастицы),
частицы),называемые
называемыедырками
дырками
11.
Собственная проводимость полупроводниковТаким образом, электрический ток в полупроводниках представляет
собой упорядоченное движение свободных электронов и положительных
виртуальных частиц - дырок
При увеличении температуры растет число свободных носителей заряда,
проводимость полупроводников растет, сопротивление уменьшается
R (Ом)
металл
R0
полупроводник
t (0C)
Объясните графики зависимости сопротивления металлов и
полупроводников от температуры
12.
«Дырка» – это место, образующееся в электроннойсвязи после выхода электрона, которое имеет
положительный заряд и ведет себя как
положительная частица.
+
+
-
Число «дырок» всегда равно числу электронов!
• Процесс разрыва связей и заполнения дырок
происходит непрерывно!
Дырочная проводимость- электрический ток,
связанный с непрерывным перемещением дырок.
Электронная проводимость – электрический ток,
представляющий собой упорядоченное движение
электронов.
13. Проводимость полупроводника зависит от:
1.Температуры (при низкой t˚ ведет себя как
диэлектрик, а при высокой t˚- как проводник)
R
0
T
2.
( кремний, германий, селен, индий, мышьяк…)
3.
4.
5.
6.
Освещения
Механической нагрузки
Наличия электромагнитных полей
Рентгеновского или радиоактивного излучения
14.
Вопрос 3Примесная проводимость
полупроводников
15.
Примесная проводимость полупроводниковСобственная проводимость полупроводников явно недостаточна для
технического применения полупроводников
Поэтому для увеличение проводимости в чистые полупроводники
внедряют примеси (легируют) , которые бывают донорные и акцепторные
-
Si
Донорные
Донорныепримеси
примеси
Si
-
-
-
As
-
-
Si
-
Si
При легировании 4 – валентного
кремния Si 5 – валентным
мышьяком As, один из 5
электронов мышьяка становится
свободным
Таким образом изменяя
концентрацию мышьяка, можно в
широких пределах изменять
проводимость кремния
Такой
Такойполупроводник
полупроводникназывается
называетсяполупроводником
полупроводникомnn––типа,
типа,
основными
основныминосителями
носителямизаряда
зарядаявляются
являютсяэлектроны,
электроны,аапримесь
примесь
мышьяка,
мышьяка,дающая
дающаясвободные
свободныеэлектроны,
электроны,называется
называетсядонорной
донорной
16.
Примесная проводимость полупроводниковАкцепторные
Акцепторныепримеси
примеси
Если кремний легировать трехвалентным индием, то для образования
связей с кремнием у индия не хватает одного электрона, т.е. образуется
дырка
-
Si
-
Si
-
In
+
-
Si
-
Si
Изменяя концентрацию индия,
можно в широких пределах
изменять проводимость кремния,
создавая полупроводник с
заданными электрическими
свойствами
Такой
Такойполупроводник
полупроводникназывается
называетсяполупроводником
полупроводникомpp––типа,
типа,
основными
основныминосителями
носителямизаряда
зарядаявляются
являютсядырки,
дырки,аапримесь
примесьиндия,
индия,
дающая
дающаядырки,
дырки,называется
называетсяакцепторной
акцепторной
17.
Примесная проводимость полупроводниковИтак, существует 2 типа полупроводников, имеющих большое практическое
применение:
+
рр--типа
типа
Основные носители заряда дырки
-
nn--типа
типа
Основные носители заряда электроны
Помимо основных носителей в полупроводнике существует очень малое
число неосновных носителей заряда ( в полупроводнике p – типа это
электроны, а в полупроводнике n – типа это дырки), количество которых
растет при увеличении температуры
Объясните, как изменяется количество неосновных
носителей заряда в примесном полупроводнике при
увеличении температуры
18. Структура полупроводников (на примере Si -№14)
• Это монокристалл в форме тетраэдра (навнешней оболочке 4 электрона)
• Все атомы в кристаллической решетке
находятся на равном расстоянии от соседних
атомов
• Электронные оболочки перекрывают друг
друга
• Валентные электроны становятся общими
• Между атомами устанавливается прочная
ковалентная связь.
19.
• Если нет внешнего электрического поля, тоэлектроны и «дырки» движутся хаотично;
• Если создать внешнее электрическое поле, то
электроны и «дырки» придут в упорядоченное
движение:
• Электроны движутся против Е,
• «дырки» движутся по направлению Е
Электрический ток в полупроводнике –
это упорядоченное движение
электронов и «дырок»
20.
Вопрос 4p – n переход и его
электрические свойства
21.
p – n переход и его свойстваРассмотрим электрический контакт двух полупроводников p и n типа,
называемый p – n переходом
1. Прямое включение
р
+
+
+
n
+
+
-
-
_
-
Ток через p – n переход осуществляется основными носителями заряда
(дырки двигаются вправо, электроны – влево)
Сопротивление перехода мало, ток велик.
Такое включение называется прямым, в прямом направлении p – n
переход хорошо проводит электрический ток
22.
p – n переход и его свойства2. Обратное включение
р
_
+
+
n
+
+
-
-
+
-
Запирающий слой
Основные носители заряда не проходят через p – n переход
Сопротивление перехода велико, ток практически отсутствует
Такое включение называется обратным, в обратном направлении p – n
переход практически не проводит электрический ток
23.
p – n переход и его свойстваИтак, основное свойство p – n перехода заключается в его
односторонней проводимости
Вольт
Вольт––амперная
ампернаяхарактеристика
характеристикаpp––nnперехода
перехода(ВАХ)
(ВАХ)
I (A)
U (В)
Объясните на основе строения полупроводников и свойствах
p – n перехода график зависимости силы тока от напряжения
(ВАХ) перехода
24.
Для четырёхвалентного кремниядонорной
примесью n-типа является
пятивалентный мышьяк.
25.
Трёхвалентный индий будет являтьсядля кремния акцепторной примесью ртипа.
26.
p –n – переход контакт двух полупроводников p – типа и n – типа,находит практическое применение.
p-n ïåðåõîä â äèîäå.swf
27.
28.
29.
Вопрос 5Полупроводниковый диод и
его применение
30.
Полупроводниковый диодустройство, содержащее электронно – дырочныйпереход и способное пропускать ток только в одном
направлении ( германий, кремний , селен).
+
-
31.
Полупроводниковый диод и его применениеПолупроводниковый диод – это p – n переход,
заключенный в корпус
Обозначение
полупроводникового
диода на схемах
Вольт
Вольт––амперная
ампернаяхарактеристика
характеристикаполупроводникового
полупроводниковогодиода
диода(ВАХ)
(ВАХ)
I (A)
Основное свойство диода
– его односторонняя
электрическая
проводимость
U (В)
32.
Полупроводниковый диод и его применениеПрименение
Применение
полупроводниковых
полупроводниковых
диодов
диодов
Выпрямление
Выпрямление
переменного
переменноготока
тока
Детектирование
Детектирование
электрических
электрическихсигналов
сигналов
Стабилизация
Стабилизациятока
токаии
напряжения
напряжения
Передача
Передачаииприем
прием
сигналов
сигналов
Прочие
Прочиеприменения
применения
33.
Полупроводниковый диод и его применениеСхема
Схемаоднополупериодного
однополупериодноговыпрямителя
выпрямителя
До диода
После диода
После
конденсатора
На нагрузке
Каковы недостатки выпрямителя на одном диоде
34.
Применение диодаПолупроводниковые диоды применяют для
«выпрямления» переменного электрического тока.
35.
Контрольные вопросы1.Как изменяется проводимость
полупроводника с повышением
температуры?
2.Какую валентность имеют элементы,
используемые для донорных примесей
к полупроводникам?
3.Для каких целей используются
полупроводниковые диоды?
4.Для каких целей используются
транзисторы?